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[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202311188650.9在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括有源层，所述有源层包括多个周期性交替生长的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的极化调控层、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层；所述第一应变补偿层为ScAlN层，所述ScAlN层中Sc组分沿其生长方向逐渐下降，所述ScAlN层中In组分沿其生长方向逐渐升高，所述第二应变补偿层为AlInN层，所述AlInN层中Al组分沿其生长方向逐渐升高，所述AlInN层中In组分沿其生长方向逐渐降低，降低量子阱层缺陷密度，提高量子阱层晶体质量，降低有源层极化效应，提高有源层的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311008965.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为Si掺AlN层；所述第二子层为二元共掺GaN层，其掺杂元素为Cr和Si；所述第三子层为Si掺GaN层和Mg掺InN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[实用新型]胸小肌拉伸设备-CN202320572699.3有效
发明人：罗强;张起;高虹 -专利权人：西南医科大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： A63B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了胸小肌拉伸设备，包括穿戴护具，穿戴护具的顶端安装有弹力肩带，穿戴护具的后端设有将其展开的开口且开口处通过卡扣连接，穿戴护具的内部缝制固定安装有两个分布在两侧的弧形的金属加强板，金属加强板的前侧和底端均固定安装有两个对称的拉力计，位于侧面的拉力计固定连接有两个第一推力弹簧，两个第一推力弹簧固定连接有同一个第一推杆，位于底端的拉力计固定连接有两个第二推力弹簧，两个第二推力弹簧共同固定连接一个第二推杆，第一推杆和穿戴护具在纵向方向平行，第二推杆和穿戴护具在纵向方向垂直。本实用新型中，通过穿戴式设计并为穿戴护具设置模仿出拳和插入口袋动作训练的独立的训练组件实现胸小肌的可靠拉伸训练。
胸小肌拉伸设备

[实用新型]一种液化气瓶中筒环切、环焊成型装置-CN202320542016.X有效
发明人：高虹;刘启华;郭恒 -专利权人：安徽大盘特种装备车辆有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： B23P23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液化气瓶中筒环切、环焊成型装置，包括定位台，所述定位台的上表面开设有切割槽，定位台的上表面滑动连接有两个支撑板，两个支撑板的上表面均开设有弧形槽，两个支撑板的上表面均固定连接有压紧组件。该液化气瓶中筒环切、环焊成型装置，将所需焊接的两段中筒分别放置在两个支撑板上方的弧形槽中，此时转动两个丝杆，使活动板通过连接块带动橡胶压环下降，直到两个橡胶压环能够将两段中筒分别压制在两个弧形槽内，从而能够提高中筒焊接过程中的稳定性，无需工作人员手动扶持，并且转动双向螺杆可通过两个移动板调节两个支撑板之间的距离，从而能够适用于不同长度的中筒，灵活性较高。
一种液化气瓶中筒环切成型装置

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311029088.5在审
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合层包括依次沉积在所述衬底上的SiCN层、Mg掺杂BGaN层和Mg掺杂InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提高GaN晶体质量，降低产生裂纹率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片-CN202311204129.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。
一种发光二极管外延制备方法 led 芯片

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310908680.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个所述量子垒层均包括依次层叠的YGaN层、Si掺GaN层和BScN层。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865027.6在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的P‑AlInN层、第一MoO3层、P‑AlInGaN层和P‑GaN层。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865038.4在审
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括图形化衬底，依次层叠于图形化衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；图形化衬底上设有多个阵列分布的凸起图形；缓冲层包括依次层叠的第一子层和第二子层；第二子层包括依次层叠的三维AlN层和二维AlN层；第一子层包括多个MoSe2岛，其分布在相邻凸起图形之间，且MoSe2岛的高度小于凸起图形的高度，MoSe2岛的宽度小于相邻凸起图形之间的距离。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法-CN202310756263.4在审
发明人：高虹;程龙;郑文杰;舒俊;张彩霞;印从飞;刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升载流子匹配度的发光二极管外延片及其制备方法，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和第二半导体层；所述第二半导体层包含依次层叠在所述电子阻挡层上的三维未掺杂BN层、二维N极性InBN层和P型半导体层；所述P型半导体层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为周期性交替层叠的第一P型GaN层和第一P型InAlGaN层，所述第二子层为第二P型GaN层。本发明提供的发光二极管外延片能够提升多量子阱区域的载流子的匹配度。
提升载流子匹配发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]GaN基LED外延片及其制备方法、LED-CN202311133326.7在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基LED外延片及其制备方法、LED，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、复合位错阻挡层、N型GaN层及多量子阱层；所述复合位错阻挡层包括沿外延方向依次设置的位错阻挡基层、位错扭转层及晶格扭转层，所述位错阻挡基层为掺杂Mg的AlN层，所述位错扭转层为Si3N4层，所述晶格扭转层为掺杂Cr、Mg的GaN共掺层。
gan led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310961331.0有效
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；有源层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个量子阱层均包括依次层叠的第一WS2层、InxGa1‑xN薄层和第二WS2层；每个量子垒层均包括依次层叠的第一BN层、P‑GaN层和第二BN层；其中，x≥0.24，InxGa1‑xN薄层的厚度≤2.5nm。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310787015.6有效
发明人：郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、V坑层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；第一多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的InxGa1‑xN层（x=0.22~0.35）和第一GaN层，第二多量子阱层包括依次层叠的InyGa1‑yN层（y=0.15~0.25）、InBGaN层、AlzGa1‑zN层（z=0.4~0.6）和AlN层；y＜x。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率、抗静电性能，且不显著提升其工作电压。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺-CN202310826990.3有效
发明人：郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺，该生长工艺包括：提供衬底；在衬底上依次沉积缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层及P型层；其中，P型层包括沿外延方向依次层叠的第一复合层及第二复合层，第一复合层包括第一P型GaN层及第一阶梯保护层，第二复合层包括第二P型GaN层及第二阶梯保护层；第一阶梯保护层包括沿外延方向依次层叠的第一AlN子层、Ga2O3子层及BN子层；第二阶梯保护层包括沿外延方向依次层叠的第二AlN子层、SiO2子层及Si3N4子层。有效确保对GaN材料进行高浓度Mg掺杂及高温退火后仍然能够形成高质量晶体，提升发光效率。
氮化发光二极管外延及其生长工艺

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