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[发明专利]一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法-CN201611245848.6有效
发明人：董培涛;吴学忠;张晨煜;曾学盛;王朝光;王俊峰;陈剑 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法。该表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱包括衬底，衬底上设有阵列型银纳米柱，阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜；阵列型银纳米柱的柱长为400nm～800nm，阵列型银纳米柱的柱直径为80nm～100nm，相邻银纳米柱之间的距离70nm～80nm，阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm～30nm。制备方法包括：（1）倾斜镀膜法在衬底上制备阵列型银纳米柱；（2）纳米电镀金膜，得到表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱。本发明的阵列型银纳米柱表面包覆金膜技术具有结构稳定、与生物样品之间亲和性好等优点，该制备方法操作安全便捷、成本低廉、效率高、且对环境友好。
一种表面包覆有金膜阵列纳米及其制备方法

[发明专利]硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法-CN201310742639.2有效
发明人：吴学忠;董培涛;王浩旭;陈剑;邸荻;王朝光;王俊峰 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列及其制备方法。该硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列包括一硅片基底，硅片基底上设有硅柱纳米结构阵列，硅柱纳米结构阵列上设有金属膜纳米结构阵列，金属膜纳米结构阵列单元设于硅柱纳米结构阵列单元上。制备方法包括制备单层有序聚苯乙烯纳米球致密排列、制备单层有序聚苯乙烯纳米颗粒非致密排列、制备金属纳米孔阵列掩模、制备纳米结构阵列模版、制备金属膜纳米结构阵列掩模和硅柱支撑的金属膜纳米结构阵列等工艺步骤。本发明的纳米结构阵列具有大面积、高密度、形貌可被改变等优点，制备方法成本低廉、效率高、兼容性好，为研究纳米结构阵列的光学性质、磁性能、催化特性等提供了便利。
支撑金属膜纳米结构阵列及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201010240858.7有效
发明人：周明杰;黄杰;汪磊 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括：透明基体；透明导电电极，设于透明基体上；第一缓冲层，设于透明导电电极上；第一纳米柱阵列层，设于第一缓冲层上；第二纳米柱阵列层，间隔设于第一纳米柱阵列层上，第二纳米柱阵列层包括周期性间隔排布的多个第二纳米柱，该多个第二纳米柱构成二维光子晶体结构；光活性层，填充于第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层之间，且渗透进入第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层内部；第二缓冲层，设于第二纳米柱阵列层上；及导电电极，设于第二缓冲层上
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器-CN201810700070.6有效
发明人：杨为家;何鑫;刘铭全;徐维;王诺媛;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎;陈振杰 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料通过控制Si纳米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO纳米晶的分布均匀性，提并利用Si纳米柱阵列的特殊光学特性及ZnO纳米晶的局域表面敏感性提高传感器的灵敏度和整体性能。
zno 纳米增强 si 阵列敏感材料及其制备方法传感器

[发明专利]一种氮化钛-聚吡咯纳米柱阵列材料及其制备方法和应用-CN201810556848.0有效
发明人：王永;李春迎;吴长宇;徐凯;韩翠平;李菁菁 -专利权人：徐州医科大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料的制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1.以碳纸作为基底材料，在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列，得到负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸；S2.将负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸进行氮化处理，得到负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸；S3.采用常规脉冲伏安法，在负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸上沉积聚吡咯，得到氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料。本发明制备的氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料，由于氮化钛纳米柱的导电性高、比表面大，每一根氮化钛纳米柱均被一层均匀的聚吡咯完全包裹，提高了材料的比电容。
一种氮化吡咯纳米阵列材料及其制备方法应用

[发明专利]一种柔性氮化钛-聚吡咯纳米柱阵列材料及其制备方法和应用-CN201810555706.2有效
发明人：王永;吴长宇;徐凯;李菁菁;隋美蓉 -专利权人：徐州医科大学
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料的制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1.以石墨纸作为基底材料，在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列材料，得到负载二氧化钛纳米柱阵列的石墨纸；S2.将负载二氧化钛纳米柱阵列的石墨纸进行氮化处理，得到负载氮化钛纳米柱阵列的石墨纸；S3.采用常规脉冲伏安法，在负载氮化钛纳米柱阵列的石墨纸上沉积聚吡咯，得到柔性氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料。本发明以石墨纸为基底材料制备的氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料，由于氮化钛纳米柱的导电性好、比表面大，且每一根氮化钛纳米柱表面均被一层均匀的聚吡咯完全包裹，提高了材料的电容性质。
一种柔性氮化吡咯纳米阵列材料及其制备方法应用

[发明专利]一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法-CN201710028756.0在审
发明人：李俊泽;李沫;龙衡;王文杰;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种选区外延纳米柱阵列的有序转移方法，针对以SiO2为掩膜开孔型图形化蓝宝石衬底进行的MOCVD或者MBE选区外延获得的纳米柱阵列外延片，该纳米柱阵列延竖直方向一致生长，均匀且整齐分布。本发明采用聚二甲基硅氧烷固化纳米柱阵列配合缓冲氧化物浸蚀剂腐蚀SiO2掩膜层后，将纳米柱阵列大面积有序转移。该方法具有对设备工艺要求低、保持阵列有序整齐等优势，并且底部顶部保留纳米柱材料便于纳米柱材料制备电极或者键合到其它柔性衬底，有利于纳米柱阵列材料更广范围的应用。
一种选区外延纳米阵列有序转移方法

[发明专利]ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器-CN201810701499.7有效
发明人：杨为家;何鑫;沈耿哲;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;劳锦棠 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、Pt纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni、Fe纳米粒子中的至少一种；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器通过控制Si纳米/微米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO和金属纳米粒子的分散效果，利用Si纳米/微米柱阵列的特殊光学特性及金属纳米粒子的局域表面等离子体增强效应提高传感器的灵敏度和整体性能。
zno si 纳米微米阵列敏感材料及其制备方法传感器

[发明专利]一种宽光谱纳米阵列探测器及其制备方法-CN201910156029.1在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;杨希峰;王书昶;马玉龙;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱纳米阵列探测器，包括氧化硅衬底，氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，ZnO纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，氧化硅衬底的表面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。本发明还公开了一种宽光谱纳米阵列探测器的制备方法。本发明利用钙钛矿及纳米柱的周期阵列拓展ZnO的光谱响应范围，在不损失ZnO紫外光谱响应的基础上产生较高的可见光谱的响应。
纳米柱周期阵列结构表面设置纳米阵列氧化硅衬钙钛矿宽光谱探测器透明导电薄膜异质结轴向柱体制备表面设置金属导电电极光谱响应可见光谱上下对齐栅线电极周期阵列紫外光谱外电路响应驱动拓展

[发明专利]金属纳米颗粒结合金属纳米柱结构的荧光增强结构及方法-CN202211512370.4在审
发明人：曹臻;吴柏璇;汪小知 -专利权人：海宁市产业技术研究院
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N33/553 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属纳米颗粒结合金属纳米柱结构的荧光增强结构及方法。包括衬底、金属纳米柱、金属纳米颗粒，布置在金属纳米柱上面/周围，所述的金属纳米柱以阵列布置在衬底之上，形成金属纳米柱阵列；将带有荧光元素的抗体结合到金属纳米颗粒上，对金属纳米柱/金属纳米柱阵列进行抗原修饰，随后将抗原修饰的金属纳米柱/金属纳米柱阵列和抗体修饰的金属纳米颗粒进行结合，制备获得荧光增强结构。本发明采用新的一种纳米金属结构，实现对免疫分析中的荧光蛋白的高灵敏度检测，具有高灵敏度、检测范围广、制作简单、易于观测的特点。
金属纳米颗粒结合结构荧光增强方法

[发明专利]聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和储能应用-CN201110362797.6有效
发明人：谢一兵;杜洪秀 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C25B3/00 文献下载
摘要：一种聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料，所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料包括：聚吡咯基体，在聚吡咯基体上设有呈阵列分布且两端通透的纳米孔，在纳米孔内嵌入聚吡咯纳米柱，聚吡咯纳米柱柱面与纳米孔内壁之间设有间隙采用脉冲伏安法进行调控的电聚合反应，二氧化钛纳米管、包覆在纳米管外壁面上的聚吡咯纳米膜和嵌入在纳米管管腔内的聚吡咯纳米柱复合而成的同心轴实心结构的聚吡咯包覆二氧化钛纳米管复合阵列材料，采用化学腐蚀溶解方法，氢氟酸完全去除二氧化钛有序纳米管模板后得到聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料。所述的聚吡咯纳米柱嵌纳米孔阵列材料作为超级电容器电极材料进行电化学储能应用。
吡咯纳米阵列材料及其制备方法应用

[发明专利]硅纳米柱状阵列材料及其制备方法-CN201610604267.0有效
发明人：李志刚;冯尚申;王天乐;南浩善 -专利权人：李志刚;台州学院
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米柱状阵列材料，包括衬底和硅纳米柱状阵列膜，所述硅柱状阵列膜覆盖于所述衬底上；所述硅纳米柱状阵列膜包括多个硅纳米柱，各所述硅纳米柱紧密排列成蜂窝状六角阵列；各所述硅纳米柱的直径为50 nm~500 nm，硅纳米柱的高度为10 nm~150 nm。本发明还公开了所述硅纳米柱状阵列材料的制备方法。本发明基于胶体晶体模板，合成各种尺寸可控的硅纳米柱状阵列，该柱状阵列不仅具有良好的光吸收性能，而且其光吸收峰位和硅纳米柱尺寸具有良好的尺寸相关性。本发明所制备的硅纳米柱状阵列材料成本低、适用面广、制备简便、易于推广，使其在防反射、光敏器件、能源器件等方面具有重要的应用前景。
硅纳米柱阵列材料制备阵列膜衬底胶体晶体模板光吸收性能尺寸可控光敏器件紧密排列六角阵列能源器件柱状阵列防反射蜂窝状光吸收峰位硅柱合成覆盖应用

[发明专利]一种制备硅基纳米柱阵列的方法-CN200910244521.0无效
发明人：贾锐;岳会会;陈晨;刘新宇;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硅基纳米柱阵列的方法，用以提高晶体硅太阳能电池效率和制造硅异质结太阳能电池，该方法包括：A、配置氢氟酸基腐蚀液；B、利用该腐蚀液对硅衬底进行腐蚀；C、利用酸溶液清洗硅片，去除表面银颗粒；D、利用氢氟酸对硅片进行漂洗，形成纳米柱阵列。本发明提供的这种制备硅基纳米柱阵列的方法，利用湿法化学腐蚀形成硅基纳米柱阵列，能够极大降低因干法刻蚀所造成的损伤，减少最终的纳米柱阵列的缺陷，从而提高其最终硅基纳米柱阵列非晶硅薄膜异质结太阳能电池的转化效率另外，本发明与气-液-固三相生长的硅基纳米柱相比，可规则的形成硅基纳米柱阵列结构，其工艺过程简单，成本低，能够大面积制作规则的纳米柱阵列。
一种制备纳米阵列方法

[发明专利]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED及其制备方法-CN201610931033.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域，公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO₂衬底，生长在LiGaO₂衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本发明所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
生长镓酸锂衬底极性纳米 led 及其制备方法

[实用新型]生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED-CN201621192392.7有效
发明人：李国强;王文樑;杨美娟 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于纳米阵列LED生长与制备的技术领域，公开了生长在镓酸锂衬底上的纳米柱LED。所述生长在镓酸锂衬底上的非极性纳米柱LED包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的GaN纳米柱阵列，生长在GaN纳米柱阵列上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层；所述GaN纳米柱阵列为非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型所选择的镓酸锂衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的非极性纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
生长镓酸锂衬底极性纳米 led

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