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[实用新型]一种沟槽埋栅GaN HEMT器件-CN202022941732.4有效
发明人：李炘;张关保 -专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽埋栅GaN HEMT器件，具体涉及半导体器件技术领域，其技术方案是：包括衬底，所述衬底顶部淀积一层AlN，所述AlN为器件缓冲层，所述器件缓冲层顶部生长一层不掺杂的GaN，所述GaN为沟道层，所述沟道层内壁通过光刻刻蚀形成第一凹槽，所述第一凹槽内壁填充AlGaN一，所述沟道层顶部生长AlGaN二，所述AlGaN一与所述AlGaN二形成势垒层，所述势垒层一端通过光刻选择性掺杂硅原子形成N型AlGaN，所述势垒层内壁通过光刻刻蚀形成第二凹槽，所述第二凹槽内壁填充Al2O3，所述Al2O3为栅介质，所述栅介质内壁设有第三凹槽，本实用新型的有益效果是：通过沟槽结构使得栅极下方势垒层变窄，直接可以形成增强型结构
一种沟槽 gan hemt 器件

[发明专利]生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器及其制备方法-CN201810171159.8在审
发明人：李国强;郑昱林;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器及其制备方法。该紫外探测器，由下至上，依次包括r面蓝宝石衬底、非极性GaN缓冲层、非极性AlGaN层以及与非极性AlGaN层肖特基接触的Ni/Au金属叉指电极。本发明通过在进行表面清洁处理后的r面蓝宝石衬底上，采用PLD技术依次生长AlN籽晶层和非极性GaN缓冲层，再采用MOCVD工艺外延生长非极性AlGaN层，经光刻处理、蒸镀Ni/Au金属叉指电极，最后进行封装，得到所述生长在r面蓝宝石衬底上的非极性AlGaN基MSM型紫外探测器。
非极性紫外探测器衬底生长金属叉电极制备肖特基接触表面清洁光刻处理光响应度外延生长紫外光暗电流籽晶层与非蒸镀封装灵敏探测

[发明专利]一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN-HEMT设计方法-CN201711189336.7在审
发明人：陈亮;朱莎露 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN‑HEMT设计方法。本发明中阶梯状AlGaN外延层新型AlGaN/GaN结构为50mm的蓝宝石衬底上生长插入200nm厚的AlN插入层，AlN插入层上生长3µm厚GaN缓冲层，25nm厚的Al0.25Ga0.75N外延层则位于GaN缓冲层上；栅极，源极，漏极位于Al0.25Ga0.75N外延层上，在Al0.25Ga0.75N外延层中位于栅极旁边刻蚀了一个深10nm,长3µm的Al0.25Ga0.75N外延层沟槽，形成阶梯状AlGaN外延层；栅极与源极之间的距离为1µm，栅极与漏极之间的距离为5µm，栅长为1.5µm。本发明公开的一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN‑HEMT设计方法能降低栅边缘的二维电子气浓度，使均匀分布的浓度成为从栅边缘到漏电极阶梯分布，降低了栅边缘的高峰电场，将传统的AlGaN
一种提高击穿电压阶梯 algan 外延新型 gan hemt 设计方法

[发明专利]一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极-CN202110701308.9在审
发明人：王晓晖;班启沛;张世博;张翔;王振营 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超晶格结构电子发射层的AlGaN/GaN光电阴极。该超晶格AlGaN/GaN光电阴极的结构包括：由下至上依次设置的衬底(11)、缓冲层(12)、p型超晶格AlGaN/GaN电子发射层(13)、激活层(14)。本发明在传统GaN光电阴极结构基础上，采用p型超晶格AlGaN/GaN结构作为光电阴极的电子发射层，能够促进光电子在发射层中的扩散和在表面的逸出，从而有效解决光电阴极中光电转化率不高的问题，有助于进一步提高AlGaN/GaN光电阴极的量子效率。
一种具有晶格结构电子发射 algan gan 光电阴极

[发明专利]一种紫外LED外延片结构及其制备方法-CN201811453587.6有效
发明人：李光;白耀平;李述体 -专利权人：深圳市洲明科技股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外LED外延片结构及其制备方法，属于半导体技术领域，由下而上依次包括：衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN插入层、电子阻档层、P型AlGaN层、P型GaN层；所述的P型AlGaN插入层包含多层，由底向上分为奇数层和偶数层，其中奇数层中AI组分含量线性增长、偶数层AI组分含量线性降低，或者奇数层中AI组分含量线性降低、偶数层AI组分含量线性增长，从而使P型AlGaN插入层中AI组分含量呈锯齿形。
一种紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811607166.4在审
发明人：陈雨雁;周炳;许新佳;赵承杰;夏凯 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的GaN层；位于所述GaN层上的AlGaN层；位于所述AlGaN层上的石墨烯层；位于所述石墨烯层上的金属层，所述金属层通过所述石墨烯层与所述AlGaN层形成金半接触的欧姆连接。本发明采用石墨烯作为金属层和AlGaN层间的垫层，利用石墨烯功函数可调的特性，无需高温合金，即可与AlGaN层形成欧姆接触。
半导体器件石墨烯层金属层石墨烯衬底层电子迁移率高导热性高温合金金半接触欧姆接触散热性能功函数可调的垫层制造

[发明专利]一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法-CN202111004388.9在审
发明人：马金榜;张雅超;李一帆;姚一昕;张进成;马佩军;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底背面外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法，该硅基AlGaN/GaN HEMT的制备方法包括步骤：S1、在Si衬底的背面依次生长若干SiGe外延层；S2、在所述Si衬底的正面依次生长AlN成核层、AlGaN阶变层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，形成硅基AlGaN/GaN HEMT器件；S3、对所述硅基AlGaN/GaN HEMT器件进行降温处理。该制备方法在Si衬底的背面设置若干SiGe外延层，SiGe的热膨胀系数比Si大，当生长完AlGaN/GaN HEMT器件进行降温的过程中，由于SiGe的热膨胀系数更大，会在衬底中引入一定的压缩应力，对于硅基AlGaN/GaN HEMT器件中的拉伸应力起到一定的抵消作用，从而达到降低翘曲的目的，提高材料的成品率。
一种基于衬底背面外延 algan gan hemt 制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法、半导体器件-CN202211674736.8在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构中由于AlGaN的晶格常数大于AlN、AlInN的晶格常数大于AlGaN，AlN缓冲层和AlGaN插入层能够给上层施加压应力，有助于减少裂纹的产生。
外延结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法-CN202210784215.1在审
发明人：陈兴;陈瑶;王东;吴勇;黄永;何滇;李彦佐;林长志;邱慧嫣;谢雨峰;沈琪 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID‑GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、Si3N4钝化层、设置于顶部UID‑GaN缓冲层两端的源极和漏极以及设置于AlGaN势垒层上的栅极，所述源极还与设置于顶部UID‑GaN缓冲层内的三层P型埋层相连，本发明在AlGaN/GaN异质结外延过程中采用碳掺杂的周期性GaN缓冲层作为底层GaN缓冲层，可有效抑制垂直方向上经由源极或漏极流向衬底的泄漏电流，减小底层GaN缓冲层位错密度，提高结晶质量，同样能减小流向底层GaN缓冲层的泄漏电流，具有与源极相连的三层P型埋层的HEMT器件结构，实现了击穿电压和导通电阻的折衷。
一种具有型埋层 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]紫外发光二极管外延结构及其制备方法-CN201710161944.0在审
发明人：周圣军;高艺霖;胡红坡;刘星童;刘梦玲 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明所涉及的紫外发光二极管外延结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、AlN成核层、u型GaN缓冲层、第一n型AlGaN层、重掺杂n型GaN层、第二n型AlGaN层、轻掺杂n型GaN层、InGaN/AlGaN超晶格层、InGaN/AlInGaN有源层、p型AlInGaN层、p型AlInGaN/InGaN超晶格层、p型GaN层、重掺杂p型GaN层，其中，第一n型AlGaN层的厚度为60~100nm，第二n型AlGaN层的厚度为20~50nm。
紫外发光二极管外延结构及其制备方法

[发明专利]一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法-CN201810430506.4在审
发明人：王成新;吴向龙;肖成峰;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种P型GaN层的UV LED芯片及其制备方法，包括由下而上依次设置的衬底、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层、透明导电膜层、钝化层，所述透明导电膜层上设置有p型欧姆电极，所述n型AlGaN层上设置有N型欧姆电极，所述p型GaN层上刻蚀有规则结构体或不规则结构体。减少了p型GaN层对紫外光的吸收，同时保留了p型GaN层与透明导电膜层的欧姆接触，从而提高UV‑LED的外量子效率和发光功率。
透明导电膜层不规则结构电子阻挡层外量子效率紫外光发光功率规则结构量子阱层欧姆接触依次设置钝化层非掺杂缓冲层衬底刻蚀制备芯片保留吸收

[发明专利]一种蓝宝石衬底AlN外延层高电子迁移率晶体管生长方法-CN201410295141.0有效
发明人：何苗;陈芳胜;郑树文 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝宝石衬底AlN外延层高电子迁移率晶体管生长方法，在蓝宝石衬底上依次生长高温AlN层、中温高Ⅴ‑Ⅲ比GaN过渡层、高温GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖层本发明方法实用蓝宝石作为衬底，降低成本，并采用金属有机物化学气相沉积在蓝宝石衬底上外延生长足够厚度的高温AlN层，阻止了蓝宝石衬底中氧的向上扩散，获得半绝缘GaN缓冲层；同时，利用了中温高Ⅴ‑Ⅲ比GaN过渡层，降低了高温GaN缓冲层的刃位错密度，减少了对二维电子气的散射，提高二维电子气迁移率，从而实现高电子迁移率晶体管的制备。
一种蓝宝石衬底 aln 外延层高电子迁移率晶体管生长方法

[发明专利]一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法-CN202110333421.6有效
发明人：彭大青;李忠辉;李传皓;陈韬 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二步采用III族源流量恒定工艺生长第二层AlGaN势垒层，第一层AlGaN势垒层的厚度为0～4nm。本发明采用这种两步生长法，克服了Ga原子扩散带来的AlGaN势垒层靠近异质结界面处Al组分降低问题，改善了Al组分沿生长方向的一致性，实现了陡峭的AlGaN/GaN异质结界面，从而提高了沟道二维电子气迁移率
一种氮化物电子迁移率晶体管外延材料生长方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法-CN200880020316.X有效
发明人：中西康夫;中田俊次;藤原彻也;千田和彦;园部雅之 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法，能够使在ALN缓冲层上层积的氮化物半导体的晶体质量等质量良好而提高光输出。在蓝宝石衬底(1)上形成ALN缓冲层(2)，在其上顺序层积n型AlGaN层(3)、InGaN/GaN活性层(4)、p型GaN层(5)这些氮化物半导体。在n型AlGaN层(3)的表面形成n电极(7)、在p型GaN层(5)上形成p电极(6)。n型AlGaN层(3)具有用于将光和载流子封闭的作为包覆层的作用。ALN缓冲层(2)通过在生长温度900℃以上的条件下交替供给原料Al和原料N来制作。
氮化物半导体发光元件制造方法

[发明专利]一种GaN基垂直结构发光二极管及其制备方法-CN201010116025.X有效
发明人：刘宝林;李晓莹 -专利权人：厦门大学
申请日： 2010-02-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：从下到上依次为蓝宝石衬底、低温GaN缓冲层、第1掺硅GaN层、5～10个周期的n-InGaN/n-AlGaN或n-AlGaN/n-GaN超晶格层、第2掺硅GaN层、5个周期的固定或渐变组分InGaN/GaN量子阱、掺镁AlGaN层、掺镁GaN层、5个周期的p-InGaN/p-AlGaN超晶格层、p-InGaN盖层。将蓝宝石衬底装入反应室，对衬底依次进行热处理和氮化处理后依次生长GaN缓冲层至p-InGaN盖层，退火后得GaN基垂直结构发光二极管。
一种 gan 垂直结构发光二极管及其制备方法