“何焱腾”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高功率元件总成制造方法-CN202210066915.7在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是一种高功率元件总成制造方法，包含有以下步骤：(a)于一第一基板上形成一剥离层，该剥离层的材质为二维材料；(b)于该剥离层上形成一成核层；(c)于该成核层上成长一高功率元件；(d)取一支撑板通过一接合层与该高功率元件接合；(e)移除该第一基板与该剥离层，并将残留的该剥离层由该成核层表面清除；(f)取一第二基板与该成核层接合；以及(g)移除该接合层与该支撑板。借此，本发明的制造方法可采用非碳化硅基板以降低制造成本，可达到商品化的质量要求，并可依需要搭配不同特性的第二基板，有效扩展应用领域。
功率元件总成制造方法

[发明专利]智能基板-CN202310334752.0在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明是一种智能基板，由一单晶板体、一剥离层与一接合层所组成，其中，该剥离层的材质是二维材料且沉积于该单晶板体的表面，该剥离层包含有多个二维材料的单层，该接合层的材质是三族氮化物且沉积于该剥离层的表面。借此，可于该智能基板上形成三族氮化物磊晶或半导体元件后转植到其他载板，相较使用碳化硅基板可大幅降低成本。
智能

[实用新型]半导体元件-CN202222762656.X有效
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件

[发明专利]低温磊晶成长的化学气相沉积仪-CN202210261248.8在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温磊晶成长的化学气相沉积仪，包括：一阳离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阳离子；一阴离子预裂解腔室，提供复数预裂解的阴离子；一气相沉积室，具有一顶部、一底部以及一中空作用腔，该气相沉积室更形成有至少一导通上述阳离子预裂解腔室和该中空作用腔的阳离子通道、至少一导通上述阴离子预裂解腔室和该中空作用腔的阴离子通道以及驱使上述阳离子和上述阴离子朝向上述中空作用腔顶部方向移动的驱动装置；以及至少一设置于上述气相沉积室接近上述顶部的载台，供至少一片三维半导体晶材基板朝向上述中空作用腔设置于前述载台。
低温成长化学沉积

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202211268678.9在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是一种半导体元件，包含有一二维半导体层、一二维金属导体层以及一金属层，二维半导体层是由二维半导体材料所形成，二维半导体材料具有一第一生成热(formationenergy)；二维金属导体层是由二维金属材料所形成且覆盖于该二维半导体层的表面，二维金属材料具有一第二生成热，第二生成热小于第一生成热；金属层是覆盖于二维金属导体层的表面；其中，二维金属导体层是由金属层中的阳离子与二维半导体层中的阴离子键结而成。借此，可有效降低二维材料与金属间的接触电阻，使二维材料能成功应用在场效晶体管等半导体元件上。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]具有铝酸镧系介电层的III-V族半导体元件及其制造方法-CN202111539287.1在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铝酸镧系介电层的III‑V族半导体元件的制造方法，该制造方法包括下列步骤：在一片基板上成形一III‑V族半导体通道层；在上述通道层上形成一阻障层；在上述阻障层上混层成形一La2‑xAlxO3铝酸镧层，其中该X小于1且大于等于0.1，上述源极和上述汲极是暴露于上述阻障层和上述铝酸镧层；以及在上述铝酸镧层上成形一源极、一汲极，以及一介于前述源极和前述汲极间的闸极。此外，本发明还涉及具有铝酸镧系介电层的III‑V族半导体元件。
具有铝酸镧系介电层 iii 半导体元件及其制造方法

[发明专利]III族氮化物半导体元件的欧姆接触的制造方法-CN202210049485.8在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种III族氮化物半导体元件的接触电阻的欧姆接触的制作方法。主要是使用氟化物气体等离子体进行蚀刻与表面处理，并进行退火处理以实现超低接触电阻的欧姆接触。此制造方法不会造成半导体通道表面损伤，整体制程相对简单，且制造出的III族氮化物半导体元件的可靠度佳，可应用于三族氮化物晶体管与二极管。
iii 氮化物半导体元件欧姆接触制造方法

[实用新型]环绕式栅极场效晶体管-CN202222044150.5有效
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本实用新型是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本实用新型可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。
环绕栅极晶体管

[发明专利]增强型III-V族半导体元件与其制造方法-CN202111326765.0在审
发明人：邱显钦;王祥骏;邱昭玮;何焱腾 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型III‑V族半导体元件及其制造方法，其包括：基板；形成于基板之上的缓冲层；形成于缓冲层的GaN的通道层；形成于通道层之上的AlGaN的阻障层；形成于阻障层之上的AlGaN的蚀刻停止层，其化学组成式为AlxGa(1‑x)N，其中0.4＝x＝0.7，且AlGaN的蚀刻停止层对应于源极与漏极区域的厚度小于AlGaN的蚀刻停止层对应于栅极区域的厚度；形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的栅极区域的pGaN层；以及分别形成于所述AlGaN的蚀刻停止层的源极区域与漏极区域上的源极与漏极。本发明实施例提供了增强型III‑V族半导体元件具有良好晶格匹配、高元件崩溃电压且动态电阻晶体管特性佳等优点。
增强 iii 半导体元件与其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法与集成电路结构-CN202210853475.X在审
发明人：周承翰;张书睿;何焱腾;吴家兴;彭凯钰;沈承宏;胡正明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法与集成电路结构，半导体装置包含多个2D半导体纳米结构、一栅极结构、一源极区及一漏极区。所述多个2D半导体纳米结构在一基板上方在一第一方向上延伸且配置于实质上垂直于该第一方向的一第二方向上。该栅极结构包围所述多个2D半导体纳米结构中的每一者。该源极区及该漏极区分别是在该栅极结构的相对侧上。
半导体装置及其形成方法集成电路结构

[实用新型]用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解装置-CN202221714032.4有效
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型是一种用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解装置，包含有一腔体、一导气管以及一加热装置，该导气管位于该腔体的容室内且具有一入口与一出口，通过该导气管的弯曲迂回状，使该气态前躯物能充分热裂解成离子(或原子)态前躯物，不仅可增加裂解效率、节省能源更能加速工艺。
用于化学沉积气态前躯物裂解装置

[发明专利]环绕式栅极场效晶体管-CN202210934332.1在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本发明可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。
环绕栅极晶体管

[实用新型]二维半导体材料化学气相沉积装置-CN202221649750.8有效
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型是一种二维半导体材料化学气相沉积装置，包含有一反应腔、至少一导气管以及一基板承载装置，该反应腔具有至少一入气口，该导气管位于该反应腔内且与该入气口连通，该导气管呈弯曲迂回状且具有一出气口，该基板承载装置位于该反应腔内且邻近该导气管的出气口。本实用新型可在低于习知方法的温度下执行，避免基板因温度过高而致变质或损坏。
二维半导体材料化学沉积装置

[发明专利]常闭式晶体管与其制造方法-CN202210060089.5在审
发明人： 何焱腾 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种常闭式晶体管，是为III‑V族晶体管，其包含：缓冲层；通道层，位于通道层之上；阻障层，位于通道层之上；源极、漏极与栅极，位于阻障层之上；以及阀值电压调整层，由还原的过渡金属氧化物构成，并位于栅极之下与阻障层之上。本发明实施例的常闭式晶体管制作简单，不需要额外的蚀刻而不会造成表面损伤，也不需要额外的掺杂(现有的P‑GaN闸需要掺杂)。
常闭式晶体管与其制造方法

[发明专利]用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解方法及其装置-CN202210752709.1在审
发明人： 何焱腾;陈乃榕 -专利权人：瑞砻科技股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明是一种用于化学气相沉积的气态前躯物的热裂解方法及其装置，该装置包含有一腔体、一导气管以及一加热装置，该导气管位于该腔体的容室内且具有一入口与一出口，据以执行如后的方法：步骤(a)，加热该腔体至250℃～650℃，且将该导气管抽气至真空；步骤(b)，将气态前躯物由该入口注入，该导气管呈弯曲迂回状，使该气态前躯物能在该导气管中充分受热而裂解为离子态或原子态前躯物；以及步骤(c)，该离子态或原子态前躯物由该出口输出，通过该导气管的弯曲迂回状，使该气态前躯物能充分热裂解成离子(或原子)态前躯物，不仅可增加裂解效率、节省能源更能加速工艺。
用于化学沉积气态前躯物裂解方法及其装置

1
2
下一页»
尾页
共 20 条