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[发明专利]AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件-CN201511029761.0有效
发明人：董彬忠;张武斌;艾海平;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括：衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的半导体器件包括：AlN模板和氮化物半导体层，所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上，AlN模板为前述AlN模板。方法包括：提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜；所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐增多的
aln 模板制备方法半导体器件

[发明专利]AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件-CN201511029957.X有效
发明人：董彬忠;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN模板、AlN模板的制备方法及AlN模板上的半导体器件，属于半导体技术领域。AlN模板包括衬底和在衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的半导体器件包括AlN模板和氮化物半导体层；所述AlN模板包括衬底和在所述衬底上沉积的AlN薄膜，所述氮化物半导体层沉积在所述AlN薄膜上；所述AlN模板为前述AlN模板。方法包括提供衬底；在衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括在衬底上沉积的第一AlN层，第一AlN层中掺有氧，且从第一AlN层与衬底界面到第一AlN层的表面的方向，第一AlN层中的氧的含量是逐渐减少的。
aln 模板制备方法半导体器件

[发明专利]一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法-CN202111129485.0在审
发明人：张骏;张毅;陈云;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种无裂纹AlN外延膜及其制备方法，该方法的步骤包括：在蓝宝石衬底上外延生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长AlN一次外延层；对AlN一次外延层远离蓝宝石衬底一侧进行图形化处理；在AlN一次外延层进行图形化处理的一侧外延生长高温AlN层，得到无裂纹AlN外延膜；AlN一次外延层由第一AlN层和第二AlN层交替生长形成，第一AlN层的生长温度大于第二AlN层的生长温度，第一AlN层的V/III比小于第二AlN层的V/III比。本发明通过在AlN缓冲层和高温AlN层之间引入AlN一次外延层，并对AlN一次外延层进行图形化处理，不仅使高温AlN层的均匀性显著提高，还能够很好地释放生长过程中积累的热应力，防止AlN薄膜开裂。
一种裂纹 aln 外延及其制备方法

[发明专利]AlN晶体衬底的制造方法、AlN晶体生长方法和AlN晶体衬底-CN200780025231.6有效
发明人：水原奈保;川濑智博;宫永伦正 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，由此能够制造大尺度、高品质的AlN晶体衬底；本发明提供了AlN晶体的生长方法，由此能够生长具有优异结晶度的大尺寸AlN；还提供了由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。本发明提供了AlN晶体衬底的制造方法，包括：相对于异质衬底的直径r，利用升华法在异质衬底上生长厚度为0.4r以上的AlN晶体的步骤；和从距所述异质衬底不少于200μm的AlN晶体区域内形成AlN晶体衬底的步骤另外，还提供通过升华法在利用该制造方法制造的AlN晶体衬底上生长AlN晶体的AlN晶体生长方法，并提供由通过该生长方法生长的AlN晶体构成的AlN晶体衬底。
aln 晶体衬底制造方法晶体生长

[发明专利]可协变应力AlN结构及其制备方法-CN201911126555.X有效
发明人：汪连山;李方政;姚威振;文玲;杨少延;魏鸿源;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本公开提供一种可协变应力AlN结构及其制备方法，所述可协变应力AlN结构自下而上包括：衬底；AlN成核层；可协变应力AlN区，包括多组可协变应力AlN组，每组所述可协变应力AlN组包括：一张应力AlN层，以及一压应力AlN层；所述制备方法包括：步骤S1：清洁衬底并进行氮化处理；步骤S2：在氮化处理后的衬底表面上制备AlN成核层；以及步骤S3：在AlN成核层上制备可协变应力AlN区，完成可协变应力AlN
可协变应力 aln 结构及其制备方法

[发明专利]AlN薄膜外延片和AlN薄膜的制备方法及应用-CN202310881419.1在审
发明人：李国强;衣新燕 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜外延片和AlN薄膜的制备方法及应用，先在硅衬底上沉积AlN缓冲层，可提高后续生长的AlN层的质量；在AlN层上生长抵抗层，由于抵抗层的晶格常数小于AlN层的晶格常数，在抵抗层生长后会对AlN层施加一个压应力，以缓解硅衬底对AlN层的张应力，同时，由于抵抗层的热膨胀系数大于AlN层的热膨胀系数，在降温过程中，抵抗层会对AlN层施加一个压应力，该压应力与硅衬底施加到AlN层的张应力起相反作用，从而缓解AlN层的张应力；因此，可减少AlN层的裂纹，从而能够在硅衬底上获得大厚度的AlN薄膜。
aln 薄膜外延制备方法应用

[发明专利]极性交替AlN模板的制备方法-CN202110716091.9在审
发明人：郭亚楠;蔡听松;刘志彬;闫建昌;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
极性交替 aln 模板制备方法

[发明专利]一种用于AlN晶体生长的籽晶-CN201310006222.X有效
发明人：韩杰才;宋波;金雷;张化宇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种用于AlN晶体生长的籽晶，它涉及一种用于AlN晶体生长的材料。它要解决现有采用自发成核难以获得大尺寸AlN晶体，采用异质籽晶方法生长出的AlN晶体杂质含量高的问题。用于AlN晶体生长的籽晶为经过退火工艺处理后的AlN陶瓷片。用于AlN晶体生长的籽晶还可以为经过退火工艺处理后再进行抛光处理的AlN陶瓷片，或者在抛光后的陶瓷片表面镀上AlN薄膜，以得到用于AlN晶体生长的籽晶。采用本发明用于AlN晶体生长的籽晶生长出的AlN晶体尺寸较大，杂质含量少。本发明主要应用于半导体器件中AlN晶体的生长。
一种用于 aln 晶体生长籽晶

[发明专利]一种AlN纳米片探测器及其制备方法-CN201811609129.7有效
发明人：李国强;黄烈根;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlN纳米片探测器及其制备方法。该AlN纳米片探测器包括衬底、AlN薄膜、AlN纳米片和叉指电极。其中，AlN纳米片由大量AlN纳米棒水平堆叠而成，且其形貌演变具有周期性。相对于其他的一维AlN纳米结构，本发明制备出的一维AlN材料为单晶材料，晶体质量高，内部缺陷少，因此该AlN纳米片探测器的暗电流大幅减小；同时，一维AlN材料密度非常均匀、形貌高度统一，因此该AlN纳米片探测器的制备加工相对容易
一种 aln 纳米探测器及其制备方法

[发明专利]一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底-CN202211452716.6在审
发明人：吴华龙;何晨光;张康;贺龙飞;廖乾光;刘云洲;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底，涉及半导体技术领域。首先提供基质衬底，然后基于基质衬底的表面沉积第一AlN层，再基于第一AlN层的表面沉积第二AlN层，并获取晶圆；其中，第一AlN层的致密性低于第二AlN层的致密性，接着将晶圆进行退火处理，以在基质衬底与第一AlN层的界面处形成空气孔洞，最后将基质衬底与第一AlN层剥离，以获取AlN衬底。本申请提供的AlN衬底制作方法、复合衬底以及AlN衬底具有提升衬底剥离良率和降低制备成本的优点。
一种 aln 衬底制作方法复合以及

[发明专利]具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法-CN202210921870.7在审
发明人：张骏;张毅;陈景文;岳金顺 -专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防开裂功能的AlN薄膜及其外延生长方法，该外延生长方法具体包括如下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长AlN缓冲层、第一AlN层、AlInN层和第二AlN层；在纯氢气氛围下进行退火处理，直至AlInN层中In完全脱离，并形成具有孔洞结构的AlN空隙层；在第二AlN层上继续生长第三AlN层，得到具有防开裂功能的AlN薄膜。本发明在沉积AlN膜层过程中，通过引入AlInN层并退火处理，使其形成具有孔洞结构的AlN空隙层，利用孔洞结构使后续AlN生长中热应力能够充分释放，能够很好地防止AlN膜层开裂并提升AlN膜层的生长质量
具有开裂功能 aln 薄膜及其外延生长方法

[发明专利]一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法-CN202010339063.5有效
发明人：刘锐森;蓝文新;刘召忠;林辉;杨小利 -专利权人：江西力特康光学有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于紫外LED的AlN缓冲层结构及其制作方法，所述制作方法包括：在衬底上生长形成第一AlN缓冲层；在第一AlN缓冲层上生长形成由多个不同温度生长的AlN子层层叠而成的第二AlN缓冲层；第二AlN缓冲层的生长温度大于第一AlN缓冲层的生长温度，且从靠近第一AlN缓冲层到远离第一AlN缓冲层的方向上，每层AlN子层的生长温度依次降低，V/III比依次增加。所述制作方法能改善AlN生长质量，减少AlN缓冲层与衬底热失配导致的翘曲和开裂，减少AlN缓冲层与后续生长的AlGaN材料的温差产生的降温过程的表面裂纹，所得AlN缓冲层晶体质量高，表面无裂纹，外延片可用面积多
一种用于紫外 led aln 缓冲结构及其制作方法

[发明专利]大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法-CN202010976152.0在审
发明人：周小伟;岳文凯;吴金星;李培咸;王燕丽;许晟睿;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法，大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括：选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底；分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层、常规蓝宝石衬底AlN外延层；将大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合，并进行高温退火；在高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上重复生长AlN层、高温退火处理直到高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上的AlN层达到预设厚度。本发明通过对生长AlN薄膜后的大角度斜切蓝宝石衬底进行退火处理，以在大角度斜切蓝宝石衬底上制备了高质量的AlN薄膜。
角度斜切蓝宝石衬底 aln 制备发光二极管及其方法

[发明专利]一种单一N极性AlN薄膜制备方法-CN202211414050.5在审
发明人：何晨光;吴华龙;张康;陈志涛;赵维;贺龙飞;刘云洲;廖乾光 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种单一N极性AlN薄膜制备方法，其包括以下步骤，S10：将第一模板覆盖在通过在耐高温的无硅衬底上沉积AlN薄膜得到的AlN模板中的AlN薄膜的上表面上，其中，第一模板含Al组分和N组分两者中的至少一者且耐高温；S20：将覆盖有第一模板的AlN模板进行高温退火，以在AlN薄膜中形成AlON层，和在所述AlN薄膜中的所述AlON层的两侧分别形成N极性AlN层和Al极性AlN层；S30：刻蚀去除AlON层和Al极性AlN层，以制得具有单一N极性AlN薄膜的AlN模板。由此，耐高温第一模板，可以避免AlN薄膜在高温退火的过程中出现分解或表面受损的问题；而且，可以通过去除AlN模板在高温退火过程中形成的Al极性AlN层和AlON层的方式获得具有单一N极性的AlN薄膜。
一种单一极性 aln 薄膜制备方法

[发明专利]深紫外发光二极管的外延片及其制备方法-CN202110601584.8有效
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，该外延片包括衬底和依次形成在衬底上的AlN反射层、AlN应力释放层、AlN模板层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层；AlN反射层为周期性结构，AlN反射层包括交替层叠的AlN膜层和AlON膜层，AlN膜层的折射率和AlON膜层的折射率不同；AlN应力释放层为周期性结构，AlN应力释放层包括交替层叠的多个第一AlN层和多个第二AlN层，第一AlN层采用物理气相沉积的方式生长，第二AlN层采用金属有机化合物化学气相沉积的方式生长，前若干个周期中的第二AlN层的生长温度低于剩余周期中的第二AlN层的生长温度。本公开能减少外延片的位错缺陷，改善外延片的晶体质量，且还能提高AlN膜层的反光效果，提升外延片的发光效率。
深紫发光二极管外延及其制备方法

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