专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310906528.4在审
  • 张雪;李美玲;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-10-27 - H01L33/44
  • 本发明提供一种LED芯片及其制备方法,LED芯片包括外延片以及设置在外延片上的P型电极和N型电极,外延片还包括绝缘阻挡层、以及沉积在P型电极和N型电极的表面上的钝化层、以及沉积在钝化层上的超疏水膜层;P型电极和N型电极与外延片之间均设有绝缘阻挡层;绝缘阻挡层在P型电极所在位置设有第一通孔,P型电极通过第一通孔与外延片电连接,绝缘阻挡层在N型电极所在位置设有第二通孔,N型电极通过第二通孔与外延片电连接。本发明主要通过在不改变封装打线面积的前提下拉大PN电极间距、以及表面膜层设计来减少水汽残留等手段,来解决水汽引发的短路及金属移异常的问题。
  • 一种led芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
  • 王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 - 重庆康佳光电技术研究院有限公司
  • 2022-04-11 - 2023-10-24 - H01L33/44
  • 本发明涉及一种微型发光芯片及其制作方法,包括:外延层,外延层包括第一半导体层,第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层;还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层;分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层,第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性;以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极。通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用,使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻,金属与半导体层之间的欧姆接触良好,提高了芯片的发光效率。
  • 一种微型发光芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-CN202311206423.4在审
  • 李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-24 - H01L33/44
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法;包括以下步骤:提供一衬底,在衬底上沉积隔离层,对隔离层进行刻蚀形成第一容纳槽;在第一容纳槽内沉积外延层;在隔离层上沉积Ag环层;在Ag环层上沉积Ag环保护层,在外延层上沉积电流阻挡层;对部分外延层进行刻蚀形成N型导电台阶;在电流阻挡层上沉积电流扩展层;在N型导电台阶上沉积N型电极,在电流扩展层上沉积P型电极;在电流扩展层上沉积布拉格反射层;对衬底底部进行刻蚀形成第一斜坡及第二斜坡。本发明利用隔离层隔离外延层,无需制备隔离槽隔离外延层,有效避免了因外延层非辐射复合的增加,从而导致外延层材料内量子效率降低的问题。
  • 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种显示器件制备方法、显示器件及显示设备-CN202310933704.3在审
  • 毛学;张珂 - 深圳市思坦科技有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-20 - H01L33/44
  • 本申请公开了一种显示器件制备方法、显示器件及显示设备,涉及半导体技术领域。显示器件制备包括:提供一初始架构,所述初始架构包括衬底及位于所述衬底一侧的多个功能台阶,所述多个功能台阶彼此相间隔;在所述初始架构靠近所述功能台阶的一侧制作钝化层,使相邻两所述功能台阶之间的间隙由所述钝化层填充;在所述钝化层上开设通孔,以暴露所述功能台阶远离所述衬底一侧的至少部分表面;在所述通孔位置连接接触电极。本申请制得的显示器件,可减少漏电问题的发生。
  • 一种显示器件制备方法设备
  • [发明专利]氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺-CN202310826990.3有效
  • 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-07-07 - 2023-10-20 - H01L33/44
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体公开一种氮化镓发光二极管外延片及其生长工艺,该生长工艺包括:提供衬底;在衬底上依次沉积缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层及P型层;其中,P型层包括沿外延方向依次层叠的第一复合层及第二复合层,第一复合层包括第一P型GaN层及第一阶梯保护层,第二复合层包括第二P型GaN层及第二阶梯保护层;第一阶梯保护层包括沿外延方向依次层叠的第一AlN子层、Ga2O3子层及BN子层;第二阶梯保护层包括沿外延方向依次层叠的第二AlN子层、SiO2子层及Si3N4子层。有效确保对GaN材料进行高浓度Mg掺杂及高温退火后仍然能够形成高质量晶体,提升发光效率。
  • 氮化发光二极管外延及其生长工艺
  • [发明专利]紫外发光二极管芯片及其制备方法-CN202111552853.2有效
  • 徐盛海;刘源;张威;林凡 - 华灿光电(浙江)有限公司
  • 2021-12-17 - 2023-10-13 - H01L33/44
  • 本公开提供了一种紫外发光二极管芯片及其制备方法,包括:衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、反射镜层、第一电极和第二电极;第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层依次层叠于衬底的表面,第二半导体层的表面具有露出第一半导体层的凹槽,第一电极位于凹槽内且与第一半导体层接触,第二电极位于第二半导体层的表面;反射镜层包括依次层叠在第二半导体层的表面上的第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层,第一绝缘层、金属反射层和第二绝缘层均延伸至凹槽内,第一绝缘层部分位于第一电极和第二电极表面。本公开能提升紫外发光二极管芯片的发光效果,且有效防止封装后锡扩散而导致漏电的问题,提高芯片的可靠性。
  • 紫外发光二极管芯片及其制备方法
  • [实用新型]显示设备-CN202320763263.2有效
  • 玄珍浩;成宇鏞 - 三星显示有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-10-13 - H01L33/44
  • 本申请涉及显示设备。显示设备包括:发光元件,设置在衬底的第一表面上;连接电极,设置在衬底的第二表面上;第一保护层,设置在连接电极上;以及第二保护层,设置在第一保护层上。第二保护层的表面粗糙度大于第一保护层的表面粗糙度。
  • 显示设备
  • [发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202310891300.2在审
  • 赵旭;王仙翅;李玉琴 - 武汉天马微电子有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-10-10 - H01L33/44
  • 本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板的第一区域包括像素区;显示面板还包括:第一有机膜层,包括位于像素区的第一有机分部;连接电极,位于第一有机分部的一侧;黑色素定义层,黑色素定义层包括位于像素区的第一定义分部,第一定义分部包括露出连接电极的第一开口;第二有机膜层,第二有机膜层包括位于像素区的第二有机分部,第二有机分部覆盖黑色素定义层的侧壁以及黑色素定义层远离第一有机膜层一侧的表面;第一键合结构,位于第一开口内且与连接电极接触电连接;无机结构,位于第二有机膜层远离黑色像素定义层的一侧,无机结构存在位于第一区域的第一无机分部,通过本发明可有效保证显示面板的结构稳定及其显示效果。
  • 一种显示面板及其制备方法显示装置
  • [实用新型]一种具有高强度钝化层的LED芯片-CN202321196087.5有效
  • 周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2023-05-17 - 2023-10-03 - H01L33/44
  • 本实用新型涉及半导体器件技术领域,尤其涉及一种具有高强度钝化层的LED芯片,所述LED芯片包括对称设置的芯片单元及切割道,所述切割道位于所述芯片单元之间,所述芯片单元的上端覆盖有钝化层,所述钝化层延伸至所述切割道上,并与另一所述芯片单元位于所述切割道上的所述钝化层之间留有间隙形成第一凹槽,所述第一凹槽内设有等离子喷涂‑激光重熔层,所述等离子喷涂‑激光重熔层从所述第一凹槽的两侧延伸至所述钝化层的上端。在本实用新型中,通过在第一凹槽设置等离子喷涂‑激光重熔层,并将切割道内的钝化层的覆盖保护起来,使得芯片在沿第一凹槽切割分选测试封装时不易使钝化层开裂,保证了LED芯片的发光稳定性。
  • 一种具有强度钝化led芯片

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