专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]发光二极管-CN201420009173.5有效
  • 郑远志;盛成功;陈向东;康建;梁旭东 - 圆融光电科技有限公司
  • 2014-01-07 - 2014-06-25 - H01L27/15
  • 本实用新型提供一种发光二极管,包括衬底,以及设置在衬底上的发光二极管芯片组件;其中,发光二极管芯片组件包括第一发光二极管芯片和第发光二极管芯片;第一发光二极管芯片与第发光二极管芯片分隔且反向并联设置第一发光二极管芯片与第发光二极管芯片互为反向保护,从而提高发光二极管的反向耐压性能,降低发光二极管的失效率。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201310155067.8有效
  • 蔡明达;张忠民 - 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
  • 2013-04-29 - 2017-02-08 - H01L33/40
  • 一种发光二极管,包括基板、设置于基板上的反射杯、设置于反射杯内的发光二极管晶粒以及电连接至发光二极管晶粒的第一电极和第电极,该发光二极管晶粒为垂直元件,该第一电极为金属电极,该第电极为透明电极,该金属电极直接接触该发光二极管晶粒底部的电极,该透明电极直接接触该发光二极管晶粒顶部电极。本发明提供的发光二极管,其发光二极管晶粒是直接与金属电极以及透明电极接触而形成电连接的,封装过程中无需使用导线,反射杯无需为导线预留空间,因此可以做成薄型化的发光二极管
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201210335502.0无效
  • 段忠;郑兆祯;施逸丰 - 旭明光电股份有限公司
  • 2012-09-11 - 2014-03-26 - H01L27/15
  • 本发明是一种发光二极管,包括:一第一发光二极管晶粒、一第发光二极管晶粒以及一第三发光二极管晶粒分别具有一第一半导体层、一第半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第半导体之间的一多重量子井层,该第发光二极管设置在该第一发光二极管晶粒以及该第三发光二极管晶粒之间其中,该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第发光二极管晶粒的第半导体层相耦接,该第发光二极管晶粒的第一半导体层与该第三发光二极管的第一与第半导体层相耦接。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201010570711.4无效
  • 曾坚信 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2010-12-02 - 2012-06-06 - H01L25/075
  • 本发明涉及一种发光二极管,包括第一晶粒组、第晶粒组以及光波长转换物质,该第一晶粒组包括多个红光发光二极管晶粒,该第晶粒组包括多个蓝光发光二极管晶粒,该光波长转换物质含有能由蓝光激发发出可见光的荧光粉材料,该光波长转换物质设置在蓝光发光二极管晶粒的出光路径上,该多个蓝光发光二极管晶粒的总发光面积大于该多个红光发光二极管晶粒的总发光面积。该种发光二极管的色域广、演色性高,且该种发光二极管所包含的晶粒种类少、成本较低。
  • 发光二极管
  • [实用新型]发光二极管-CN200620106600.7无效
  • 翁金荣 - 翁金荣
  • 2006-08-11 - 2007-08-22 - H01L25/00
  • 本实用新型公开了一种发光二极管,其主要用途为照明。本实用新型包括封装座、至少一个第一发光二极管芯片、导电基板和黄色荧光层,封装座上设有光反射器,导电基板固定在封装座上,第一发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片,该第一发光二极管芯片固定在封装座上,黄色荧光层设置在第一发光二极管芯片的上方,其中发光二极管还包括至少一个第发光二极管芯片,第发光二极管芯片的波长为580-640nm,该第发光二极管芯片固定在封装座上,第一发光二极管芯片、第发光二极管芯片及导电基板之间相互电气连接在一起
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201210316440.9无效
  • 段忠;郑兆祯;施逸丰 - 旭明光电股份有限公司
  • 2012-08-30 - 2014-03-26 - H01L27/15
  • 本发明是一种发光二极管,包括一第一发光二极管晶粒以及一第发光二极管晶粒,其分别具有一第一半导体层、一第半导体层以及设置于该第一半导体层以及该第半导体之间的一多重量子井层。其中,该第一发光二极管晶粒的第一半导体层与该第发光二极管晶粒的第半导体层相耦接以形成串接的结构,因此发光二极管整体所需的电流减少,进而降低发光二极管的所产生的热度,并可进一步缩小散热片的尺寸,以提高发光二极管发光亮度
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN02105369.3无效
  • 吴祖业;潘泽润 - 成都佳禾光电有限公司
  • 2002-02-27 - 2002-10-02 - H01L33/00
  • 一种发光二极管,是由正负极管脚和连在正负极管脚的发光二极管晶片构成;发光二极管负极管脚上端有一凹槽,发光二极管晶体安装在凹槽内,发光二极管正极管脚上端用一导线与负极凹槽内的发光二极管晶片相连;其特征在于还包括一圆柱形塑胶体,将正负极管脚上端和发光二极管晶片封装,该圆柱体顶面凸设有一凸弧面,圆柱体外径为8mm,高度为4mm,凸弧面的弧半径为5mm,起点角为38度,终点角为142度。
  • 发光二极管
  • [实用新型]发光二极管-CN02206349.8无效
  • 吴祖业;潘泽润 - 成都佳禾光电有限公司
  • 2002-02-27 - 2002-12-04 - H01L33/00
  • 一种发光二极管,是由正负极管脚和连在正负极管脚的发光二极管晶片构成;发光二极管负极管脚上端有一凹槽,发光二极管晶体安装在凹槽内,发光二极管正极管脚上端用一导线与负极凹槽内的发光二极管晶片相连;其特征在于还包括一圆柱形塑胶体,将正负极管脚上端和发光二极管晶片封装,该圆柱体顶面凸设有一凸弧面,圆柱体外径为8mm,高度为4mm,凸弧面的弧半径为5mm,起点角为38度,终点角为142度。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201110109319.4无效
  • 李佳恩 - 隆达电子股份有限公司
  • 2011-04-25 - 2012-09-19 - H01L33/44
  • 本发明提供一种发光二极管,上述发光二极管包括一基板;一发光二极管结构,设置于上述基板上;一第一电极,设置于上述发光二极管结构的一第一表面上;一第电极,设置于上述发光二极管结构的一第表面上;一指状导电层,邻接于上述第一电极,且延伸设置于上述第一表面上,其中上述指状导电层具有远离于上述第一电极的一末端部分;一静电保护层,设置于上述指状导电层和上述发光二极管结构之间或上述第一电极和上述发光二极管结构之间。本发明提供的发光二极管,同时具有有效帮助电流扩散以及防止静电击穿及电极烧毁等优点。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201010240174.7无效
  • 林升柏 - 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
  • 2010-07-29 - 2012-02-08 - H01L33/56
  • 一种发光二极管,其包括一个封装基板、一个发光二极管晶粒以及一个封装层。所述封装基板上设置有电路结构。所述发光二极管晶粒设置在封装基板上,该发光二极管晶粒的正、负电极与封装基板上的电路结构形成电连接。所述封装层覆盖所述发光二极管晶粒以及该封装基板的至少部分表面,该封装层及该封装基板的材质为环脂肪族环氧化物。该发光二极管使用同质性的材料使封装层与封装基板之间具有高密合度,同时使得该发光二极管工作寿命长、耐高温且不容易黄化。
  • 发光二极管

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