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[发明专利]一种GaN器件欧姆接触的改良方法-CN201910095568.9有效
发明人：郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN器件欧姆接触的改良方法，其特征在于，包括：制备GaN器件，其中，所述GaN器件具有欧姆接触电极；在预设能量、预设剂量、预设温度、预设压强和预设时间下，对所述欧姆接触电极进行质子辐照。本发明实施例通过对GaN器件的欧姆接触电极进行一定程度的质子辐照，减小了欧姆接触电极的电阻，进而减小了有源区的方块电阻和比接触电阻，使得欧姆接触电极上的压降减小，从而增大了异质结沟道区域的压降，因此，质子辐照提升了欧姆接触电极的性能
一种 gan 器件欧姆接触改良方法

[发明专利]一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法-CN201711344193.2有效
发明人：黄火林;孙仲豪;曹亚庆;李飞雨;胡礼中 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法，本发明采用半导体欧姆接触各电极间距相同，而电极宽度不同的方案，由此带来了新的更加准确的欧姆接触电阻计算模型。方案简单、易用、准确，由于在该方案中考虑到实际情况中金‑半接触下方材料本身的方块电阻变化，相对于传统方案，获得的实验数据更加准确，能够满足实际工艺变化的要求，因此是一种更加有效的评估欧姆接触特性的技术方案本技术方案模型能够对欧姆接触电极进行全面评估，同时准确提取电极间材料的方块电阻、接触电极下方材料的方块电阻以及比接触电阻率等参数，对半导体器件的设计参考具有积极的指导性意义。
一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法

[发明专利]n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管-CN202011217956.9在审
发明人：刘志宏;朱肖肖;张进成;王泽宇;郎英杰;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管，其中，所述n型AlN欧姆接触结构包括晶圆结构和欧姆接触电极，其中，所述欧姆接触电极设置于所述晶圆结构上，所述晶圆结构包括自下而上依次设置的衬底层本发明使用n型掺杂的渐变AlGaN层，降低了欧姆接触电极与AlN之间的势垒高度，从而实现欧姆接触电极与n型AlN之间较低的欧姆接触电阻，有效降低了金属电极与n型AlN的欧姆接触电阻阻值。
aln 欧姆接触结构肖特基二极管场效应晶体管

[发明专利]一种基于相变材料的分立式射频开关元件-CN202310415014.9在审
发明人：马燕利;陈强;付云起;郑月军;王忠宝;帅陈杨;郭田田;马欣瑜;丁亮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：所述分立式射频开关元件自上而下依次包括衬底、相变材料、信号传输电路欧姆接触电极、隔离层、加热电阻、加热控制电路欧姆接触电极、钝化层和封装外壳；信号传输电路欧姆接触电极与相变材料相连；加热控制电路欧姆接触电极与加热电阻相连；信号传输电路欧姆接触电极和加热控制电路欧姆接触电极均具有长引线和由内向外逐渐张开的扇形结构；信号传输电路欧姆接触电极伸出封装外壳形成四个端口用于接入射频电路；加热控制电路欧姆接触电极伸出封装外壳形成两个端口用于接入外部电激励信号
一种基于相变材料立式射频开关元件

[发明专利]射频相变开关-CN202011595317.6在审
发明人：郭艳敏;房玉龙;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;王元刚;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频相变开关，属于微波开关器件技术领域，自下至上依次包括：衬底、衬底隔离层、散热层、加热电阻、加热电阻隔离层、相变材料、钝化层、信号传输电路欧姆接触电极和加热控制电路欧姆接触电极，信号传输电路欧姆接触电极与相变材料相连，加热控制电路欧姆接触电极与加热电阻相连。本发明提供的射频相变开关，在衬底隔离层和加热电阻之间设置散热层，可以将加热电阻产生的热量从下方快速散去，提高开关速度，缩短开关时长，提高器件的灵敏性。
射频相变开关

[发明专利]一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件-CN201610240036.6有效
发明人：周建军;孔月婵;孔岑;郁鑫鑫;张凯;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO₂；(3)定义欧姆接触区域；(4)制备Ni刻蚀阻挡层；(5)刻蚀SiO、超晶格层；(6)去除Ni刻蚀阻挡层；(7)生长AlGaN/GaN异质结；(8)去除SiO₂；(9)定义欧姆接触区域；(10)蒸发/剥离/低温退火形成欧姆接触。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差、接触电阻率高等缺点，提出在欧姆接触区域引入超晶格结构解决上述问题，具有(1)接触电阻率低；(2)欧姆接触金属表面形貌质量高的优点。
一种基于再生技术降低 gan hemt 器件欧姆接触电阻方法

[发明专利]金刚石材料欧姆接触电极及其制备方法和应用-CN201510125353.9有效
发明人：王玮;王宏兴;胡超;李硕业;刘璋成;李奉南;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：王宏兴
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石材料欧姆接触电极，包括金刚石材料基底，金刚石材料表面设有欧姆接触电极，欧姆接触电极包括三层金属电极层，其中接触金刚石材料基底的第一电极层为Pd金属层，位于中间的第二电极层为互扩散性较差的金属层该欧姆接触电极能够有效地降低比接触电阻率，增加金属与金刚石材料的粘附性，获得较好的热稳定性，进而提升电子元件的电学性能；该制备方法以及包含使用该欧姆接触电极结构和制备方法的电子元件，可以降低欧姆接触的比接触电阻率，提高欧姆接触的热、化学稳定性，提升电子元件的电学性能。
金刚石材料欧姆接触电极及其制备方法应用

[发明专利]无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法-CN202111136252.3在审
发明人：蒋洋;汪青;于洪宇;郑韦志;杜方洲 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，属于射频器件领域。该形成于半导体器件的外延结构上的无金欧姆接触电极包括：接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；金属帽层，堆叠于所述接触层之上。其中，接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。该无金欧姆接触电极具有低的欧姆接触电阻，从而在基于其制作射频器件时，可以降低导通电阻，进而有助于获得输出功率的改善的效果。
欧姆接触电极半导体器件射频器件及其制法

[发明专利]一种接触电阻率和沟道迁移率的测试结构和测试方法-CN201911395660.3有效
发明人：陈施施;张新河;杨安丽;温正欣;高博;张国旗 -专利权人：深圳第三代半导体研究院
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件特性测量领域，提出了一种接触电阻率和沟道迁移率的测试结构及测试方法,由若干欧姆接触电极和多组栅氧结构组成,包括N+衬底，其上方依次为N‑外延层，P阱区，若干N+注入区，栅氧化层，栅极，若干欧姆接触电极。欧姆接触电极位于N+注入区上方，和N+注入区形成欧姆接触。栅氧化层和栅极分别叠置于P阱区之上，且横跨相邻的N+注入区。本发明还给出了测试图形的制备方法，其制备工艺和碳化硅VDMOSFET器件完全兼容。本发明的测试方法主要包括，首先测试并拟合获得欧姆接触电阻率，接着考虑到高的欧姆接触电阻对器件导通特性的影响，获得准确的MOS沟道端电压，并计算获得准确的沟道载流子迁移率。
一种接触电阻率沟道迁移率测试结构方法

[发明专利]一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法-CN201510751699.X在审
发明人：刘新宇;赵妙;许恒宇;裴紫微;金智;李俊峰;万彩萍 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法，包括：在SiC外延片上依据TLM模版制备欧姆接触传输线测试图形；对TLM测试图形进行测试分析；给出TLM施加应力前后器件欧姆接触电阻率和薄层电阻的变化；对应力后的样品进行SEM测试分析；结合器件欧姆接触在应力前后的参数变化以及SEM测试分析结果，得到SiC基MOSFET器件的欧姆接触。本发明实施例在SiC外延材料上采用Ti/Al合金制作TLM测试图形，获得P型器件欧姆接触的接触电阻率和方块电阻，最终实现对SiC基MOSFET器件欧姆接触的制备，成本低廉，工艺简单，重复性好，可靠性高。
一种 sic mosfet 器件欧姆接触制备方法

[发明专利]一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法-CN201110127037.7有效
发明人：宋建博;张志国;于峰涛;王勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法，其特征在于在欧姆接触金属种引入难容的Mo金属，形成TiAlNiMoAu组合，在相同的合金条件下降低了合金后的表面粗糙度和比接触电阻率。该方法利用Mo的低扩散性，以及匹配的二元合金相，既实现了低接触电阻又降低了合金后欧姆接触的粗糙度，又有助于提高工艺中光刻工艺的套刻精度，减小工艺步骤，提高欧姆接触的稳定性，为器件工艺实用化打下坚实的基础
一种接触电阻粗糙欧姆制作方法

[发明专利]具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法-CN200310118244.1无效
发明人：赖穆人;洪详竣 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法，其先于P－型氮化镓欧姆接触层上形成一金属导电层并经由高温合金降低其与P－型氮化镓欧姆接触层之间的接触电阻，接着于此低接触电阻的金属导电层上制作一高反射率的网状金属导电层并经由高温合金降低其与低接触电阻的金属导电层之间的接触电阻
具有网状金属导电发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法-CN200710178771.X有效
发明人：吴茹菲;张海英;尹军舰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10^-6Ω·cm²。
一种制备型砷化镓欧姆接触方法

[发明专利]叉指型变容二极管及其制备方法-CN202310954490.8在审
发明人：付兴中;侯钧杰;周国;宋洁晶;李保第;戴峰;胡泽先;刘亚亮;张力江;崔玉兴 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明提供一种叉指型变容二极管及其制备方法，其中，制备方法包括在P型欧姆接触层上的第一预设区域制备第一叉指P型欧姆接触电极；对设有第一叉指P型欧姆接触电极的P型欧姆接触层进行刻蚀，使得刻蚀后得到的刻蚀台面的侧壁与N型欧姆接触层之间有一夹角；在N型欧姆接触层上的第二预设区域和第三预设区域分别制备第二叉指N型欧姆接触电极和第三叉指N型欧姆接触电极；对设有第二叉指N型欧姆接触电极、第三叉指N型欧姆接触电极和第一叉指P型欧姆接触电极的N型欧姆接触层进行刻蚀，直至露出半绝缘衬底；然后半绝缘衬底上生长金属层，以形成叉指型变容二极管。本发明制备的变容二极管具有较小的电容和电阻。
叉指型变容二极管及其制备方法

[发明专利]P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法-CN201610497847.4在审
发明人：张林;张赞;高恬溪;朱玮 -专利权人：长安大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型SiC电流增强层，P型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，沟槽内设置有N型SiC欧姆接触区，N型SiC欧姆接触区与台阶侧面、沟槽底部和P型SiC欧姆接触层均接触，位于沟槽底部的N型SiC欧姆接触区的上部设置有第一N型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极、第一N型欧姆接触电极和第二N型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。
碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

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