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[实用新型]一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器-CN201320460221.8有效
发明人：刘秀娟;张燕;李向阳;王立伟;卢怡丹;常超 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有双层钝化膜的AlGaN基紫外探测器，器件结构为：在蓝宝石衬底上依次为AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型AlGaN层、p型AlGaN层、下层Si3N4钝化膜、上层Si3N4钝化膜，n欧姆接触电极位于n型AlGaN层上，p欧姆接触电极位于p型AlGaN层上。本实用新型的优点在于AlGaN基紫外探测器中钝化膜应力低、致密度高、耐腐蚀。
一种具有双层钝化 algan 紫外探测器

[发明专利]一种硅基LED外延结构及其制备方法和应用-CN202110915336.0在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：所述硅基外延结构从下至上包括硅基衬底、第一缓冲层、AlGaN1插入层、第二缓冲层、AlGaN2插入层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层和P型AlGaN层。本发明通过设置AlGaN1插入层和AlGaN2插入层，避免了硅基衬底和GaN之间的晶格失配以及热形变差产生的应力会使LED外延片发生翘曲现象，控制了硅基外延结构的翘曲，从而提高了波长良品率。
一种 led 外延结构及其制备方法应用

[发明专利]一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法-CN201811022401.1有效
发明人：王淑姣;芦玲;祝光辉;陈明 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高氮化镓基LED发光二极管亮度的外延片及生长方法，以图形化蓝宝石为衬底，在其表面依次生长AlN缓冲层、本征GaN层、n型GaN层、发光层、低温p型AlGaN电子阻挡层、新型高温p型氮化镓超晶格层和p型接触层。本发明新型高温P氮化镓层通过采用长速渐变的超晶格生长方法，提高了镁原子的掺杂效率，使得p型层中空穴浓度增加；采用镓源间断开关的长法，一定程度上增加了外延片的外量子效率；起始在较低长速下生长一层薄的p层能够在较大程度上缓解p型AlGaN电子阻挡层与高温p型氮化镓层之间的应力，提升GaN发光效率；在最后1段高温超晶格层中通入Al源，进一步增加了对电子的阻挡作用。
一种提高氮化 led 发光二极管亮度外延生长方法

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法-CN202310101285.7有效
发明人：舒俊;张彩霞;程金连;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，该紫外发光二极管包括层叠设置于所述缓冲层上的多孔AlGaN层、第一AlGaN渐变层与第二AlGaN渐变层，所述多孔AlGaN层上设有应力释放孔，所述第一AlGaN渐变层为Al组分递减、Si掺杂浓度递增的渐变AlGaN材料，且填充所述多孔AlGaN层的所述应力释放孔，所述第二AlGaN渐变层为Al组分递增、Si掺杂浓度递减的渐变AlGaN材料，所述N电极层叠设于所述第一AlGaN渐变层远离所述多孔AlGaN层的一侧表面。本发明旨在提升N型半导体层的掺杂效率以及载流子浓度，以提升紫外发光二极管的发光效率。
一种紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法-CN201810436882.4在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在Si衬底上的AlGaN基深紫外LED外延片及其制备方法，该AlGaN基深紫外LED外延片为在Si(111)衬底上自下而上依次生长有AlN缓冲层、非故意掺杂AlGaN层、SiNx插入层、n型掺杂的AlGaN层、Al0.45Ga0.55N/Al0.55Ga0.45N多量子阱层、AlGaN电子阻挡层，p型掺杂的AlGaN层和p型掺杂的GaN层。该方法包括以下步骤:采用磁控溅射法生长AlN缓冲层；然后再采用金属有机物气相沉积法生长其余各层。
深紫外LED 生长外延片衬底制备生产周期磁控溅射法电子阻挡层多量子阱层金属有机物气相沉积法杀菌消毒外延材料插入层可用医疗器械掺杂预警申请军事

[发明专利]InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法-CN200810055348.5有效
发明人：冯志宏;刘波;尹甲运 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-07-07 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种InAlN缓冲层生长AlN和AlGaN的方法，其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量AlN和AlGaN，该方法采用下述工艺步骤：(1)在衬底上直接生长InAlN缓冲层或者生长完AlN或AlGaN形核层后再生长InAlN缓冲层；(2)在InAlN缓冲层上生长高质量的AlN或AlGaN结晶层；(3)进行器件结构的多层生长。利用本方法生长AlN或AlGaN晶体时，能降低材料的位错密度，改善界面平整度，提高材料的质量；同时增大生长窗口，使材料生长更容易，进而改善日盲型的紫外探测器件的性能，大大提高我国探测器件的武器装备水平。
inaln 缓冲生长 aln algan 方法

[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201310611611.5在审
发明人：唐武;贾东旺 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明解决了现有AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中，电子容易溢出沟道进入缓冲层，从而降低沟道夹断性能的问题，提供了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其技术方案可概括为：一种氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层及AlGaN势垒层，其特征在于，还包括AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层设置在氮化镓缓冲层与氮化镓沟道层之间，所述AlGaN背势垒层中，Al原子组分含量沿氮化镓成核层向氮化镓沟道层方向由零逐渐增加至一固定数值
一种氮化电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种深紫外LED-CN201710600453.1在审
发明人：何苗;黄波;王成民;王润;周海亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种深紫外LED，包括衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。
一种深紫 led

[实用新型]一种深紫外LED-CN201720898806.6有效
发明人：何苗;黄波;王成民;王润;周海亮 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种深紫外LED，包括：衬底；位于所述衬底表面的未掺杂的缓冲层；位于所述未掺杂的缓冲层背离所述衬底表面的N型AlGaN层；位于所述N型AlGaN层背离所述衬底表面的多量子阱结构；位于所述多量子阱结构背离所述衬底表面的V型Al组分渐变的P型AlGaN结构，所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构采用极化掺杂，且其中所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构中的Al组分与所述多量子阱结构的Al组分不同；位于所述V型Al组分渐变的P型AlGaN结构背离所述衬底表面的P型GaN层。由于V型Al组分渐变的P型AlGaN结构能够获得更高浓度的空穴，从而提高紫外LED的内量子效率和发射功率。
一种深紫 led

[发明专利]一种降低GaN HEMT器件温度的结构-CN202211187070.3在审
发明人：赵宏美;张园园;肖晓军;陈桥梁;李铁生 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明其结构具有GaN梯形微阱和AlGaN矩形微阱，主要用于降低器件温度，器件结构从底部到顶部依次为：衬底、GaN梯形微阱、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、AlGaN矩形微阱、钝化层、源极、栅极、漏极，其中栅极与AlGaN势垒层构成肖特基接触，源极和漏极与GaN缓冲层构成欧姆接触。GaN梯形微阱能增加缓冲层和衬底界面的热扩散面积，具有减小界面热阻的作用，AlGaN矩形微阱具有调制沟道温度分布的作用。
一种降低 gan hemt 器件温度结构

[发明专利]一种基于原位刻蚀的Si基GaN外延生长方法-CN202310111940.7在审
发明人：潘磊;柳俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位刻蚀的Si基GaN外延生长方法，包括如下步骤：在Si衬底表面生长AlN缓冲层；原位刻蚀部分AlN缓冲层；退火重结晶，形成纳米3D岛状AlN模板；在3D岛状AlN模板上外延生长AlGaN缓冲层；在AlGaN缓冲层上外延生长AlGaN/GaN超晶格缓冲层；在AlGaN/GaN超晶格缓冲层上外延生长GaN层。
一种基于原位刻蚀 si gan 外延生长方法

[发明专利]一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法-CN201810025970.5在审
发明人：梁世博 -专利权人：北京华碳科技有限责任公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件包括衬底及外延层，外延层从下至上依次包括缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型AlGaN势垒层，还包括AlGaN氧化层、钝化层、源漏金属层和栅金属层。源漏金属层蒸镀在源漏极区域的AlGaN势垒层之上，栅金属层叠置在P型AlGaN势垒层之上，AlGaN氧化层侧壁与P型AlGaN势垒层侧壁相接，AlGaN氧化层处于源漏极和P型AlGaN势垒层之间。本发明的P型AlGaN作为栅极势垒层可以将栅极沟道处的二维电子气耗尽，该HEMT器件为增强型；可以实现自对准氧化，同时避免了刻蚀P型AlGaN单晶层时带来的离子损伤等问题。
势垒层增强型HEMT器件源漏金属层外延层氧化层制备二维电子气氧化层侧壁源漏极区域离子损伤栅极沟道栅金属层单晶层钝化层缓冲层源漏极增强型栅金属自对准侧壁衬底刻蚀蒸镀耗尽

[发明专利]应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法-CN201310193364.1有效
发明人：云峰;王越;黄亚平;田振寰;王宏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应变超晶格包括p型AlGaN层及AlyGa1-yN/AlxGa1-xN。AlGaN的能带在极化电场的作用下整体向低能量方向移动，超晶格结构再与重掺杂的n型AlGaN接触后形成p-AlGaN/SSL/n*-AlGaN隧道结，p型AlGaN价带中的电子在外电场的作用下，通过隧道效应隧穿到n型AlGaN一侧，在p型AlGaN形成空穴。表层材料由p型AlGaN变为n-AlGaN，避免了p型欧姆接触的问题。
应变晶格隧道紫外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种增强型氮化镓HEMT器件结构-CN200710017897.9有效
发明人：张乃千 -专利权人：张乃千
申请日： 2007-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该器件结构采用AlGaN作为器件的缓冲层，其上是GaN沟道层。沟道层上是双层AlGaN隔离层，其中下层AlGaN的铝组分与AlGaN缓冲层的铝组分接近，而上层AlGaN的铝组分更高。在源极和漏极之间用干法刻蚀将最上一层高铝组分AlGaN层刻蚀出槽，金属沉积在刻槽中形成栅极。刻槽下的AlGaN层因为极化电场不强，无法在沟道中诱导出二维电子气。
一种增强氮化 hemt 器件结构

[发明专利]一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法-CN201910773840.4在审
发明人：廖宸梓;王柏钧;陈宪冠;叶顺闵 -专利权人：聚力成半导体（重庆）有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构及其制备方法，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构
衬底氮化镓器件多层缓冲层外延层缓变制备热膨胀产品利用结构形成外延结构匹配性最底层最顶层多层晶格翘曲蓄积

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