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[发明专利]高性能射频开关-CN201680048254.8有效
发明人：马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯 -专利权人：泰戈尔技术股份有限公司;马尼沙·N·沙哈;阿米塔瓦·达斯
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：HEMT单元包括彼此串联地电连接的两个或更多个氮化镓(“GaN”)高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件。HEMT单元包括HEMT单元漏极、HEMT单元源极和HEMT单元栅极。HEMT单元漏极与该串联中的第一个GaN HEMT器件的漏极连接。HEMT单元源极与该串联中的最后一个GaN HEMT器件的源极连接。HEMT单元栅极连接到与第一个GaN HEMT器件的栅极连接的第一二维电子气(“2DEG”)栅极偏置电阻器。HEMT单元栅极连接到与第二GaN HEMT器件的栅极连接的第二2DEG栅极偏置电阻器。第一和第二2DEG栅极偏置电阻器位于HEMT单元的2DEG层中。还公开了一种多掷RF开关。
性能射频开关

[发明专利]共源共栅半导体装置和制造方法-CN202011589335.3在审
发明人：里卡多·杨多克;罗伯特·蒙哥马利;亚当·罗西略 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置，包括：引线框；晶片焊盘，其附着到引线框；HEMT晶片，其附着到晶片焊盘，HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极，其中，该装置还包括MOSFET晶片，该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极，MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极，其中，MOSFET漏极连接到HEMT源极，其中，MOSFET源极包括MOSFET源极夹片，其中，MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极，其中，通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。
共源共栅半导体装置制造方法

[发明专利]一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路-CN202110754326.3在审
发明人：罗景涛 -专利权人：西安众力为半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路，包括陪测GaN HEMT功率器件、待测GaN HEMT功率器件和钳位电路；陪测GaN HEMT功率器件和待测GaN HEMT功率器件组成半桥结构，且陪测GaN HEMT功率器件做半桥结构的上桥，待测GaN HEMT功率器件做半桥结构的下桥；钳位电路的输入端与待测GaN HEMT功率器件的漏极和源极相连接。本方案可以清晰地表征GaN HEMT功率器件在实际使用过程中连续的动态电阻特性，从而能够定量评估GaN HEMT功率器件在实际应用中的动态电阻，准确地估算导通损耗，可以促进GaN HEMT功率器件的大规模量产化应用
一种 gan hemt 功率器件动态电阻测试电路

[发明专利]一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法-CN202310555610.7在审
发明人：余晨辉;王鑫;祖源泽;孟雨欣;罗曼 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法，包括增强型InAs HEMT和耗尽型GaN HEMT，所述增强型InAs HEMT的漏极与耗尽型GaN HEMT的源极电连接；所述增强型InAs HEMT的源极与耗尽型GaN HEMT的栅极电连接，且与外接电路连接；所述耗尽型GaN HEMT的漏极与外接电路连接；所述增强型InAs HEMT的栅极与外加栅压电路连接；其中，所述增强型InAs HEMT本发明将改进的增强型InAs HEMT应用于氮化镓共源共栅开关器件，通过提高增强型InAs HEMT阈值电压，从而可提高氮化镓共源共栅开关器件的开关效率。
一种新型氮化镓共源共栅开关器件及其制备方法

[发明专利]一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法-CN201710379463.7有效
发明人：李静强;胡志富;刘亚男;彭志农;冯彬;杜光伟;曹健;何美林 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提取GaN HEMT器件电热模型参数的方法，涉及GaN HEMT等效电路大信号建模技术领域；包括：将GaN HEMT器件安装到夹具上，夹具安装在红外热像仪上；对GaN HEMT器件施加偏置电压，使GaN HEMT器件产生热功耗；利用红外热像仪对GaN HEMT器件进行稳态温度和瞬态温度热分布的测量；利用稳态温度数据和GaN HEMT器件的热功耗，提取电热模型网络拓扑的总热阻；建立瞬态温度数据曲线和电热模型电压之间的误差方程，并提取电热模型参数值；能准确提取GaN HEMT电热模型参数，建立准确的GaN HEMT电热模型，保证GaN HEMT大信号模型在进行微波仿真时更准确。
一种提取 ganhemt 器件电热模型参数方法夹具

[发明专利]一种GaN基HEMT管芯-CN201911250830.9在审
发明人：钟世昌;李宇超;李飞;杨文琪;曹晓阳;陈悦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基HEMT管芯，包括：GaN基HEMT单胞，至少两个，所述GaN基HEMT单胞相互并联连接；以及隔离电阻，位于两个所述GaN基HEMT单胞之间，与所述GaN基HEMT单胞电连接。本发明提拱了一种GaN基HEMT管芯。通过在相邻的两GaN基HEMT单胞栅极之间增加隔离电阻，减小由于GaN基HEMT单胞之间的不平衡性导致的管芯自激振荡，提高了GaN基HEMT单胞之间隔离度，从而使得增个功率管管芯可靠性增强。
一种 gan hemt 管芯

[实用新型]电子器件-CN201720357676.5有效
发明人： P·莫恩斯;J·罗伊格-吉塔特;M·塔克;J·C·J·杰森斯 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电子器件，所述电子器件包括具有分段式栅极电极的低端HEMT，以及耦接到所述低端HEMT的高端HEMT，其中所述低端HEMT和高电压HEMT被集成在同一半导体管芯内。在另一方面，电子器件可包括源极电极；低端HEMT；耦接到所述低端HEMT的高端HEMT；以及电阻元件。在一个实施方案中，所述电阻元件可耦接到所述高电压HEMT的源极电极和栅极电极，并且在另一个实施方案中，所述电阻元件可耦接到所述低端HEMT的源极电极和漏极。本实用新型解决的一个技术问题是改进包括HEMT的电路。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的电子器件。
电子器件

[发明专利]单片集成HEMT和电流保护器件-CN201310218277.7有效
发明人： O.赫贝伦;W.里格 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及单片集成HEMT和电流保护器件。一种晶体管器件包括高电子迁移率场效应晶体管（HEMT）和保护器件。HEMT具有源极、漏极和栅极。HEMT当施加到栅极的电压超过HEMT的阈值电压时导通并且从源极向漏极传导电流。保护器件与HEMT单片集成，使得保护器件与HEMT共享源极和漏极并且进一步包括电连接到源极的栅极。保护器件当HEMT关断并且源极和漏极之间的反向电压超过保护器件的阈值电压时从漏极向源极传导电流。保护器件的阈值电压小于HEMT的阈值电压和用于关断HEMT的栅极电压的差。
单片集成 hemt 电流保护器件

[发明专利]HEMT器件制造方法、HEMT器件及射频功率放大器-CN201911084032.3在审
发明人：孙捷;张宗民;朱胜 -专利权人：上海华为技术有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种HEMT器件制造方法、HEMT器件及功率放大器，该方法包括：制备二氧化硅或硅衬底的高电子迁移率功率晶体管HEMT器件；通过载板对所述HEMT器件进行固定；将所述HEMT器件衬底局部的二氧化硅或者硅移除，所述HEMT器件衬底局部包括源极与漏级沟道正下方区域；将所述HEMT器件衬底局部填充金刚石。在HEMT器件中，该热积累主要集中在源极与漏极的沟道区域，所以将该源极与漏极沟道正下方区域衬底局部换成金刚石可以提高该HEMT器件的散热能力。
hemt 器件制造方法射频功率放大器

[发明专利]氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及激光雷达-CN201911017790.3在审
发明人：何川;赵起越 -专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H03K3/353 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及激光雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围
氮化镓HEMT 续流单元泄放集成电路输入端连接漏极无桥PFC电路输出端连接电流泄放反激电路激光雷达泄放电流续流回路雪崩耐量接地输出端封装管壳配置容限续流源极主管场景

[实用新型]氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达-CN201921800801.0有效
发明人：何川;赵起越 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H03K3/353 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围
氮化 hemt 集成电路电路 pfc 雷达

[发明专利]基于MIS-HEMT的边界陷阱的能量分布测试方法及系统-CN202010776999.4有效
发明人：高汭;贺致远;陈义强;林晓玲;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIS‑HEMT的边界陷阱的能量分布测试方法及系统。其中所述方法包括：对所述MIS‑HEMT的栅极施加正向电压应力进行充电，至充电完毕；通过多个放电过程对所述MIS‑HEMT进行充分放电，其中在每一放电过程中均执行以下步骤：降低施加在所述MIS‑HEMT的栅极的正向电压应力；采用spot‑Id sense技术监测所述MIS‑HEMT的放电过程，获取所述MIS‑HEMT的当前电流；根据所述当前电流以及MIS‑HEMT的初始电流，确定电流改变量，并根据所述电流改变量确定所述MIS‑HEMT的当前阈值电压漂移量。
基于 mis hemt 边界陷阱能量分布测试方法系统

[发明专利]晶圆级共源共栅器件、芯片及其制备方法-CN202310821482.6在审
发明人：刘泰;朱洪耀;沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司;徐州致能半导体有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级共源共栅器件、芯片及其制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，能够对共源共栅器件实现晶圆级加工，在晶圆级即对HEMT芯片和MOS芯片之间实现电互联，简化制备工艺，提高器件可靠性。包括HEMT晶圆，在HEMT晶圆上排布设置有多个HEMT芯片单元，在HEMT晶圆上还划分有预留区域，在HEMT晶圆上依次生长有导电金属层和第一钝化层，第一钝化层位于预留区域之外，导电金属层覆盖HEMT源极和预留区域，在预留区域贴装MOS芯片单元，MOS芯片单元的漏极通过导电金属层与HEMT芯片单元的HEMT源极导通。
晶圆级共源共栅器件芯片及其制备方法

[发明专利]智能功率模块和空调器-CN201910356450.7在审
发明人：李媛媛;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能功率模块和空调器，其中，智能功率模块包括：基板；设置在基板之上的控制芯片；设置在基板之上的逆变电路，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连，从而，通过在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护
基板智能功率模块逆变电路控制芯片逆变模块空调器漏极源极并联二极管高压输入端连接电阻栅极电荷参考端低电压电路

[发明专利]HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法-CN201410319025.8有效
发明人：郑雪峰;范爽;孙伟伟;张建坤;康迪;王冲;杜鸣;曹艳荣;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α-1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。
hemt 器件泄漏电流台面测试方法

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