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[发明专利]一种电力现货市场综合指标体系的构建方法-CN202310909228.1在审
发明人：吴岳洲;丁洽;谢恩彦;仲卫;汤健东;刘华星;鹿满意;黄新磊;淡延亮;郑文杰;谭慧娟 -专利权人：广东电网有限责任公司电力调度控制中心;国电南瑞科技股份有限公司;国电南瑞南京控制系统有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06Q10/0639 文献下载
摘要：本发明提供一种电力现货市场综合指标体系的构建方法，该构建方法包括以下步骤：S1.建立电力现货市场市场运行指标体系，市场运行指标包括市场价格指标、市场竞争指标、市场效率指标；S2.建立电力现货市场系统运行指标体系，系统运行指标包括调度可靠性指标、负荷与新能源预测指标、电网经济指标；S3.对步骤S2中的系统运行指标进行数据预处理，并计算指标权重；S4.建立电力现货市场的综合评价模型。通过该构建方法建立的电力现货市场综合指标体系，能够从多维度合理、定量地评估电力现货市场的运行情况，从而提高电力现货市场的运行效率，保证电力系统的安全运行和电力现货市场的平稳运行。
一种电力现货市场综合指标体系构建方法

[发明专利]基于多元负荷聚类的园区能源分配方法及系统-CN202310922201.6在审
发明人： 郑文杰;赵瑞锋;卢建刚;余志文;徐展强;黎皓彬 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司电力调度控制中心
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明公开了基于多元负荷聚类的园区能源分配方法及系统，方法包括获取园区能源系统的多元负荷数据，将多元负荷数据进行清洗降维处理，获得负荷数据集；根据预设随机密度选取规则，在负荷数据集中选取初代萤火虫个体，将初代萤火虫个体作为当前聚类中心进行FCM聚类，获得初始聚类结果；根据初始聚类结果和适应度函数，计算各萤火虫亮度，迭代更新萤火虫位置，获得最优初始聚类中心，将最优初始聚类中心作为当前聚类中心进行FCM聚类，获得最优负荷聚类结果；根据最优负荷聚类结果，计算多元负荷耦合特性指标，对园区能源系统的能源进行分配。本实施例实现了对园区能源系统的冷热电负荷最优聚类，便于园区能源的合理分配，节约能源。
基于多元负荷能源分配方法系统

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法-CN202311188650.9在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延片及制备方法，所述发光二极管外延片包括有源层，所述有源层包括多个周期性交替生长的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的极化调控层、第一应变补偿层、量子阱层、第二应变补偿层；所述第一应变补偿层为ScAlN层，所述ScAlN层中Sc组分沿其生长方向逐渐下降，所述ScAlN层中In组分沿其生长方向逐渐升高，所述第二应变补偿层为AlInN层，所述AlInN层中Al组分沿其生长方向逐渐升高，所述AlInN层中In组分沿其生长方向逐渐降低，降低量子阱层缺陷密度，提高量子阱层晶体质量，降低有源层极化效应，提高有源层的发光效率。
一种发光二极管外延制备方法

[发明专利]高光提取效率的LED外延片及其制备方法-CN202311114188.8在审
发明人：舒俊;程龙;高虹;郑文杰;印从飞;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光提取效率的LED外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。LED外延片包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力缓冲层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；应力缓冲层包括依次层叠于N型GaN层上的第一应力缓冲层、金属反射层和第二应力缓冲层；第一应力缓冲层为Si掺AlaInbGa1‑a‑bN层，其中，0≤a≤0.6，0≤b≤0.2；金属反射层为Al金属层、Ga金属层、In金属层、Mg金属层中的一种或多种形成的叠层结构；第二应力缓冲层为Si掺AlcIndGa1‑c‑dN层，其中，0≤c≤0.6，0≤d≤0.3。实施本发明，可提升发光效率。
提取效率 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311008965.0在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为Si掺AlN层；所述第二子层为二元共掺GaN层，其掺杂元素为Cr和Si；所述第三子层为Si掺GaN层和Mg掺InN层交替层叠形成的周期性结构。实施本发明，可提升发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种真空镀膜机多路通信控制方法及系统-CN202311125972.9在审
发明人：林申旺;李志华;陈小雄;郑文杰 -专利权人：山东申华光学科技有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H04W72/115 文献下载
摘要：本发明提供一种真空镀膜机多路通信控制方法及系统，在方法中，在GF传输的场景，真空镀膜机可以被配置使用多个，如N个GF资源。当真空镀膜机有紧急信息，如工作状态告警信息需要上报时，真空镀膜机可以直接使用N个GF资源中的每个GF资源发送工作状态告警信息，即N份工作状态告警信息。一方面，使用GF资源可以降低传输时延，确保网络侧能够及时知晓真空镀膜机的工作异常，另一方面，复用N个GF资源还可以降低资源冲突的影响，即使部分资源冲突，接入网设备也能够通过其他未冲突的GF资源接收到工作状态告警信息，从而能够降低GF资源冲突对传输性能的影响，提高对真空镀膜机的控制稳定性。
一种真空镀膜机多路通信控制方法系统

[发明专利]一种抗驱鼠器干扰的信号提取方法及装置-CN202111188680.0有效
发明人：林颖;辜超;刘萌;白德盟;李杰;杨祎;李程启;郑文杰;徐冉;李壮壮;张峰达;高建峰;王平 -专利权人：国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F18/213 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗驱鼠器干扰的信号提取方法及系统，该方法包括如下步骤：获取含抗鼠器干扰的原始局部放电超声信号；含抗鼠器干扰的原始局部放电超声信号进行集合经验模态分解得到各固有模态函数分量；根据各固有模态函数分量和训练好的SVM模型，对放电分量与驱鼠器干扰分量进行模式识别得到抗干扰信号，可有效反映放电信号与驱鼠器干扰之间的特征差异，算法最终获得的抗驱鼠器干扰信号具有明显的工频周期性与高信噪比的优点。
一种抗驱鼠器干扰信号提取方法装置

[发明专利]一种输电线路防震锤目标检测与缺陷识别方法及装置-CN201910513440.X有效
发明人：杨建旭;黄前华;李程启;郑文杰;黄文礼;童旸 -专利权人：南瑞集团有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;安徽南瑞继远电网技术有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06V20/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种输电线路防震锤目标检测与缺陷识别方法，包括以下步骤：通过图像采集装置获取防震锤图片；对防震锤图片进行预处理得到预处理图片；构建特征提取模块、特征增强模块和像素级预测模块；对特征提取模块、特征增强模块和像素级预测模块进行连接优化，建立训练模型；将预处理图片输入训练模型中进行测试，实现对预处理图片中防震锤的目标检测和识别。本发明还提出一种输电线路防震锤目标检测与缺陷识别装置。本发明极大的提高高分辨率图片的检测速度；一定程度减少计算，实现快速且精准的防震锤目标检测与缺陷识别，提高电力巡检工作的效率。
一种输电线路防震目标检测缺陷识别方法装置

[实用新型]一种空调水管安装结构-CN202222569251.4有效
发明人： 郑文杰;马国超;邓风;王初迈;刘伟;孙增志;李文;冯言强;彭泽铎 -专利权人：北京国际建设集团有限公司;北京建工集团有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： F24F13/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种空调水管安装结构，属于机电安装的技术领域，其包括空调水管、安装支架，所述安装支架上固定安装有多个下卡件，所述空调水管上固定安装有多个上卡件，且所述上卡件与所述下卡件一一对应设置，对应的所述上卡件与所述下卡件之间形成安装空间，所述安装空间内设置有隔热块，所述固定块使所述上卡件与下卡件隔开，本申请具有减少了空调水管管壁上凝结的水珠。
一种空调水管安装结构

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、LED-CN202311029088.5在审
发明人： 郑文杰;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述复合层包括依次沉积在所述衬底上的SiCN层、Mg掺杂BGaN层和Mg掺杂InGaN层。本发明提供的发光二极管外延片能提高GaN晶体质量，降低产生裂纹率，提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法 led

[发明专利]一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片-CN202311204129.X在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该外延片包括衬底，还包括：依次层叠于所述衬底之上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层与P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠于所述多量子阱层上的漏电屏蔽SiN层、周期性交叠结构层与高掺Mg‑BInGaN层，周期性交叠结构层包括周期性交叠的二维空穴气InGaN层与低掺Mg‑AlN层。本发明解决了现有技术中P型半导体层漏电，光电性能下降，且由于空穴的有效的质量远大于电子，其传递速度也低于电子，空穴注入到量子效率也低于电子，从而影响了发光效率的提升的技术问题。
一种发光二极管外延制备方法 led 芯片

[发明专利]多功能复合的轴承故障实验装置及方法-CN202211114427.5有效
发明人：何玉灵;郑文杰;刘翔奥;代德瑞;李勇;邢云;王晓龙 -专利权人：华北电力大学（保定）
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01M13/04 文献下载
摘要：本发明公开了多功能复合的轴承故障实验装置及方法，包括：模拟发电机、电动机、模拟电机转轴、转轴加载机构和多个振动传感器；模拟发电机的输出端与电动机的输入端连接，且模拟发电机的输出端连接负载箱，负载箱可调节负载箱功率以获得不同的带负载效果，电动机的输出端与模拟电机转轴的一端连接，模拟电机转轴的另一端与转轴加载机构连接，转轴加载机构用于对模拟电机转轴进行机械加载；模拟电机转轴的两端均用于设置实验轴承，对应实验轴承设置有轴承座，轴承座上设置有多个振动传感器，采用本发明提供的装置及方法可以模拟不同轴载下电机轴承故障，对轴承初发故障进行预测，有利于保障电机安全运行。
多功能复合轴承故障实验装置方法

[实用新型]一种光伏发电组件模块化安装支架-CN202320946454.2有效
发明人：毛宏良;金加丛;韩杰;樊佛敏;何海波;俞王翀;郑文杰;李淑惠 -专利权人：浙江嘉朔智慧能源有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏发电组件模块化安装支架，包括连接座，所述连接座的上方一侧固定连接有第二转轴，所述第二转轴上转动连接有活动架，所述连接座的上方另一端固定连接有第一转轴，所述第一转轴上转动连接有转杆，所述转杆的另一端设置有滑杆，所述活动架的内部开设有滑槽，所述滑杆滑动连接在滑槽的内部，所述滑槽的内部设置有若干个大小相同的螺孔，通过设置第一转轴、第二转轴、转杆、滑杆以及滑槽能够对活动架的角度进行调节，从而实现对光伏发电板角度调节，通过在螺孔以及螺杆之间的配合下能够在调节后进行紧固作用，整个装置具有可靠紧固性，调节倾斜角度灵活，能适应不同场地安装和照射要求。
一种发电组件模块化安装支架

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310908680.6在审
发明人：程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底和依次沉积于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层；所述有源层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；每个所述量子垒层均包括依次层叠的YGaN层、Si掺GaN层和BScN层。实施本发明，可有效提升发光二极管的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-CN202310865027.6在审
发明人： 郑文杰;曹斌斌;程龙;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型AlGaN层上的P‑AlInN层、第一MoO3层、P‑AlInGaN层和P‑GaN层。实施本发明，可提升发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

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