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[发明专利]接触孔结构的形成方法及该接触孔结构-CN201911053373.4有效
发明人：鲍宇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种接触孔结构的形成方法及该接触孔结构，包括：在介质层上形成凹槽；依次在凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层，浸润层的在形成的过程中在凹槽的开口处形成突起结构；通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶本申请通过在接触孔的凹槽的底部和侧壁形成扩散阻挡层和浸润层后，通过第一溅射工艺和第二溅射工艺在扩散阻挡层和浸润层的表面沉积铜籽晶，去除浸润层在凹槽开口处形成的突起结构，从而扩大了凹槽的开口尺寸，便于后续的导电材料填充
接触结构形成方法

[发明专利]变径式孔接触件及使用该孔接触件的接触件组件-CN201310580047.5在审
发明人：张广宇 -专利权人：中航光电科技股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01R13/11 文献下载
摘要：本发明涉及电连接器领域，特别是涉及到一种能与多种外径尺寸的插针配合使用的变径式孔接触件及使用该孔接触件的接触件组件。变径式孔接触件包括护套和装配在护套中的导电套，护套以前端为插接端，导电套的套壁上设有簧爪，所述簧爪的前端位于导电套的套壁上，后端自前向后逐渐向导电套的中心线靠拢。由于该变径式孔接触件的导电套的套壁上设有簧爪，并且簧爪的前端位于导电套的套壁上，其后端自前向后逐渐向导电套的中心线靠拢，因此，在使用的时候，该孔接触件可通过其簧爪与适配的插针接触件配合接通电路，只要插针接触件能够插入导电套，则簧爪便可以与其可靠接触，因此，该变径式孔接触件能够与多种外径尺寸的插针接触件配合使用。
变径式孔接触使用组件

[发明专利]一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法-CN201110265284.3无效
发明人：傅昶;胡友存;张亮;郑春生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-08 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低电阻的接触孔形成方法，其通过采用湿法刻蚀去除接触孔上部的钨栓和接触孔阻挡层，降低了钨栓和接触孔阻挡层的高度，并用金属铜和铜阻挡层进行替代，因为金属铜与钨栓相比具有较低的电阻值，因而可以达到有效降低接触孔的接触电阻的目的
一种降低接触电阻形成方法

[发明专利]接触孔的工艺方法-CN201410854000.8在审
发明人：李豪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的工艺方法，包含步骤：第一步，接触孔刻蚀形成之后，进行钛/氮化钛阻挡层的溅射工艺；第二步，接触孔内再淀积一层金属钨；第三步，对淀积的金属钨进行回刻；第四步，进行金属溅射工艺填充接触孔本发明利用了填孔效果好的LPCVD钨淀积工艺，在接触孔刻蚀形成的底部凹陷处形成钨侧墙，以弥补钛/氮化钛阻挡层底部边缘处厚度的不足，有效改善了填充金属铝或铝/铜和硅之间扩散形成铝钉的问题。
接触工艺方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810270893.X在审
发明人：龚昌鸿 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有层间膜的半导体衬底；步骤二、在层间膜的表面形成一保护层；步骤三、光刻定义出接触孔的形成区域并将接触孔的形成区域中的保护层和层间膜打开形成开口；步骤四、沉积接触孔的金属层；步骤五、进行金属层的化学机械研磨工艺并停止在保护层的表面；步骤六、去除保护层形成由填充于开口中且具有突出于层间膜表面的突出结构的金属层组成的接触孔。本发明能消除接触孔的金属层的CMP对层间膜的表面产生刮痕和微粒残留缺陷，同时还能精确控制接触孔突出于层间膜的高度。
接触孔层间膜保护层金属层开口化学机械研磨工艺表面形成突出结构衬底对层刮痕光刻沉积去除填充半导体制造残留

[发明专利]接触孔的填充方法-CN201810612009.6在审
发明人：蔡旻錞;陈建勋;许家彰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的填充方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成接触孔的开口；步骤二、在接触孔的开口的底部表面和侧面形成作为粘附层的钛层；步骤三、采用金属钨的PVD工艺在钛层表面形成第一钨层；步骤四、采用CVD工艺在第一钨层表面形成主体钨层并将接触孔的开口完全填充从而形成接触孔。本发明利用金属钨的PVD工艺不采用WF6的特点取消作为用于阻挡WF6扩散的阻挡层，能同时实现降低接触电阻以及实现更好的主体钨层的填充。
接触孔钨层填充开口金属钨降低接触电阻表面形成底部表面钛层表面粘附层阻挡层衬底钛层半导体扩散阻挡侧面

[发明专利]接触孔及其制造方法-CN201810920136.2在审
发明人：刘庆华;施向东;刘善善 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔，包括：形成于硅衬底表面的层间膜；在层间膜中形成有接触孔的开口；在开口的侧面和底部表面形成有阻挡层；在开口中完全填充有金属填充层组成接触孔；金属填充层中包括金属铝；阻挡层由多层叠加层单元叠加而成本发明还公开了一种接触孔的制造方法。本发明能防止铝穿刺，从而能提高接触孔的质量。
接触孔金属填充层晶相结构阻挡层纤维状结构开口多层叠加层间膜叠加层铝穿刺叠加硅衬底表面底部表面晶粒硅扩散界面处金属铝填充制造侧面

[发明专利]接触孔清洗的方法-CN201510740017.5在审
发明人：董飏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种接触孔清洗的方法，包括提供基底，所述基底中具有接触孔；对所述基底和所述接触孔进行润湿处理；进行润湿处理后，采用硫酸和双氧水的混合溶液清洗所述接触孔。所述接触孔清洗的方法提高了对接触孔清洗的效果。
接触清洗方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201710248901.6在审
发明人：任玉萍;郭振强;袁苑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤步骤一、形成刻蚀阻挡层。步骤二、形成层间膜。步骤三、光刻定义出接触孔的形成区域。步骤四、以刻蚀阻挡层为终止层进行第一次接触孔刻蚀。步骤五、进行第二次接触孔刻蚀将接触孔的形成区域的刻蚀阻挡层全部去除并形成接触孔，通过设置刻蚀阻挡层使硅衬底的过刻蚀量完全由刻蚀阻挡层的厚度决定，从而减少硅衬底的过刻蚀量。步骤七、在接触孔中完全填充金属层。本发明能减少接触孔刻蚀过程中因过刻对硅衬底造成的损伤，降低工艺波动并减少由此产生的漏电，提高产品的良率。
接触制造方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810071106.9在审
发明人：单园园;郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供表面上形成有多条金属线一半导体衬底；步骤二、形成第一介质层，第一介质层将金属线之间的间隔顶部封口；步骤三、形成作为第一介质层刻蚀时的刻蚀停止层的第二介质层；步骤四、将各金属线正上方的第二介质层材料去除；步骤五、形成和第一介质层的材料相同的第三介质层并进行平坦化；步骤六、光刻定义出接触孔的形成区域并进行刻蚀形成接触孔的开口，接触孔的底部区域最大边界由金属线的两侧的第二介质层自对准定义；步骤七、在接触孔的开口中填充金属材料形成接触孔。本发明能将接触孔的底部区域自对准的限定在对应的金属线的顶部，从而防止接触孔和相邻的金属线之间产生短路。
接触孔介质层金属线底部区域自对准开口刻蚀形成接触孔填充金属材料封口介质层材料刻蚀停止层防止接触最大边界平坦化短路衬底光刻刻蚀去除半导体制造

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810120432.4在审
发明人：任玉萍;郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多条多晶硅栅；步骤二、在各多晶硅栅的侧面形成第一侧墙；步骤三、形成层间膜；步骤四、对层间膜进行平坦化；步骤五、采用光刻工艺定义出接触孔的开口的刻蚀区域并将接触孔的开口的刻蚀区域的尺寸扩大；步骤六、进行接触孔的开口的刻蚀；步骤七、在各接触孔的开口的内侧面形成第二侧墙；步骤八、在接触孔的开口中填充金属形成所述接触孔。本发明能防止接触孔刻蚀过程中发生刻蚀停止，同时还能防止接触孔和相邻的多晶硅栅之间产生击穿，还能增加接触孔的光刻和刻蚀的工艺窗口，提高产品的性能和良率。
接触孔开口多晶硅栅刻蚀防止接触刻蚀区域侧墙衬底半导体尺寸扩大工艺窗口光刻工艺刻蚀过程填充金属侧面平坦化对层光刻击穿良率制造

[发明专利]接触孔及其制造方法-CN201710903978.2在审
发明人：黄璇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔，包括形成于硅衬底表面的层间膜，在层间膜中形成有层间膜被去除后形成的接触孔的开口。在接触孔的开口的侧面形成有金属钨侧墙，在接触孔的开口的底部的硅衬底表面形成有金属黏附层。在接触中的开口中填充有金属铝并组成接触孔。本发明还公开了一种接触孔的制造方法。本发明能提高接触孔的金属的填充性以及消除接触孔的金属和衬底硅互溶，提高产品质量。
接触及其制造方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201710903979.7在审
发明人：施洋 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括步骤步骤一、在半导体衬底上形成层间膜；步骤二、对层间膜进行光刻刻蚀形成接触孔；步骤三、去除光刻胶图形；步骤四、采用含O2和CF4的干法刻蚀工艺进行去除聚合物残留的后处理本发明有效去除接触孔内的聚合物的残留以及修复接触孔底部的等离子体损伤，从而能提高接触孔的特性，降低接触电阻，从而能有效降低多晶硅栅的电阻。
接触刻蚀方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201910297144.0在审
发明人：龚昌鸿;陈建勋;叶婷 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括骤：提供表面形成有第一栅极结构和层间膜的半导体衬底；形成第一硬质掩模层；对第一硬质掩模层进行图形化，第一硬质掩模层覆盖在间隔区中不形成接触孔的区域；采用FCVD形成覆盖第一硬质掩模层的平坦化表面；光刻同时定义出接触孔和虚拟接触孔的形成区域，虚拟接触孔的形成区域中保留有第一硬质掩模层；进行刻蚀同时形成接触孔和虚拟接触孔的开口；形成第一金属层将接触孔和虚拟接触孔的开口完全填充并延伸到开口的外部；采用金属化学机械研磨工艺进行平坦化本发明能防止在接触孔的金属CMP之后产生蝶形缺陷并从而能防止金属残留在蝶形缺陷中，从而能提高产品良率。
接触孔硬质掩模层虚拟接触孔开口蝶形第一金属层平坦化表面表面形成产品良率机械研磨金属残留金属化学栅极结构金属CMP 层间膜间隔区平坦化图形化衬底覆盖光刻刻蚀填充半导体制造保留外部延伸

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201910297143.6在审
发明人：龚昌鸿;陈建勋;朱绍佳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括骤：提供表面形成有第一栅极结构和第零层层间膜的半导体衬底；形成氮化层组成第一硬质掩模层并图形化，第一硬质掩模层覆盖在间隔区中不形成接触孔的区域；形成第一层层间膜并进行平坦化；光刻同时定义出接触孔和虚拟接触孔的形成区域，虚拟接触孔的形成区域中保留有第一硬质掩模层；进行刻蚀同时形成接触孔和虚拟接触孔的开口；形成第一金属层将接触孔和虚拟接触孔的开口完全填充并延伸到开口的外部；采用金属化学机械研磨工艺进行平坦化本发明能防止在接触孔的金属CMP之后产生蝶形缺陷并从而能防止金属残留在蝶形缺陷中，从而能提高产品良率。
接触孔虚拟接触孔硬质掩模层开口平坦化蝶形第一金属层表面形成产品良率机械研磨金属残留金属化学栅极结构金属CMP 氮化层间隔区图形化衬底光刻刻蚀填充半导体制造保留外部延伸覆盖