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C 化学；冶金

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

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2023-09-26 公布专利

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2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]接触孔制造方法及半导体器件制造方法-CN202210836621.8在审
发明人：戴银;任文珍 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔制造方法及半导体器件制造方法，其在第一导电结构的顶面上覆盖一定厚度的绝缘介质层，并在第一导电结构之间的间隔中填充牺牲层，由此，在刻蚀层间介质层形成开孔作为接触孔的上部开口之后，去除牺牲层来自对准的形成接触孔的下部开口，降低了对接触孔的对位精度的要求，进而降低了接触孔制造的工艺难度。
接触制造方法半导体器件

[发明专利]改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法-CN202210187231.2在审
发明人：杨作东;彭翔;邹海华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属栅接触孔刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有多个器件区，每个器件区均形成有金属栅，衬底上形成有层间介质层，之后研磨层间介质层使得金属栅裸露；在层间介质层和金属栅上形成扩散阻挡层光刻打开光刻胶层使得至少一个器件区上金属栅以外的区域裸露；去除裸露的隔离层以及其下方的刻蚀阻挡层和扩散阻挡层；去除光刻胶层，之后在衬底上继续形成层间介质层；刻蚀层间介质层，形成分别与源区、漏区以及金属栅相连通的接触孔本发明不改变层间介质层、接触孔刻蚀等配套工艺条件，提高通孔刻蚀的工艺窗口，改善产品可靠性。
改善金属接触刻蚀工艺窗口方法

[发明专利]一种接触通孔及制作方法-CN202310474369.5在审
发明人：周壮壮;王佳进;孟凡顺 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触通孔及制作方法，该方法包括：提供一衬底，于衬底上形成自下而上层叠的层间介质层、底部抗反射层和光刻胶层，并图形化光刻胶层以形成光刻胶层开口；基于图形化的光刻胶层刻蚀底部抗反射层，其中，刻蚀底部抗反射层通入的气体包括C4F8，以形成漏斗状的底部抗反射层开口；刻蚀层间介质层以形成接触通孔。本发明的接触通孔及制作方法中，采用C4F8刻蚀底部抗反射层形成漏斗状底部抗反射层开口，减小接触通孔的关键尺寸；另外，刻蚀层间介质层时加入辅助气体，在光刻胶层开口的侧壁形成聚合物层，进一步减小接触通孔的关键尺寸，能够克服光刻工艺局限性，适用于更小的技术节点，提高器件集成度。
一种接触制作方法

[发明专利]一种检测接触孔过度刻蚀的方法-CN201510126618.7有效
发明人：倪棋梁;陈宏璘;龙吟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测接触孔过度刻蚀的方法，包括根据芯片上栅极之间的最小栅间距在晶圆上设计器件结构，其中在P型的晶圆衬底上等间距的排列栅极，而在栅极之间通过离子注入使其成为N型阱；将设计的器件结构中的栅极之间距离缩小，直到栅极之间距离等于或小于所述最小栅间距的特定比例，以得到多个不同器件结构；排布多个不同器件结构置于晶圆的切割道上，然后再在其上面通过刻蚀形成接触孔；将金属钨接触孔形成之后的晶圆置于电子束检测的设备中进行检测
一种检测接触过度刻蚀方法

[发明专利]一种接触孔电阻测试结构及方法-CN201310078658.X有效
发明人：胡建强;李绍彬;仇圣棻 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔电阻测试结构及方法，该测试结构包括：形成于半导体衬底中的有源区，所述有源区包括至少一列第一有源区和至少一列第二有源区，一列第一有源区和一列第二有源区间隔排列；所述每列第一有源区两端分别设有接触孔，每列第一有源区通过接触孔与相邻列第一有源区串联形成串联结构，所述串联结构的两端为测试端口；所述每列第二有源区上设有一个虚拟栅，该虚拟栅用于保证测试结构中接触孔的工艺负载与被测试结构中接触孔的工艺负载相似本发明提供的接触孔电阻测试结构及方法，测试结构中获得的接触孔电阻即反映了实际单元中接触孔的电阻，避免了实际单元的接触孔在开路或过刻蚀时，测试结构的电阻仍显示正常的情况。
一种接触电阻测试结构方法

[发明专利]一种接触孔关键尺寸的控制方法-CN201410652823.2有效
发明人：罗永坚;张颂周;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G05D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔关键尺寸的控制方法，在需要调整接触孔的关键尺寸时，通过改变MFC零点的电压设定，使MFC具有与所需的蚀刻气体流量调整增量值对应的零点初始流量，以改变MFC在工艺菜单规定的蚀刻气体流量设定值时的实际蚀刻气体流量，因而可在不修改工艺菜单的情况下，实现对接触孔关键尺寸的细微调节，在维持过程控制稳定的前提下，减少了不必要的PM次数，节约了时间和成本。
一种接触关键尺寸控制方法

[发明专利]制作半导体器件中的接触孔的方法-CN200910197944.1有效
发明人：朱磊;马德敬;朱娜;孙俊菊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作半导体器件中的接触孔的方法，所述方法包括下列步骤：在前端器件层上提供一介电层；在所述介电层上沉积一层多晶硅作为硬掩模层；在所述硬掩模层上旋涂第一底部抗反射涂层，然后涂敷带有图案的光刻胶层；以所述光刻胶层作为掩模，刻蚀所述第一底部抗反射涂层以及所述硬掩模层；去除所述光刻胶层以及第一底部抗反射涂层；以所述硬掩模层作为掩模，在所述介电层上刻蚀出接触孔；在所述接触孔中回填充第二底部抗反射涂层，回蚀所述第二底部抗反射涂层，使所述第二底部抗反射涂层的上表面与所述硬掩模层的下表面齐平或略高于后者；利用干法刻蚀去除所述硬掩模层；去除所述接触孔内部残留的第二底部抗反射涂层。
制作半导体器件中的接触方法

[发明专利]一种减小接触孔关键尺寸的方法-CN200910195810.6有效
发明人：赵林林;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于形成接触孔的半导体制造工艺方法，所述方法包括如下步骤：在有源区上沉积一高应力覆盖层；在所述高应力覆盖层上沉积第一介电层；在所述第一介电层上沉积第二介电层；在所述第二介电层上沉积一钝化层；在所述钝化层上沉积一底部抗反射层；依次刻蚀所述底部抗反射层、所述钝化层、所述第二介电层、所述第一介电层和高应力覆盖层以蚀刻出一接触孔，直到穿透所述高应力覆盖层露出所述有源区。本发明还提供了一种包含通过如上工艺制造的接触孔的半导体器件。根据本发明的工艺形成的接触孔，缩小了关键尺寸，同时保证了接触孔具有理想的外形轮廓，减小了静态电流出现的几率。
一种减小接触关键尺寸方法

[发明专利]改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法-CN201210436223.3有效
发明人：肖泽龙;陆连;袁苑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善SONOS器件自对准接触孔漏电的方法，包括：1）进行SONOS器件自对准接触孔刻蚀；2）在接触孔的侧壁和底部以及SONOS器件中的未掺杂氧化膜上方，成长氮化硅膜；3）刻蚀氮化硅膜，使只在接触孔侧壁上保留氮化硅膜；4）用传统湿法流程清洗去除刻蚀产生的聚合物，得到SONOS器件自对准接触孔。本发明可以弥补常规自对准接触孔刻蚀中造成的栅极上侧墙的过度损耗，能够明显增加氮化硅膜侧墙残留的厚度，避免栅极与金属线短路，改善产品的自对准接触孔漏电，提高接触孔击穿电压，扩大SONOS器件自对准接触孔刻蚀工艺窗口
改善 sonos 器件对准接触漏电方法

[发明专利]沟槽式功率MOS器件接触孔电阻检测结构-CN201310328768.7有效
发明人：黄晓橹 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽式功率MOS器件接触孔电阻检测结构，且本发明为四端的检测结构。本发明在各该检测单元的第一接触孔和第二接触孔之间增加一形成于深沟槽中的深沟槽栅极，深沟槽贯穿位于各该检测单元的第一接触孔和第二接触孔之间的源区和体区、并延伸至位于体区下的外延层。检测时，分别对各该接触孔、深沟槽栅极以及晶背公共端提供相应电压，使深沟槽周围的源区、体区和外延层在栅介质层表面形成沟道电荷层，迫使检测电流只能在第一接触孔下部和底部进入体区或只能在第二接触孔下部和底部流出体区，进而方便、简单且有效地测试检测电流流出端的第一接触孔或检测电流流入端的第二接触孔的下部和底部与体区的接触性能是否良好。
沟槽功率 mos 器件接触电阻检测结构

[发明专利]半导体元件的接触孔的形成方法-CN03100159.9有效
发明人：朴根周 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-01-03 - 公布日： 2003-11-19 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种采用浅形沟槽隔离(STI)方式而在制造逻辑组件制造过程中，用以形成接触孔的方法，对作用区域接触孔的重叠裕度小的接触孔同时在作用区域和隔离区域形成时，即，形成无边缘接触孔时，防止隔离区域的损伤
半导体元件接触形成方法

[发明专利]一种自对准接触孔刻蚀工艺方法-CN201310438771.4有效
发明人：李俊杰;李春龙;李俊峰;王文武;洪培真 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种自对准接触孔刻蚀工艺方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上从下至上依次形成有栅堆叠、保护层和层间介质层，在所述衬底内部、栅堆叠之间形成有源漏区；对层间介质层进行刻蚀形成接触孔的上半部分，至栅堆叠顶部上方的保护层停止；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀栅堆叠之间的层间介质层形成接触孔的下半部分,停止在源漏区上方的保护层上；采用沉积与刻蚀循环的方法刻蚀源漏区上方的保护层形成接触孔的底部,停止在衬底的源漏区上
保护层衬底刻蚀源漏区栅堆叠堆叠沉积自对准接触孔层间介质层刻蚀工艺接触孔侧壁对栅刻蚀形成接触孔刻蚀源漏区漏电刻蚀过程介质层刻蚀栅对层损伤

[发明专利]一种垂直型接触孔的制备方法-CN201710971861.8有效
发明人：谢岩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种垂直型接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底包括依次层叠的刻蚀停止层以及待刻蚀层；步骤S2，采用一第一刻蚀工艺刻蚀待刻蚀层，以形成延伸至刻蚀停止层的上表面的至少一个锥形通孔；步骤S3，采用一第二刻蚀工艺刻蚀锥形通孔，将锥形通孔拓宽为垂直通孔；步骤S4，填充垂直通孔形成垂直型接触孔；能够形成形貌垂直的接触孔，导电性能优越，并且不会受到刻蚀工艺的限制。
一种垂直接触制备方法

[发明专利]一种接触孔结构的制作方法-CN201910210565.5有效
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔结构的制作方法，所述方法包括依次在接触孔内形成硅层、钨成核层和钨主体层，以对所述接触孔进行填充，其中，所述钨成核层通过多个循环反应形成，更有利于控制最终形成的所述钨成核层的形貌，不会出现在接触孔顶部的位置形成的钨成核层较厚而导致接触孔的开口过小不利于后续填充的情况，因此，通过本发明提供的接触孔结构的制作方法，解决了通过现有的金属钨的填充工艺所形成的钨塞中间的空隙较大的问题。
一种接触结构制作方法

[发明专利]字线开关与字线接触通孔结构的集成-CN201680077593.9有效
发明人：小川裕之;M.吉田;K.井泽;T.有木;三轮达 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：三维存储器装置的字线解码器电路中的字线开关可以形成为去往字线的导电层的接触通孔结构上面的垂直场效应晶体管。导电层的阶梯式表面上面的电介质材料部分的通孔腔可以填充有导电材料并凹陷以形成接触通孔结构。在凹陷中形成下有源区域之后，可以形成并图案化栅电极以在接触通孔结构上面的区域中形成开口。栅极电介质可以形成在开口的侧壁上，并且晶体管沟道可以形成在栅电极的开口内侧。上有源区域可以形成在晶体管沟道之上。
开关接触结构集成

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