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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种接触孔的刻蚀方法-CN201810135245.3有效
发明人：孟凡顺;谢岩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法及复合晶圆，复合晶圆包括由下至上依次堆叠的金属层、刻蚀阻挡层和介电层；其特征在于，刻蚀方法包括：步骤S1，于介电层的上表面制备具有刻蚀图案的光阻层；拓宽刻蚀图案以暴露出更多介电层的上表面；步骤S4，重复步骤S2和步骤S3若干次，直至穿透介电层并于介电层中形成阶梯结构；步骤S5，于穿透介电层后，以介电层为掩膜刻蚀穿透刻蚀阻挡层，形成连接金属层的具有阶梯结构的接触孔
一种接触刻蚀方法

[发明专利]接触孔结构、阵列基板及显示面板-CN201910509008.3有效
发明人：宋振莉 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种接触孔结构、阵列基板及显示面板，接触孔结构包括第一金属层、第二金属层、绝缘层以及公共电极层，第二金属层设置于第一金属层上，绝缘层位于第二金属层背离第一金属层的一侧，绝缘层设置部分暴露第一金属层和第二金属层表面的接触孔，公共电极层位于绝缘层背离第二金属层的一侧并分别与接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面电连接，其中，接触孔暴露的第一金属层和接触孔暴露的第二金属层处于同一水平面。本实施例提供的技术方案可以通过将接触孔暴露的第一金属层和第二金属层的表面设置为同一水平面，保证信号在第二金属层、公共电极层以及第一金属层之间传输的通畅性，以保证信号传输的导通性和提高面板良率。
接触结构阵列显示面板

[发明专利]蚀刻方法及接触孔制作方法-CN200810202840.0无效
发明人：沈满华;张海洋;陈海华;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种蚀刻方法及接触孔制作方法。所述蚀刻方法包括：对基底进行反应离子蚀刻，对蚀刻后形成的沟槽进行真空抽气。所述蚀刻方法能够避免由于残留物堆积而影响最终形成的半导体器件的质量。
蚀刻方法接触制作方法

[发明专利]降低连接孔接触电阻的方法-CN200910083466.1无效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-05-06 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低连接孔接触电阻的方法，该方法包括在绝缘层和金属互连线之间制作阻挡膜，所述阻挡膜为钽Ta和氮化钽TaN的叠层结构，所述制作阻挡膜的具体方法为：在绝缘层的沟槽和连接孔的底部和侧壁上形成TaN层(201)；在所述TaN层(201)上形成Ta层(202)；依次刻蚀连接孔底部上的Ta层(202)和TaN层(201)，形成开口，露出下层的铜互连线；在沟槽及连接孔内的Ta层和露出的下层的铜互连线表面采用该方法使连接孔的接触电阻比较低，从而有效降低了整个电路的RC延迟，提高了电路的电学性能。
降低连接接触电阻方法

[发明专利]带有通孔的T型接触件-CN201210020253.6无效
发明人：陈希康;冯岳军;张忠良 -专利权人：江阴市电工合金有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有通孔的T型接触件，属于电工合金领域，它包括接触件本体，其特征在于所述接触件本体的截面呈T型结构，所述T型结构包括水平段（1）和竖直段（2），所述水平段（1）的左右两侧各设有两个上下方向的第一通孔（3），所述竖直段（2）设有三个左右方向的第二通孔（4），所述接触件本体由铜合金制成，所述接触件本体的表面设有镀银层。本发明T型接触件的接触件本体包括水平段和竖直段，并且水平段和竖直段上分别设有第一通孔和第二通孔，因此能适用于具有特殊结构导电零件场合，满足电器行业产品更新换代的要求。
带有接触

[发明专利]一种接触孔形成方法-CN201110301248.8无效
发明人：贾璐;胡学清;肖培 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔形成方法，包括：提供半导体基体，在所述半导体基体上依次形成硬掩膜层和图形化的光刻胶层，所述硬掩膜层的厚度为4000A～6000A；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层中形成开口；去除所述图形化的光刻胶层，以刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体基体，在所述半导体基体中形成接触孔。本发明提供的接触孔形成方法，在所述半导体基体上形成的硬掩膜层的厚度为4000A～6000A，该厚度值大于通常形成的硬掩膜层的厚度值，由于以硬掩膜层为掩膜刻蚀出的接触孔的孔径与硬掩膜层的厚度成反比，因此，增厚的硬掩膜层能够得到孔径更小的接触孔，以满足半导体器件特征尺寸的显著减小。
一种接触形成方法

[发明专利]SRAM共享接触孔的形成方法-CN201210047382.4无效
发明人：俞柳江 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种SRAM共享接触孔的形成方法，以及一种减小SRAM单元漏电流的方法，并在此基础上，提供了一种SRAM单元，在沉积接触孔刻蚀停止层之前，先沉积一层刻蚀阻挡层，在共享接触孔刻蚀过程中，采用高沉积接触孔刻蚀停止层/第一刻蚀阻挡层选择比的刻蚀方法，使得共享接触孔刻蚀首先停在碳化硅薄膜之上，然后采用高第一刻蚀阻挡层/硅选择比的刻蚀方法，去除碳化硅薄膜，完成共享接触孔刻蚀。刻蚀后共享接触孔之下的侧墙仍然保留，共享接触孔不会直接停在轻掺杂区域之上，从而减小了SRAM的漏电。
sram 共享接触形成方法

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN96106921.X无效
发明人：朴祥均 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-01 - 公布日： 1999-10-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：形成半导体器件接触孔的方法，防止用作接触孔掩模的光致抗蚀剂膜图案因其下的硼磷硅玻璃（ＢＰＳＧ）膜图案在湿法蚀刻时出现的过度蚀刻而与之分离。包括依次在半导体衬底上涂覆绝缘薄膜和平整的ＢＰＳＧ膜，在８０℃至３５０℃热处理ＢＰＳＧ膜，并用热处理所用同一设备以连续方式沉积光致抗蚀剂膜，除去规定部分以形成图案，将ＢＰＳＧ膜的露出部分湿法蚀刻至所需深度，并对剩余部分和绝缘膜干法蚀刻，形成接触孔
形成半导体器件接触方法

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN94119591.0无效
发明人：咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1994-12-23 - 公布日： 1997-12-24 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种形成接触孔的方法，能够得到一个增强了的设计规则，从而能够形成具有临界尺寸的接触孔。该方法是在即将形成许多接触孔的半导体衬底上涂覆一层光刻胶薄膜，然后用两个曝光掩模把光刻胶膜曝光。这两个掩模中的每一掩模都具有互相排列成对角线式且与另一掩模上的窗口互相排列成垂直的窗口，因而，形成光刻胶膜图形，用于使在半导体衬底上分别相应于接触孔的绝缘薄膜暴露。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN95108120.9无效
发明人：金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-07-12 - 公布日： 1998-03-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成半导体器件接触孔的方法，包括以下各步骤，在一给定的基础结构上形成一绝缘膜；在该绝缘膜上形成一些导电布线；在所得结构上形成均厚层间绝缘膜；再在其上形成第一光刻胶膜图形；在第一光刻胶膜图形的侧壁形成氧化膜调距层；在氧化膜调距层之间的层间绝缘膜上形成第二光刻胶膜图形；依次去掉氧化膜调距层，及所露出的层间绝缘膜的区域，形成接触孔，露出导电布线。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN96118975.4无效
发明人：李炳锡;郑义三;宋一锡;李海丁 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-12-16 - 公布日： 1997-07-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种形成半导体器件接触孔的方法，它可准确控制接触孔的形状，减少硅基片表面的损伤，改善电特性。本方法包括以下步骤形成层间绝缘膜，把碳氟化合物基气体和碳氧化物基气体导入蚀刻层间绝缘膜的蚀刻气体注入其中的蚀刻处理室中，以形成接触孔。防止通过接触孔暴露的半导体基片的部分受到损伤。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]硅片表面接触孔的制作方法-CN200510110708.3无效
发明人：周贯宇;吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-11-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面接触孔的制作方法，首先，检测出同一硅片不同形貌位置上接触孔尺寸的偏差，然后，调整光刻板的尺寸，使不同形貌位置的光刻板尺寸＝原有的光刻板尺寸－不同形貌位置上接触孔尺寸的偏差。本发明可使同一硅片不同形貌位置上的接触孔尺寸具有较好的均一性。
硅片表面接触制作方法

[发明专利]电接触器线簧孔座-CN200510013327.3无效
发明人：赏广鸣 -专利权人：赏广鸣
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01R13/33 文献下载
摘要：一种电接触器线簧孔座，有线簧孔部分，和与线簧孔部分连接的引线连接部分，线簧孔部分是金属片材圈成的线簧孔管，线簧孔管壁上有金属片材相接的直缝，其直缝处有由接缝处左右两边相邻的金属片材冲压形成的凸凹形弥合拼缝相连接在线簧孔管两端口处的接缝各有一个凸凹形弥合拼缝。每个凸凹形弥合拼缝的形状是直角钩形或其他形状。本电接触器线簧孔座是采用金属片材冲压成形加工形成的，比采用金属棒材切削加工的线簧孔座节约材料，提高加工的工作效率，并且质量好。采用本新型的电接触器线簧孔座，装配成线簧孔电接触器的电接插件，其外引线只需插接即可，不需要焊接，减少加工工序，工艺简单，并且电连接电接触质量好于焊接。
接触器线簧孔座

[实用新型]一种接触孔搭桥测试结构-CN201420103460.2有效
发明人：周俊;刘丽丽;赵丽丽;吴方锐 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种接触孔搭桥测试结构，包括：形成于一半导体衬底上的绝缘介质层；贯穿所述绝缘介质层的若干接触孔；形成于所述接触孔中的第一金属插塞和第二金属插塞；与所述第一金属插塞连接的第一插塞链和与所述第二金属插塞连接的第二插塞链通过测试所述接触孔搭桥测试结构是否有电流通过，即可判断被测半导体衬底是否发生接触孔搭桥缺陷。
一种接触搭桥测试结构

[实用新型]带有通孔的T型接触件-CN201220028853.2有效
发明人：陈希康;冯岳军;张忠良 -专利权人：江阴市电工合金有限公司
申请日： 2012-01-29 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有通孔的T型接触件，属于电工合金领域，它包括接触件本体，其特征在于所述接触件本体的截面呈T型结构，所述T型结构包括水平段（1）和竖直段（2），所述水平段（1）的左右两侧各设有两个上下方向的第一通孔（3），所述竖直段（2）设有三个左右方向的第二通孔（4），所述接触件本体由铜合金制成，所述接触件本体的表面设有镀银层。本实用新型T型接触件的接触件本体包括水平段和竖直段，并且水平段和竖直段上分别设有第一通孔和第二通孔，因此能适用于具有特殊结构导电零件场合，满足电器行业产品更新换代的要求。
带有接触

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