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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]双接触孔实现方法-CN202210022076.9在审
发明人：潘嘉;杨继业;孙鹏;张同博 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种双接触孔实现方法，提供衬底，衬底形成有隔离沟槽以形成台面结构，用于定义出衬底的有源区，有源区上形成有晶体管结构，晶体管结构包括多个电极，每个电极间均具有间隙；在衬底上形成覆盖多个电极的层间介质层；刻蚀层间介质层以及其下方相邻的两个电极，以形成两个电极共用的接触孔；填充接触孔形成导电层。本发明通过将基极接触孔和发射级接触孔集成为一个共用接触孔的方法，增加了接触孔至沟槽的间距。在此新工艺设计基础上，可以生产出台面更小的IGBT器件，得到更优的IGBT器件。
接触实现方法

[发明专利]共享接触孔制造方法-CN202210395913.2在审
发明人：曹欣雨;曹坚;张亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种共享接触孔制造方法，所述共享接触孔由先后制造的接触孔A和接触孔B共同组成，接触孔A形成后利用无定形碳或SOC或SOC将其填充满，再制造接触孔B，去除剩余无定形碳或SOC或SOC，在SRAM区域形成由接触孔A和接触孔B共同组成的最终共享接触孔。本发明通过在接触孔A形成之后增加沉积无定型碳或SOC方法来保护共享接触孔不会被二次刻蚀影响，利用无定型碳或SOC与接触孔B的高刻蚀选择比保护接触孔A免于二次刻蚀，保护SiGe不被刻穿的同时，又能保证共享接触孔本身形貌符合要求
共享接触制造方法

[发明专利]硅片接触孔工艺方法-CN201310088560.2有效
发明人：李文军;王东;季芝慧 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片接触孔工艺方法，是在半导体制造的接触孔工艺中，用于改善硅片翘曲度。本发明通过平衡接触孔各层金属薄膜相互之间的应力，达到降低硅片翘曲度的效果，工艺简单易于实施。
硅片接触工艺方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201310103937.7有效
发明人：钟鑫生;严凯;丁超;张英男;李斌生;孙超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-27 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的制造方法，包括：提供一基底，对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔，对所述接触孔执行预烘干，对预烘干后的接触孔执行金属填充。在本发明提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物（Condense）。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。
接触制造方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201310654703.1有效
发明人：黄敬勇;张海洋;何其暘 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的刻蚀方法。所述接触孔的刻蚀方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底从下至上依次包括停止层、阻挡层和介质层；在所述介质层中形成通孔；沿所述通孔刻蚀所述阻挡层至暴露出所述停止层的上表面，刻蚀所述阻挡层包括：将刻蚀所述阻挡层分为至少两次进行本发明可以提高接触孔的刻蚀效果，保证半导体器件的有效性。
接触刻蚀方法

[发明专利]形成接触孔的方法-CN200910198064.6有效
发明人：邹立;罗飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成接触孔的方法，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、硬掩膜层和光刻胶层；在光刻胶层上形成接触孔开口图形；以光刻胶层为掩膜，沿接触孔开口图形刻蚀硬掩膜层，形成接触孔开口；去除所述光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜，沿接触孔开口采用等离子体刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层至一定深度，所述深度为形成目标接触孔深度的三分之一至四分之三；判断硬掩膜层表面积累的带电离子类型，在反应腔中通入与所述带电离子类型相反的等离子体，至中和所述带电离子；以硬掩膜层为掩膜，继续刻蚀绝缘介质层至露出半导体衬底，形成目标接触孔。所述方法可形成开口宽度均匀的接触孔。
形成接触方法

[发明专利]接触孔的填充方法-CN200910252940.9有效
发明人：章舒 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔的填充方法，包括：提供带有接触孔的半导体衬底；第一填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质部分填充所述接触孔，所述第一填充阶段中的溅射温度大于400℃；第二填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质填充满所述接触孔本发明能在高温下对接触孔进行填充，提高导电介质的流动性，实现完全填满整个接触孔。
接触填充方法

[发明专利]接触孔的光刻方法-CN200910196547.2有效
发明人：刘思南;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的光刻方法，该方法包括：量测第三中心点与第一上外框的距离、第三中心点与第一下外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对AA层在Y方向的光刻图案位置偏移量
接触光刻方法

[发明专利]开启接触孔的方法-CN200910045139.7有效
发明人：孙武;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种开启接触孔的方法。本发明在刻蚀接触孔底部停止层之前，先利用惰性气体和氧气的混合气体轰击接触孔底部的停止层，以移除堆积在接触孔底部的停止层上表面的聚合物，从而易于将接触孔底部的停止层全部刻蚀掉，以避免器件的接触电阻过大，进而提高器件质量进一步地，本发明还可以在开启接触孔之后去除光刻胶的过程中，利用低温无氧灰化处理、而非高温有氧灰化处理，从而能够避免器件上表面的金属硅化物被氧化，进一步提高器件质量。再进一步地，本发明还可以在无氧灰化之后，利用氮气和氢气轰击与接触孔底部连通的器件上表面，以移除器件上表面堆积的由低温无氧灰化处理而产生的聚合物、并避免器件上表面的金属硅化物氧化。
开启接触方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN200810205386.4有效
发明人：赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔形成方法，包括：在基底上顺序形成刻蚀停止层、介质层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，获得图形化的所述介质层；去除所述图形化的抗蚀剂层，执行所述去除操作时，反应腔室的压力小于20mT
接触形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN200910054929.1有效
发明人：谢飞;谢斯斯;刘锐;刘燕;林涛;张天翼;陈晋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;成都成芯半导体制造有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种接触孔形成方法，包括：提供依次形成有绝缘介质和光刻胶层的晶圆，所述光刻胶层中包含有接触孔图案，绝缘介质层内包含有深度小于预定深度的接触孔；测量晶圆表面光刻胶层中接触孔图案的临界尺寸后，根据接触孔深度与光刻胶层中接触孔图案临界尺寸的关系曲线确定接触孔的深度；对接触孔进行刻蚀至预定深度。
接触形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201010111143.1有效
发明人：杨昌辉;奚裴;肖海波 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔形成方法，包括步骤：提供半导体结构，其包括衬底；位于衬底中及衬底上的MOS器件；覆盖MOS器件和衬底的层间介质层，所述层间介质层包括氧化物层和位于所述氧化物层上的氮化物层；对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在衬底表面，在所述层间介质层中形成通孔，所述刻蚀的同时在通孔内形成刻蚀聚合物；对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀，使所述通孔延伸至衬底内；用酸性溶液清洗，去除所述通孔内剩余的刻蚀聚合物该方法在减小对接触孔侧壁的损伤，提高了接触孔底部的接触电特性。
接触形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201010110197.6有效
发明人：罗飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔形成方法，包括：提供形成了一个以上栅极结构的半导体衬底；在所述半导体衬底以及栅极结构上沉积第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构；在第一氧化硅-氮化硅-第二氧化硅的复合结构上沉积多晶硅层，所述多晶硅层填充栅极结构之间的空隙并且厚度大于栅极结构的厚度采用干法刻蚀工艺去除与栅极位置对应的多晶硅，只保留位于栅极结构之间的多晶硅；采用湿法刻蚀工艺去除暴露出的第二氧化硅；在暴露出的氮化硅层上以及多晶硅层上沉积介质层；平坦化所述介质层至暴露出多晶硅层；去除所述多晶硅层，形成接触孔
接触形成方法

[发明专利]制作接触孔的方法-CN201010022612.2有效
发明人：张力群;覃柳莎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作接触孔的方法，包括下列步骤：提供一前端器件层；在前端器件层上面形成结构层；在结构层上面形成第一硬掩膜层；在第一硬掩膜层上面形成第二硬掩膜层；在第二硬掩膜层上面形成光刻胶层；以光刻胶层为掩膜在第一硬掩膜层以及第二硬掩膜层上形成一层反图案材料层；去除部分反图案材料层直至露出第二硬掩膜层，使反图案材料层的顶部与第二硬掩膜层的顶部平齐，形成具有图案的反图案材料层；去除第二硬掩膜层；将反图案材料层的图案转移到第一硬掩膜层上以及结构层上，形成接触孔
制作接触方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201210552382.X有效
发明人：王民涛;李杰;汪德文;魏国栋;刘玮;杨坤进 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法，包括下列步骤：在晶圆上淀积层间介质；对所述层间介质进行平坦化处理；进行接触孔光刻；进行接触孔湿法腐蚀，将所述层间介质腐蚀掉30%~70%厚度；进行接触孔干法刻蚀。本发明采用两步刻蚀工艺，第一步采用湿法腐蚀，利用腐蚀的各向同性特点，使层间介质在接触孔处的台阶呈类碗型形貌；第二步采用干法刻蚀，利用干法刻蚀的各向异性特点，使台阶形貌接近直角。这样通过湿法腐蚀和干法刻蚀结合，使接触孔处的台阶较平滑，没有大的尖角，避免了金属层易在接触孔边缘尖角处产生空洞，同时保证层间介质在多晶硅栅的台阶处有足够的厚度，保证了足够的BVDSS。
接触刻蚀方法

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