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[发明专利]用于形成接触孔的掩模-CN200710141970.3无效
发明人：全永斗 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种用于形成接触孔的掩模，在所述的掩模中，在用于形成接触孔的光刻处理中，用于形成接触孔的掩模图案被设计为其水平轴长度大于垂直轴长度，或者其垂直轴长度大于水平轴长度。在本发明实施例中，提供了一种用于制造掩模的方法，所述掩模具有用于形成接触孔的多个图案，其中根据待形成的接触孔之间的距离可以设计不同的图案。
用于形成接触

[实用新型]非接触式选孔机构-CN201620866304.0有效
发明人：袁超群 -专利权人：佛山市南海旋旖机械设备有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： B23P19/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非接触式选孔机构，其包括底座、升降杆、夹臂结构、旋转结构和用于感应灯头电极孔的光纤感应器；所述升降杆设置在底座的一侧，所述夹臂结构通过气缸与旋转结构连接；所述光纤感应器位于夹臂结构的下方通过夹臂结构可以将灯头夹起，然后由旋转结构将灯头旋转，安装在夹臂结构下方的光纤感应器伸出光纤探头等灯头的正下方，旋转结构根据光纤感应器的探测来旋转所需要的角度；整个过程全自动化操作，节省了人力和物力，同时提高了灯头选孔的效率
接触式选孔机构

[发明专利]一种半导体用通孔/接触孔-CN201410802991.5有效
发明人：李晓坤 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体用通孔/接触孔，包括第一接触层1、连通孔3以及第二接触层2，所述第一接触层1与第二接触层2通过连通孔3连接，还包括模拟层4，所述模拟层包围在连通孔的外侧，通过模拟层的定义和验证规则的设置
一种半导体用通孔接触

[实用新型]一种半导体用通孔/接触孔-CN201420815187.6有效
发明人：李晓坤 -专利权人：西安华芯半导体有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体用通孔/接触孔，包括第一接触层1、连通孔3以及第二接触层2，所述第一接触层1与第二接触层2通过连通孔3连接，还包括模拟层4，所述模拟层包围在连通孔的外侧，通过模拟层的定义和验证规则的设置
一种半导体用通孔接触

[发明专利]在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构-CN201811080470.8在审
发明人：连文华 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法及接触孔结构，在接触孔或沟槽上方形成阻障层的方法包括在腔室内产生高密度电浆，以及利用高密度电浆将阻障材料沉积在接触孔或沟槽上方。本发明还提供以此方法形成的接触孔结构。本发明的方法能够形成具有较高阶梯覆盖的阻障层。
沉积接触孔阻障层高密度电浆材料沉积高阶梯室内覆盖

[发明专利]接触孔缺陷数据库建立方法、接触孔缺陷检测方法及系统-CN202310319449.3在审
发明人：罗先刚;曾鑫;袁胜豪;高平;向遥;张阳 -专利权人：天府兴隆湖实验室
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请属于集成电路技术领域，具体公开了一种接触孔缺陷数据库建立方法、接触孔缺陷检测方法及系统。接触孔缺陷数据库建立方法包括如下步骤：S1、提供具有接触孔的样本；S2、对样本的接触孔进行缺陷检测，获得每个接触孔的第一检测信息，通过第一检测信息识别出存在缺陷的接触孔；S3、通过存在缺陷的接触孔的第一检测信息计算缺陷类别参数；S4、对存在缺陷的接触孔进行切片采样，识别各接触孔的缺陷类别；S5、根据缺陷类别参数与缺陷类别的对应关系，建立接触孔缺陷类别数据库。该方法通过统计各类缺陷的缺陷类别参数，建立接触孔缺陷数据库，可以实现接触孔缺陷类别的在线检测，且检测效率高，检测结果准确。
接触缺陷数据库建立方法检测系统

[发明专利]自对准接触孔层间膜及制作方法、接触孔刻蚀的方法-CN200710094368.9有效
发明人：王函;吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔层间膜，该接触孔层间膜的制作方法以及本发明的接触孔层间膜上刻蚀接触孔的方法。接触孔层间膜包括自下往上依次为掺杂的氧化硅玻璃和保护氧化膜的两个膜层。制作接触孔层间膜制作方法，在前道工艺完成之后包括两步，1.在硅片上淀积磷硅玻璃；2.在磷硅玻璃上淀积一层保护氧化膜。在本发明的层间膜上刻蚀接触孔的方法将待刻蚀衬底上区分花苞状图形稀疏和密集的区域，针对不同的区域采用不同的刻蚀工艺，不仅使得接触孔能完全打开，而且也兼顾接触孔电阻、击穿电压和漏电性能等工艺电参数。
对准接触孔层间膜制作方法刻蚀方法

[发明专利]一种减小孤立接触孔和密集接触孔之间尺寸差异的方法-CN200310109457.8无效
发明人：肖慧敏 -专利权人：上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2003-12-16 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：尤其在接触孔光刻方面，由于应用了象PSM(移相掩膜)一类的RET技术，在解决了分辨率问题的同时也很容易出现孤立接触孔尺寸远比密集接触孔尺寸小的情况。本发明通过紫外线固胶来降低孤立接触孔和密集接触孔间尺寸的差异。由于孤立接触孔周围大片是光刻胶，和密集接触孔相比光刻胶收缩导致的尺寸变化更大，从而可以明显减小二者之间的差异，甚至将二者调整到一致。
一种减小孤立接触密集之间尺寸差异方法

[发明专利]降低接触孔接触电阻的结构及其制造方法-CN202310631053.2在审
发明人：施江;李刚;张亮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种降低接触孔接触电阻的结构，包括衬底，衬底上形成有栅极结构以及位于栅极结构两侧的源、漏区，在衬底上形成有覆盖栅极结构的层间介质层结构，在层间介质层结构上形成与源、漏区连通的接触孔；接触孔的底部形成有NiSi层，NiSi层上形成有TiSi层；接触孔的侧壁形成有依次堆叠的Ti层、第二氮化钛层、第三氮化钛层；接触孔中形成有导电金属层。本发明在接触孔底部形成NiSi层、TiSi层双层结构降低接触电阻，提升器件性能。
降低接触电阻结构及其制造方法

[发明专利]降低接触孔内形成的肖特基接触漏电的方法-CN200910201961.8有效
发明人：金勤海;李陆萍;缪进征 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低接触孔内形成的肖特基接触漏电的方法，其为在刻蚀层间膜和P型导电区域形成接触孔之后，在接触孔内壁依次淀积钛层、氮化钛层、铝硅铜层、钛层和氮化钛层作为阻挡层。采用本发明的方法，实现了同等现有工艺的低正向导通电压，但比现有肖特基接触反向漏电降低一个数量级。
降低接触形成肖特基漏电方法

[发明专利]于接触形成中防止接触孔宽度增加的方法-CN200480033777.2无效
发明人： D·M·霍珀;H·木下;C·吴 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：依照一个范例实施例，一种在半导体芯片中的硅化物层(214)之上形成接触的方法，包括步骤：在接触孔(208)侧壁(206、207)上和在位于接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)上沉积阻挡层(202)，其中该侧壁(206、207)由介电层(204)中的接触孔(208)所界定。该沉积(150)阻挡层(202)于接触孔(208)的侧壁(206、207)和于自生氧化物层(210)上的步骤(150)能够最优化，而使得阻挡层(202)在接触孔(208)的顶部具有较在该接触孔(208)依照此范例实施例，本方法复包括移除(152)阻挡层(202)的一部分(219)和位于在接触孔(208)底部的自生氧化物层(210)，以暴露硅化物层(214)的步骤。
接触形成防止宽度增加方法

[发明专利]接触孔测试装置和有源区接触孔对栅极的漏电流测试方法-CN201010110806.8有效
发明人：龚斌;郭强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种接触孔测试装置和有源区接触孔对栅极的漏电流测试方法，若干个在长度方向上平行的带状有源区；在所述每个有源区的两侧分别生成多行的两列有源区接触孔，从第一行第二列的有源区接触孔开始，通过顶端的第一金属线连接成有源区接触孔链路，直到最后一行倒数最后第二列的有源区接触孔为止；在两列有源区接触孔之间的有源区上的栅氧化层表面，具有长度大于有源区宽度的栅极，在栅极的两端分别生成栅极接触孔，从第一行第二列的栅极接触孔开始，通过顶端的第二金属线连接成栅极链路，直到最后一行倒数最后第二列的栅极接触孔为止。
接触测试装置有源栅极漏电方法

[发明专利]扫描接触孔断路缺陷的方法-CN201810020521.1在审
发明人：许平康;方桂芹;黄仁德 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-01-10 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置的接触孔断路缺陷的检测方法。其中一个实施例提供了一种改进的扫描接触孔断路缺陷的方法，其包括：对衬底上的隔离层中刻蚀的接触孔进行超声波扫描；根据超声波扫描的结果，判定是否存在具有断路缺陷的接触孔；以及当判定存在具有断路缺陷的接触孔时，确定具有断路缺陷的接触孔的位置。
接触孔断路缺陷超声波扫描判定扫描半导体装置隔离层衬底刻蚀检测改进

[发明专利]电容极板接触孔的刻蚀方法-CN202011462812.X在审
发明人：马莉娜;姚道州;肖培 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及电容极板接触孔的刻蚀方法，包括：提供带有电容结构的集成电路器件；通过光刻定义出上、下极板接触孔图案；进行初步刻蚀，形成的上极板接触孔的孔底与上极板之间剩余有第一厚度的介质层；通过刻蚀气体，对初步刻蚀后的所述集成电路器件进行等离子刻蚀，刻蚀去除第一厚度的介质层，使得所述刻蚀气体在所述集成电路器件外露的表面上发生聚合反应，形成聚合物；进行进一步刻蚀，刻蚀去除剩余在下极板接触孔孔底与下极板之间的第二厚度的介质层，使得下极板接触孔的孔底与下极板接触。本申请提供的电容极板接触孔的刻蚀方法，能够解决相关技术中因氧化层的厚度差异，导致极板刻穿的问题。
电容极板接触刻蚀方法

[发明专利]改善接触孔过刻蚀的方法-CN202210702727.9在审
发明人：张方方;贺可强;张磊;陈昊瑜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善接触孔过刻蚀的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离，浅沟槽隔离上形成有第一、二半导体结构，浅沟槽隔离上形成有覆盖第一、二半导体结构的第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层上形成有层间介质层以及形成于层间介质层上的第二刻蚀停止层；通过光刻和刻蚀，形成贯通第一、二刻蚀停止层、层间介质层，且与第一半导体结构连通的第一接触孔；以及形成贯通第二刻蚀停止层、层间介质层，且不与第二半导体结构连通的第二接触孔；形成填充第一、二接触孔的保护层，回刻蚀保护层至第一接触孔与其下方的第二半导体结构连通。
改善接触刻蚀方法