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[实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器-CN201520792014.1有效
发明人：陈俭;张智侃 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。
金属绝缘电容器

[实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器-CN201520800265.X有效
发明人：张智侃;陈俭;张斌 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器，适于用于集成电路的片内电容，包括：第一金属层；位于第一金属层表面的第一介质层，第一介质层上定义有电容器区域；位于电容区域的第一介质层中的若干通孔或沟槽，通孔或沟槽暴露出第一金属层表面；于第一介质层表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属层表面依次形成的电容下极板、电容介质层、电容上极板；填充于通孔或沟槽中的导电塞层；位于第一介质层上的第二金属层。
金属绝缘电容器

[实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器-CN201721112455.8有效
发明人：丁启源;王富中;杨双越;李建明 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上包括第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率
金属绝缘电容器

[发明专利]改善金属层-绝缘介质层-金属层失配参数的方法-CN201310217820.1有效
发明人：胡友存;姬峰;李磊;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种改善金属层-绝缘介质层-金属层失配参数的方法，包括：对具有所述金属铜填充的基底进行化学机械研磨，并淀积刻蚀阻挡层；对刻蚀阻挡层进行光刻、刻蚀、清洗，以形成接触区域；在所述刻蚀阻挡层和所述接触区域淀积第一氮化钽；对所述第一氮化钽进行化学机械研磨；淀积绝缘介质层，以形成第一接触界面；在所述绝缘介质层上淀积第二氮化钽；对所述第二氮化钽进行光刻、刻蚀、清洗，以形成第二接触界面；在所述器件区和所述互连区处实现铜互连。本发明通过在所述器件区的第一金属铜上沉积第一氮化钽，并与所述绝缘介质层相邻，使得第二接触界面和第一接触界面具有相同材质，且表面粗糙度得到改善，从而在电学性能上改善了失配参数。
改善金属绝缘介质失配参数方法

[实用新型]金属层板-CN202120967436.3有效
发明人：向纯斌;叶满林;王成钢;罗贤 -专利权人：惠州市诚业家具有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： A47B96/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种金属层板，包括呈方形的主体板，主体板两端分别呈直角折弯形成有端板，每一端板的两端均呈直角折弯形成有竖向折边及水平折边，水平折边与主体板平行设置，每一竖向折边的一端抵持于对应的水平折边表面本实用新型提供的金属层板制造简单便捷，制造成本较低，结构强度较高，且易于实现大批量自动化生产。
金属

[外观设计]金属层架-CN202030530977.0有效
发明人：闫娜娜;吴干金;谭元辉;陈治兵 -专利权人：海信容声（广东）冰箱有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： 15-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：金属层架。2.本外观设计产品的用途：一种用于冰箱内部或冷柜产品内部的置物装置。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
金属

[发明专利]金属层隔膜-CN201080007982.7有效
发明人： Y·霍贾特 -专利权人：盖茨公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B32B3/30 文献下载
摘要：一种隔膜，其包括第一弹性体层和第二弹性体层，当衬底弹性体层处于拉伸状态时在未受力状态下沉积于所述衬底弹性体层上的金属层，金属层的透气率为零，金属层和衬底弹性体层被置于第一弹性体层和第二弹性体层之间并与它们粘合，第一弹性体层和第二弹性体层分别包括用于在隔膜收缩时接收金属层和衬底弹性体层的空腔。
金属隔膜

[发明专利]金属附着层以及金属附着层的沉积方法-CN96123909.3无效
发明人： R·弗里德 -专利权人：阿尔斯通公司
申请日： 1996-12-02 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C23C4/02 文献下载
摘要：一种适用于在金属构件(1)上热喷涂的陶瓷绝热层(6)的金属附着层的沉积方法，其中需要喷涂的表面在第一处理阶段被清洗，这样就得到一种无油脂和氧化物的金属表面，在第二处理阶段中将粘接剂(3)涂覆在基底材料(2)的金属表面上，在第三处理阶段中在粘接剂(3)上均匀地涂覆金属粘接粉剂(4)，在第四处理阶段中在涂覆了金属粘接粉剂(4)的粘接剂(3)上均匀地涂覆颗粒尺寸比粘接粉剂(4)小的助焊剂(5)，以及在粘接剂这样得到的附着层是粗糙的并提供适合于在其上喷涂的陶瓷绝热层(6)的形状配合。
金属附着以及沉积方法

[发明专利]金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法-CN201710777336.2在审
发明人：丁启源;王富中;杨双越;李建明 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提出一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器及其形成方法，适于应用于集成电路的片内电容，由下至上形成第一金属层、层间金属层、第二金属层，各金属层之间由绝缘层彼此间隔；第一金属层包括第一金属层A区域和第一金属层B区域，层间金属层包括层间金属层A区域和层间金属层B区域；MIM_A电容器的下极板第一金属层A区域与MIM_B电容器的上极板层间金属层B区域通过第二金属层的部分连线相连，MIM_A电容器的上极板层间金属层A区域与MIM_B电容器的下极板第一金属层B区域通过第二金属层的另一部分连线相连，降低了电容器上极板的连线阻抗，因此不再需要大面积的第二金属层来降低上极板的连线阻抗，从而节省了第二金属层的占用面积，提高了芯片面积的利用效率
金属绝缘电容器及其形成方法

[发明专利]金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法-CN201510660408.6在审
发明人：张智侃;陈俭;张斌 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供第一金属层，提供位于第一金属层表面的第一介质层，定义电容区域；刻蚀电容区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出第一金属层表面；于第一介质层表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属层表面依次形成电容下极板、电容介质层、电容上极板；于通孔或沟槽中填充形成导电塞层；于第一介质层上形成第二金属层。
金属绝缘电容器及其制作方法

[发明专利]金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法-CN201510660295.X有效
发明人：陈俭;张智侃 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，其包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。
金属绝缘电容器及其制作方法

[发明专利]纤维金属层合板制备方法及纤维金属层合板-CN201710221337.9在审
发明人：方文俊;杨旭静;莫富灏;韦凯;李茂君;肖志 -专利权人：湖南大学
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本发明公开了纤维金属层合板制备方法，其包括以下步骤在热压机中的模具上涂抹脱模蜡/脱模剂；在模具中依次放置一层金属薄片、至少一层界面薄膜、至少两层纤维预浸带织物、至少一层界面薄膜、一层金属薄片；设置热压机工艺参数并启动热压机，热压机中的模具到达预设温度后进行保温，并在预设温度下进行保压，最后以预设冷却速率进行冷却得到纤维金属层合板；通过热压机采用热模压的方法实现纤维预浸带织物与金属薄板的复合成型，从而使得制件表面光滑平整且力学性能高，与同厚度的钢制件相比大大并降低了重量；涂刷脱模剂或脱模蜡，并铺设脱模布，使得成型后的复合材料容易脱模；且纤维金属层合板相对于单纯的复合材料成本低，且性能更加优越。
纤维金属合板制备方法

[发明专利]金属层的蚀刻方法及金属层的掩模结构-CN201210472774.5有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属层的蚀刻方法及金属层的掩模结构。所述方法包括提供半导体结构，所述半导体结构包括金属层；形成媒介层覆盖所述金属层；形成硬掩膜层覆盖所述媒介层；形成光刻胶层覆盖所述硬掩膜层；对所述光刻胶层进行曝光显影，以图案化所述光刻胶层形成光刻胶掩膜层，所述光刻胶掩膜层暴露出部分所述硬掩膜层；蚀刻暴露部分的所述硬掩膜层及其下方的所述媒介层和所述金属层。本发明所提供的金属层的蚀刻方法，由于配合使用了硬掩膜层和媒介层，在蚀刻厚金属层的过程中不再蚀刻光刻胶层（或者说光刻胶掩膜层），因而不会在侧壁表面形成过多聚合物，从而避免侧壁因此出现断层的情况，提高了侧壁的平整度
金属蚀刻方法结构

[发明专利]金属层处理方法-CN200910198112.1有效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属层处理方法，提供基底，所述基底包括衬底和形成在衬底表面的介质层；所述介质层内形成有暴露衬底的接触孔；所述介质层表面和所述接触孔内形成有金属层；对所述金属层退火；控制退火和化学机械抛光之间的时间间隔，对所述退火后的金属层进行化学机械抛光，直至暴露出介质层。本发明能够避免金属层因承受较大的张应力而导致金属层内的微孔隙产生聚集，而在金属层内形成大的空隙，从而降低芯片的良率和可靠性。
金属处理方法

[发明专利]金属层重工方法-CN200910045592.8无效
发明人：李佩;黄军平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提出一种金属层重工方法，应用于集成电路制造领域，该方法包括下列步骤：对所述金属层进行化学机械研磨处理，去除金属层表面的波形结构和部分金属形成全局平坦化的金属层；在上述金属层上沉积钝化层；对上述结构进行化学机械研磨处理，去除钝化层和部分金属形成平坦化的金属层。本发明提出的金属层重工方法，能够大大减少正常的化学机械研磨工艺后可能造成的表面缺陷：包括金属，化学品，研磨液以及微粒子残留等缺陷甚至金属表面腐蚀及弹坑缺陷，可以显著改善化学机械研磨工艺后的缺陷，提高芯片最终良率
金属重工方法

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