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[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810330470.2有效
发明人：刘怡良;李昱廷;龚昌鸿;陈建勋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有栅极结构，源漏区，CESL层和第一层间膜的半导体衬底；步骤二、形成硬质掩膜层；步骤三、形成第二层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、以硬质掩膜层为停止层进行第一次接触孔刻蚀；步骤六、以接触孔刻蚀阻挡层为停止层进行第二次接触孔刻蚀；步骤七、在二次刻蚀后的接触孔的开口中填充金属形成对应的接触孔。本发明能提高接触孔的开口的底部宽度，从而能改善接触孔的金属填充能力并防止金属空洞形成。
接触制造方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN201810381404.8有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的制造方法，从工艺整合的角度考量，根据所述硬掩膜层的厚度和/或所述第一抗反射层的厚度确定抗反射层刻蚀的刻蚀工艺条件，所述刻蚀工艺条件包括对所述硬掩膜层的过刻蚀量，进而根据所述刻蚀工艺条件对所述第二抗反射层、第一抗反射层进行抗反射层刻蚀，从而降低形成的开口的深宽比，保证刻蚀打开硬掩膜层时的图案的精确性，从而达到改善最终形成的接触孔的缺陷的目的。
接触制造方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201310354603.7有效
发明人：吴敏;杨渝书;李程 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-08-14 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种接触孔的刻蚀方法，在刻蚀抗反射层之后，刻蚀层间介质层之前，在所述抗反射层和图案化的光阻层表面以及刻蚀孔的侧壁形成聚合物，聚合物一方面填充与所述刻蚀孔，使刻蚀孔的直径进一步缩小，从而能够形成尺寸较小的接触孔；另一方面聚合物能够保护所述刻蚀孔内壁，使后续形成的接触孔具有良好的形貌，符合工艺要求。
接触刻蚀方法

[发明专利]形成接触孔的方法-CN201210088632.9有效
发明人：王新鹏;黄怡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成接触孔的方法，包括：提供基底，基底上具有包括第一应力垫衬层和第二应力垫衬层的双应力垫衬层，且第一应力垫衬层和第二应力垫衬层具有叠置部分；在双应力垫衬层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层刻蚀多个第一开口下的第二介质层、叠置部分的位于顶层的应力垫衬层和第一介质层，形成多个第二开口，多个第二开口底部暴露出第一应力垫衬层、第二应力垫衬层、叠置部分的位于底层的应力垫衬层；去除位于第二开口下的应力垫衬层，形成接触孔
形成接触方法

[发明专利]接触通孔刻蚀方法-CN201110299840.9有效
发明人：隋运奇;王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触通孔刻蚀方法，由于在栅极区上方的层间介质隔离层内对应栅极区处形成了一层栅极耐刻蚀层，因此借助该栅极耐刻蚀层，在刻蚀栅极接触通孔和共享接触通孔时，可抵消由于半导体结构栅极区及有源区上不同厚度层间介质隔离层导致的栅极区过刻蚀的问题
接触刻蚀方法

[发明专利]接触通孔蚀刻方法-CN201410329093.2有效
发明人：伏广才;许继辉;苏良得;倪梁;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触通孔蚀刻方法，适用于至少由第一材料层和第二材料层堆叠形成的复合层结构，其中该第一材料层和第二材料层的材料不同，该接触通孔蚀刻方法包括：a.使用博世蚀刻工艺蚀刻第一材料层，以在该第一材料层内形成接触通孔，其中该博世蚀刻工艺进一步包括：a1.在接触通孔的侧壁和底部形成聚合物；a2.去除该接触通孔的底部处的聚合物；a3.在接触通孔中蚀刻预定深度；a4.重复执行上述步骤a1‑a3，直至该接触通孔在该第一材料层内达到一指定深度；以及b.使用不同于上述博世蚀刻工艺的另一蚀刻工艺来蚀刻已达到该指定深度的接触通孔，使得该接触通孔达到该第一材料层下面的第二材料层。本发明可以使蚀刻得到的接触通孔具有更好的形貌。
接触通孔蚀刻第一材料蚀刻工艺第二材料层聚合物形貌复合层结构重复执行侧壁堆叠去除

[发明专利]接触孔失效评估方法-CN201010267382.6有效
发明人：韩秋华;黄敬勇;宁超 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了接触孔失效评估方法，包括：提供评估晶圆，在所述评估晶圆上形成评估器件图形，所述评估器件图形包括第一器件区以及第二器件区；其中，第二器件区与PMOS晶体管的结构以及尺寸相同；第一器件区与NMOS晶体管相比，区别在于对应NMOS晶体管的P阱具有不同的掺杂类型，使得在进行电子束扫描时，第一器件区中N型掺杂的有源区的导电能力强于NMOS晶体管的源/漏极；在所述评估晶圆上进行与产品晶圆相同的接触孔形成工艺；采用电子束扫描评估晶圆的表面，并获取晶圆表面各处的扫描亮度；本发明在电子束扫描接触孔时，形成较亮光斑，从而易于与周围区域区分开，有效避免了机台对失效接触孔的漏检或错检。
接触失效评估方法

[发明专利]接触孔的刻蚀方法-CN201010276881.1有效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的刻蚀方法，包括：淀积掺磷氧化膜作为SAB的氧化膜；采用光刻工艺定义出形成钴硅化物的区域，接着刻蚀去除位于钴硅化物区域的掺磷氧化膜；淀积金属钴，之后退火处理形成钴硅化物，接着去除剩余的钴；依次淀积氮化硅层和介质层；在介质层上定义出接触孔的位置，而后刻蚀所述介质层至钴化硅物上，形成钴硅化物区域的接触孔；而后采用四氟乙烷作为刻蚀气体进行过刻蚀，去除位于接触孔区域的掺磷氧化膜至硅衬底，形成无钴硅化物区域的接触孔
接触刻蚀方法

[发明专利]形成接触孔的方法-CN03106326.8有效
发明人：廖子毅;许建宙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-02-24 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制造方法。首先提供一衬底，在上述衬底上依序形成具有不同蚀刻速率的第一介电层、第二介电层及第三介电层。接着，在上述第三介电层上，形成一图案化的掩模层。以一蚀刻工序去除未被该掩模层所覆盖的部分的第一介电层、第二介电层及第三介电层，直至裸露出该衬底，以形成一接触孔开口。本发明的目的在于提供一个较佳的接触孔开口结构，增加次层金属层的覆盖能力，以减少元件断线或是阻抗的增加。
形成接触方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN201610719050.4有效
发明人： J·K·朴;P·D·胡斯泰特 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。
接触形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN200610029917.X有效
发明人：宋伟基;朱旋;陈昱升;毛刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔形成方法，该方法包括提供一形成了多个栅极的衬底，所述栅极的侧壁上具有侧壁层；在所述衬底上沉积附加介质层；刻蚀所述附加介质层，在所述栅极侧壁处形成附加侧壁层；在所述衬底上沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上沉积层间介质层；图形化所述层间介质层，并刻蚀形成接触孔。
接触形成方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN200610029906.1有效
发明人：宋伟基;朱旋;陈昱升;何德飚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔形成方法，包括步骤：提供一形成了多个栅极的衬底，所述栅极的侧壁上具有侧壁层；在所述栅极之间形成源/漏极掺杂区；在所述衬底上沉积附加介质层；图形化后刻蚀所述附加介质层；在所述附加介质层上沉积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上沉积层间介质层；图形化所述层间介质层，并刻蚀形成接触孔。本发明改善了不同种类的接触孔的刻蚀速率不同而导致的刻蚀结果不一致的问题，提高了产品的成品率及器件的可靠性。
接触形成方法

[发明专利]接触孔的填充方法-CN200610030809.4有效
发明人：朱旋;宋伟基;毛刚;何德飚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-04 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种接触孔的填充方法，包括：提供一表面具有至少一个接触孔开口的衬底；在所述衬底上形成粘附层；在所述粘附层上形成阻挡层；对所述接触孔开口的底部的所述阻挡层进行减薄处理；在所述接触孔开口内形成钨塞。本发明的填充方法使得接触孔的底部阻挡层厚度减小，改善了接触孔的电特性。
接触填充方法

[发明专利]形成接触孔的方法-CN200710094462.4有效
发明人：何其旸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成接触孔的方法，包括：在半导体衬底上依次形成绝缘介质层、阻挡层和第一光刻胶层；将光掩模版上的接触孔图案转移至第一光刻胶层上，形成第一接触孔开口图形；以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层，形成第一接触孔开口；去除第一光刻胶层后，在阻挡层上形成平整的第二光刻胶层；相对第一接触孔开口位置进行偏移，将光掩模版上的接触孔图案转移至第二光刻胶层上，形成第二接触孔开口图形；以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层至露出绝缘介质层，形成目标接触孔开口；去除第二光刻胶层后，以阻挡层为掩膜，沿目标接触孔开口刻蚀绝缘介质层至露出半导体衬底，形成目标接触孔。本发明的接触孔临界尺寸可按工艺需求进行减小。
形成接触方法

[发明专利]接触孔的制造方法-CN200610159332.X有效
发明人：周珮玉;蔡文洲;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明披露一种接触孔的制造方法。提供一半导体基底，其具有一导电区域，于该半导体基底及该导电区域上沉积一介电层，接着于该介电层上涂布一蚀刻抵挡层、一含硅层以及一光致抗蚀剂层。再利用该光致抗蚀剂层作为一蚀刻屏蔽，经由该第一开口蚀刻该含硅层，以于该含硅层中形成一具有渐缩倾斜侧壁的第二开口，然后，分别利用该含硅层以及该蚀刻抵挡层作为蚀刻屏蔽，经由该第二开口蚀刻该蚀刻抵挡层以及该介电层，以于该介电层中形成一接触孔
接触制造方法