专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]栅极结构-CN201110037704.2无效
  • 陈俊元 - 南亚科技股份有限公司
  • 2011-02-11 - 2012-07-11 - H01L29/51
  • 本发明提供一种栅极结构,包括介电层、栅极导体层以及顶盖堆叠结构栅极导体层位于基底上。介电层位于栅极导体层与基底之间。栅极导体层位于顶盖堆叠结构与介电层之间。顶盖堆叠结构位于栅极导体层上,其包括至少两层材质不同且相接触的绝缘材料层。基于上述,本发明栅极结构,可以减轻电阻电容延迟的问题。
  • 栅极结构
  • [实用新型]栅极结构-CN202021019541.6有效
  • 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-06-05 - 2020-11-13 - H01L29/423
  • 本实用新型公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一介电层位于所述有源区上且位于栅极图案两侧的边缘部位、一第二介电层位于所述栅极图案中间的所述有源区上以及所述栅极图案两侧的边缘部位的所述第一介电层上,其中所述第二介电层位于所述第一介电层上的部位的厚度大于所述第二介电层位于所述有源区上的部位的厚度本实用新型具有特殊的栅极介电层设计,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。
  • 栅极结构
  • [实用新型]栅极结构-CN202021019538.4有效
  • 张钦福;林昭维;朱家仪;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-06-05 - 2020-12-04 - H01L29/423
  • 本实用新型公开了一种栅极结构,包含一有源区、一第一栅极介电层位于所述有源区上、遮蔽层位于所述第一栅极介电层上且分别位于所述栅极结构两侧的边缘部位、一第二栅极介电层共形地位于所述第一栅极介电层与所述遮蔽层上、一栅极导电层位于所述第二栅极介电层上,其中所述第二栅极介电层围绕所述栅极导电层、以及一氮化硅盖层位于所述栅极导电层上。本实用新型所提出具有特殊设计的栅极介电层,可以抑制GIDL问题,同时又不会引起其他不良的影响。
  • 栅极结构
  • [发明专利]栅极结构的形成方法以及栅极结构-CN201410522016.9在审
  • 何有丰 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-09-30 - 2016-04-27 - H01L21/28
  • 本发明提供一种栅极结构的形成方法以及栅极结构,形成方法包括:提供衬底;形成第一氧化层;形成氮化物层;形成第一栅极,使位于第一区域的第一氧化层以及氮化物层形成输入/输出MOS器件的栅极介质层;在第二区域的衬底上形成第二栅极栅极结构包括:衬底、位于第一区域的衬底上的第一氧化层、位于第一氧化层的表面的氮化物层,氮化物层为对第一氧化层进行氮化处理而形成的、位于第一区域氮化物层上的第一栅极以及位于第二区域衬底上的第二栅极。本发明的有益效果在于:在输入/输出MOS器件的栅极介质层的物理厚度不变的情况下,减少栅极介质层的漏电几率,并增加栅极介质层的电学稳定性,并减小了等效氧化层厚度。
  • 栅极结构形成方法以及
  • [实用新型]多重栅极结构-CN200420049601.3无效
  • 陈豪育;杨育佳;杨富量 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2004-04-22 - 2005-04-13 - H01L29/78
  • 本实用新型是关于一种多重栅极结构,包括:多个鳍型半导体层,沿一第一方向大体平行地排列,且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑,其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面;以及一栅极导电层,沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层的部分表面上,且于栅极导电层与其所覆盖的上述鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层,其中此栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的此等鳍型半导体层的底面。
  • 多重栅极结构

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