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- [发明专利]栅极结构的形成方法以及栅极结构-CN201410522016.9在审
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何有丰
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2014-09-30
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2016-04-27
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H01L21/28
- 本发明提供一种栅极结构的形成方法以及栅极结构,形成方法包括:提供衬底;形成第一氧化层;形成氮化物层;形成第一栅极,使位于第一区域的第一氧化层以及氮化物层形成输入/输出MOS器件的栅极介质层;在第二区域的衬底上形成第二栅极栅极结构包括:衬底、位于第一区域的衬底上的第一氧化层、位于第一氧化层的表面的氮化物层,氮化物层为对第一氧化层进行氮化处理而形成的、位于第一区域氮化物层上的第一栅极以及位于第二区域衬底上的第二栅极。本发明的有益效果在于:在输入/输出MOS器件的栅极介质层的物理厚度不变的情况下,减少栅极介质层的漏电几率,并增加栅极介质层的电学稳定性,并减小了等效氧化层厚度。
- 栅极结构形成方法以及
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