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- [实用新型]一种晶粒的测试设备-CN202021544223.1有效
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李昕昱
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昕昱科技发展(深圳)有限公司
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2020-07-30
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2021-03-16
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H01L21/67
- 一种晶粒的测试设备,包括工作台,在工作台上设有晶粒取放机构、晶粒料盘转移机构、晶粒摆放区域和晶粒测试位,晶粒摆放区域设有待测区域和已测区域,待测区域和已测区域布置有摆放晶粒的晶粒料盘,晶粒料盘可摆放多个晶粒,晶粒取放机构从待测区域取出晶粒,并运送至晶粒测试位进行测试,接着将测试好的晶粒放到已测区域相对应的晶粒料盘,当测试完一个在待测区域的晶粒料盘的所有晶粒后,晶粒料盘转移机构将已测好所有晶粒的晶粒料盘转移至已测区域;实现了晶粒送检的自动化,并且对已测晶粒进行的有效的分类,避免后续出现将不同参数规格的晶粒混淆的情况。
- 一种晶粒测试设备
- [发明专利]防止包住气泡的晶粒转移方法-CN202210072477.5在审
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卢彦豪
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梭特科技股份有限公司
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2022-01-21
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2023-08-01
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H01L21/50
- 本发明提供了一种防止包住气泡的晶粒转移方法,包括下列步骤:吸附装置借由第一负压吸附晶粒,晶粒弯曲;固晶装置借由正压吹拂晶粒放置区,晶粒放置区向上隆起,晶粒放置区的中心接触到晶粒的中心,晶粒放置区的周围和晶粒的周围之间形成缝隙;以及吸附装置停止借由第一负压吸附晶粒,晶粒恢复成平坦状并且脱离吸附装置,固晶装置停止借由正压吹拂晶粒放置区,晶粒放置区恢复成平坦状;晶粒和晶粒放置区将缝隙内的空气向外挤出,使得缝隙闭合,晶粒的底面紧密贴合于晶粒放置区的顶面借此,本发明能够达到防止晶粒与晶粒放置区包住气泡的效果。
- 防止包住气泡晶粒转移方法
- [发明专利]晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件-CN00819423.8无效
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S·Y·L洪;K·K·何
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先进微装置公司
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2000-11-17
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2003-10-29
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H01L21/98
- 一种将叠晶晶粒(stackeddie)结构的上方晶粒黏接到下方晶粒的方法,此方法不会污染下方晶粒打线垫片,且提供一致的黏接线厚度。本发明的实施例包含将晶粒黏接材料层涂覆于覆晶晶粒封装结构的上方晶粒中,而上方晶粒仍为晶片的型式,且经由将黏滞状态的环氧树脂以旋转或幕涂于晶片的背面,或者是将环氧树脂薄膜叠层于晶片的背面。然后将晶片置于锯带上,而切割该晶粒,其中包含上方晶粒。然后将上方晶粒置于下方晶粒的上方,而熟化环氧树脂。因为在下方晶粒上不会沉积黏滞性的晶粒黏接材料层,晶粒黏接材料不会流入下方晶粒的黏接垫片上。因此,可以减少下方晶粒的尺寸,使得当上方晶粒连接到下方晶粒的上表面时,只曝露出下方晶粒的黏接区域,因此使得叠晶的晶粒尺寸达到最小。另外,经由将上方晶粒的整个晶粒连结区域中覆盖上预定数量的晶粒黏接材料,所以可以小心地控制在上方晶粒及下方晶粒之间的黏接线厚度,而改进可靠度。
- 晶片背面晶粒材料预先使用方法封装组件
- [发明专利]一种受控金属虚拟微观组织模拟生成方法-CN202310815270.7在审
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胡贇;陈奥;刘永青;王有权
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南昌大学
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2023-07-05
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2023-09-19
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G16C60/00
- 本发明公开了一种受控金属虚拟微观组织模拟生成方法,以Voronoi镶嵌模型作为基础的晶粒模型,对金属材料的晶粒区域赋予不同的控制参数,对晶粒模型赋予不同的规则度获得晶粒尺寸分布为不同泊松曲线的等轴晶晶粒模型;在等轴晶晶粒模型的基础上,对晶粒赋予更高的晶粒长宽比系数得到柱状晶模型;在等轴晶晶粒模型的基础上,将区域进行划分,然后对不同区域的晶粒赋予不同的晶粒长宽比系数,得到过渡结构晶粒模型;对上述三种晶粒模型赋予晶界,得到有界的晶粒模型。本发明对传统的Voronoi镶嵌模型赋予晶粒尺寸,晶粒规则度,晶界宽度,晶粒长宽比系数等控制参数,根据实际需要,来控制生成金属虚拟微观组织,很好的贴合实际晶粒模型。
- 一种受控金属虚拟微观组织模拟生成方法
- [实用新型]直列式二极管晶粒测分设备-CN201020551318.6有效
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林加斌;许资彬
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强茂电子(无锡)有限公司
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2010-10-05
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2011-06-01
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H01L21/66
- 本实用新型公开了一种直列式二极管晶粒测分设备,包括机身、测试电脑,机身上设置有工作台面,工作台面上设置有列式晶粒吸盘,工作台面上列式晶粒吸盘的后侧设置有晶粒顶针,工作台面上晶粒顶针的后侧设置有晶粒分级盒的落料槽,晶粒分级盒设置在工作台面的下方,机身上工作台面的上方两侧设置有滑动导轨,滑动导轨上设置有可与其相对滑动的移动单元,所述移动单元的下端面上设置有晶粒吸嘴,移动单元的上方为机台控制盒,机台控制盒通过连线与移动单元连接采用晶粒吸嘴从直列式晶粒吸盘吸取晶粒,移动至晶粒顶针处通过测试电脑进行测试,测试后晶粒按等级排入相关晶粒分级盒;减少了晶粒的运动时间,节省了晶粒的测试时间,晶粒测分效率大幅提升,晶粒通过真空吸取,未与震动轨道的金属层摩擦,减少了晶粒外观损伤,提升了晶粒品质。
- 直列式二极管晶粒设备
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