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[发明专利]一种沟道处理方法及存储介质-CN202310826153.0在审
发明人：杨欣;郭振强;黄鹏;孙少俊 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种沟道处理方法及存储介质；于紧前的沟槽成型步骤形成基础拓扑即沟槽隔离结构（111），于内缩PB（Pull Back）的沟槽上进一步构造处置层的介质结构，即第五膜结构（050）；进而可结合沟槽隔离结构（111）的物理特征，例如浅沟槽隔离结构STI（Shallow Trench Isolation），生成功能单元，又如存储介质；其中，第五膜结构（050）可采用去耦合等离子氮化工艺DPN（Decoupled Plasma Nitridation）来构造，可有效缓冲高宽比制程HARP（High Ratio Process）在沟道产生的应力，亦可确保特定载流子的迁移率；其方法可有效改善静态随机存储器SRAM（Static Random Access Memory）的失配（Mismatch）特性，提升器件的一致性（Uniformity）、减少漏电并提升产品良率；其方法及产品的制备无须添置步骤，可在原制程上灵活升级。
一种沟道处理方法存储介质

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN202310924583.6在审
发明人：李美娟;肖敬才;徐丰;黄鹏;郭振强;房子荃 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制作方法。提供半导体衬底，所述半导体衬底的各个元胞中分别形成有栅极结构，所有所述栅极结构的长度延伸方向相同；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第一侧的半导体衬底中第一源漏端进行第一离子注入，在所述第一源漏端形成第一晕环区；所述第一晕环区与所述栅极结构交叠；向位于所有所述栅极结构的宽度方向第二侧的半导体衬底中第二源漏端进行第二离子注入，在所述第二源漏端形成第二晕环区；所述第二晕环区与所述栅极结构交叠。
半导体器件制作方法

[发明专利]超薄柔性玻璃制备方法及装置-CN202210497965.0有效
发明人： 郭振强;袁坚;史连莹;何聪;淮旭光;王瑞璞 -专利权人：河北省沙河玻璃技术研究院
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C03B25/12 文献下载
摘要：本发明涉及超薄玻璃制备技术领域，提出了超薄柔性玻璃制备方法及装置，包括步骤S1.对玻璃原片进行预热；步骤S2.对预热后的玻璃原片进行加热成型，玻璃原片宽度方向上设置有第一温度场、第二温度场、第三温度场三个不同温度的温度场，其中第一温度场位于中部，第二温度场、第三温度场依次对称设置在第一温度场的两侧，三个温度场的总宽度大于或等于玻璃原片的宽度；步骤S3.对玻璃原片进行退火。通过上述技术方案，解决了现有技术中楔形边部宽度过大导致材料浪费率高的问题。
超薄柔性玻璃制备方法装置

[发明专利]铜互连工艺-CN202310947181.8在审
发明人：何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连工艺。铜互连工艺包括以下步骤：提供互连介质层，所述互连介质层中形成互连槽；沉积形成阻挡层，所述阻挡层覆盖在所述互连槽的内壁上；沉积铜金属层，所述铜金属层填充满带有所述阻挡层的互连槽中；去除所述铜金属层的上部形成第一凹槽；去除所述第一凹槽位置处的阻挡层形成第二凹槽；剩余铜金属层的上表面被氧化形成氧化铜层；沉积层间介质层，所述层间介质层填充满所述第二凹槽后覆盖在所述互连介质层上。
互连工艺

[发明专利]铜互连结构的制造方法-CN202310948928.1在审
发明人：何亚川;郭振强;黄鹏;姜慧琴 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连结构的制造方法。所述铜互连结构的制造方法包括以下步骤：提供半导体互连介质结构，所述互连介质结构中形成互连线槽，所述互连线槽从所述互连介质结构的上表面向下延伸；在所述互连线槽中形成衬垫层；向带有所述衬垫层的互连线槽中沉积金属铜；通过化学机械研磨工艺平坦化所述金属铜的表层；向平坦化后的金属铜表面轰击还原性气体等离子体，去除位于平坦化后金属铜表面的氧化铜；在所述半导体互连介质结构上形成上层层间介质层。本申请能够去除金属铜表面的氧化铜，避免铜离子扩散进入介质层中，影响器件的TDDB性能。
互连结构制造方法

[发明专利]一种船舶和海洋平台甲板积水清理装置-CN202310599960.3在审
发明人： 郭振强;张辉;褚红亮;朱红军;沈松洪 -专利权人：武汉船用机械有限责任公司;江苏华西村海洋工程服务有限公司
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B63B13/00 文献下载
摘要：一种船舶和海洋平台甲板积水清理装置，包括水泵定位组件、风扇组件与控制盒；水泵定位组件包括定位轨道与定位驱动装置，定位轨道上设有低吸潜水泵，驱动低吸潜水泵沿其走向移动；风扇组件包括风扇与导流装置；风扇吹出的气流沿着导流装置进行移动，导流装置上设置有若干导流筒与导流孔；导流筒的形状由垂直向水平逐渐过渡，若干导流筒的出风口分别水平朝向四周延伸；导流孔的一端开口朝向地面；控制盒与水泵定位组件、风扇组件通信连接，用于控制定位与自启停；在应用中，通过控制盒自动切换工作模式，控制低吸潜水泵与风扇组件的定位与自启停，无需人工长期值守与介入，降低了工作强度。因此，本设计不仅清理积水效率较高，而且工作强度较低。
一种船舶海洋平台甲板积水清理装置

[发明专利]一种制备高表面质量超薄柔性玻璃的方法-CN202210492432.3有效
发明人：袁坚;郭振强;淮旭光;何聪;史连莹;王瑞璞 -专利权人：河北省沙河玻璃技术研究院
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C03B23/037 文献下载
摘要：本发明涉及超薄柔性玻璃技术领域，提出了一种制备高表面质量超薄柔性玻璃的方法，包括以下步骤：A、预热：控制预热区的温度使预热后的玻璃原片的粘度为108.0‑1013.6Pa·S；B、加热：控制加热元件和U型冷却器的温度使玻璃原片两端的粘度为105.0‑106.0Pa·S、中间部分的粘度为102.0‑103.0Pa·S，得到加热后的玻璃原片；C、冷却：控制水平冷却器的温度使玻璃原片的粘度为106.6‑108.0Pa·S，得到冷却后的玻璃原片；D、退火：退火区的温度小于等于玻璃粘度1012.0Pa·S所对应的特征温度，最后离开退火区得到超薄柔性玻璃。解决了相关技术中二次下拉法技术制备的超薄柔性玻璃表面粗糙度Ra相对较大的问题。
一种制备表面质量超薄柔性玻璃方法

[发明专利]CMOS器件的制备方法-CN202310688679.7在审
发明人：王冉阳;徐丰;黄鹏;郭振强 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS器件的制备方法，包括：提供一衬底，NMOS器件区域上形成有第一栅极结构，PMOS器件区域上形成有第二栅极结构，第一栅极结构、第二栅极结构和露出的衬底表面上形成有第一保护层和应力层；去除PMOS器件区域的应力层；执行快速热退火；去除NMOS器件区域的应力层；去除第一保护层；形成第二保护层；执行激光退火；去除第二保护层。本申请在快速热退火之后，去除NMOS器件区域的应力层过程中损伤的第一保护层，并形成厚度均匀的第二保护层，避免了由于第一保护层膜厚不均匀导致的后续激光退火过程中第一保护层底部器件受热不一致的情况，改善了激光退火后的源/漏区形貌，提高了源/漏区掺杂离子激活率。
cmos 器件制备方法

[发明专利]金属互连结构的制作方法-CN202310631259.5在审
发明人：姜慧琴;郭振强;黄鹏;何亚川 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种金属互连结构的制作方法。所述金属互连结构的制作方法包括以下步骤：在反应腔中，基于掩膜层的图案，刻蚀介质层形成互连槽；向所述反应腔中通入惰性气体，驱逐所述反应腔中的水蒸气；清洗所述介质层，去除刻蚀副产物；再次向所述反应腔中通入惰性气体，驱逐所述反应腔中的水蒸气；向所述互连槽中填充金属层。该金属互连结构的制作方法，可以解决相关技术中低介电常数材料的介质层TDDB变差的问题。
金属互连结构制作方法

[发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202310456334.9在审
发明人：刘莎莎;郭振强 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底中形成有光电二极管区和浮空扩散区，衬底上形成有介质层和栅极结构，其中，光电二极管区中形成有第一阱区，第一阱区表面形成有第一钳位区；浮空扩散区中形成有第二阱区，第二阱区表面形成有轻掺杂漏区；对衬底执行低温碳离子注入工艺；继续执行硼离子注入工艺以在第一钳位区表面形成第二钳位区。本申请通过对衬底执行低温碳离子注入工艺以及硼离子注入工艺来形成第二钳位区，可以隔绝PD耗尽区与界面态的接触，隔绝衬底‑介质层界面附近的陷阱，从而降低暗电流，改善了图像传感器的性能。
图像传感器及其制备方法

[发明专利]舵系和船舶-CN202210331989.9有效
发明人： 郭振强;王晓明;张磊磊;赵彬;郑培培;王坚 -专利权人：武汉船用机械有限责任公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B63H25/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种舵系和船舶，该舵系包括：舵机舱、第一舵叶、第二舵叶、第一舵机和第二舵机，舵机舱位于船体上，第一舵叶、第二舵叶、第一舵机和第二舵机均位于舵机舱内；第一舵机和第二舵机均包括驱动机构和舵杆，舵杆的一端与驱动机构相连，第一舵机的舵杆的另一端与第一舵叶固定连接，第二舵机的舵杆的另一端与第二舵叶固定连接，驱动机构被配置为控制舵杆沿舵杆的轴向伸缩移动；第一舵叶和第二舵叶关于船舶螺旋桨的中轴线对称分布，第一舵叶和第二舵叶之间具有不大于120度的固定夹角，固定夹角为恒定值。本公开能简化船舶的转向操作，快速完成船舶转向，且节省成本。
船舶

[发明专利]桩靴和桩腿-CN202111196280.4有效
发明人：李立民;程文池;郭振强;赵彬;张敏;宋俊杰 -专利权人：武汉船用机械有限责任公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： E02D5/72 文献下载
摘要：本公开提供了一种桩靴和桩腿，该桩靴包括：壳体；电控伸缩机构，与壳体相连，电控伸缩机构被配置为可操控地切换为第一位置或第二位置，电控伸缩机构位于第一位置时，电控伸缩机构位于壳体内，电控伸缩机构位于第二位置时，电控伸缩机构的至少部分位于壳体外；检测件，位于壳体内，检测件用于检测监测信号，监测信号用于指示壳体的应变；控制器，分别与电控伸缩机构和检测件电性连接，控制器被配置为，基于监测信号控制电控伸缩机构切换为第一位置或第二位置。本公开能在桩靴陷入海底时，及时调整桩靴对海底土层施加的压强，避免海洋平台出现倾覆的问题。

[发明专利]一种稳定测试厚栅氧器件电学参数的方法-CN202310180331.7在审
发明人：滕赛楠;郭振强;刘莎莎;周旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种稳定测试厚栅氧器件电学参数的方法，涉及半导体器件测试领域。该方法包括：通过poly fuse结构将待测的厚栅氧器件的多晶硅栅极与薄栅氧器件的多晶硅栅极相连；等待预设持续时长的放电过程；熔断所述poly fuse结构中的热熔丝；对所述厚栅氧器件进行WAT测试；通过采用上述技术方案，实现了提高厚栅氧器件在测试过程中电学参数的稳定性的效果。
一种稳定测试厚栅氧器件电学参数方法

[发明专利]一种高强度柔性耐辐射玻璃及其制备方法-CN202110205491.3有效
发明人：彭志钢;袁坚;郭振强;郑伟宏;杜晓欧;田培静;张茂森;刘皓;薛瑞峰;史连莹;陈晖 -专利权人：河北省沙河玻璃技术研究院;武汉理工大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C3/095 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃技术领域，提出了一种高强度柔性耐辐射玻璃，玻璃组成以质量百分比计包括：60～75％SiO2、1～5％Al2O3、2～5％B2O3、8～14％Na2O、4～6.5％CeO2、0.2～0.5％Sb2O3、1～3％ZnO、0.5～2％SrO、0～1％BaO、0.8～2％Li2O、1～4％Y2O3、0～2％La2O3。通过上述技术方案，解决了现有技术中耐辐照性能差，强度低，成本高的问题。
一种强度柔性辐射玻璃及其制备方法

[发明专利]CIS器件及其制备方法-CN202310111181.4在审
发明人：吴天承;郭振强;周旭 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS器件及其制备方法，其中制备方法包括：形成基底；对基底执行离子注入工艺以在基底中形成吸附层；在基底上形成主外延层；对上述半导体结构执行热退火处理。本申请通过对基底执行离子注入工艺以在基底中形成吸附层，并通过热退火处理吸附基底中的金属离子杂质，从而解决了CIS器件制程中引入的金属离子杂质严重影响Pixel(像素)性能的问题，避免了暗电流和白点两大制约因素的出现，有效改善了CIS器件的性能，有利于深亚微米集成电路的进一步发展。
cis 器件及其制备方法

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