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[发明专利]一种惯性平台的对准误差标定方法和方位角测量方法-CN202211201664.5在审
发明人：邓超;李洪伟;段英尧;包诗林;张金云 -专利权人：北京航天控制仪器研究所
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本申请涉及惯性测量领域，具体公开了一种惯性平台的对准误差标定方法和方位角测量方法。对准误差标定方法包括：获取平台多个自对准方位角，多个自对准方位角与多个真实方位角一一对应；根据多个真实方位角和多个自对准方位角的差值，拟合得到对准误差函数，对准误差函数用于指示任意方位角对应的对准误差，对准误差和自对准方位角用于指示真实方位角的测量结果。方位角测量方法包括：获取当前自对准方位角；根据当前自对准方位角，以及上述对准误差函数，确定当前真实方位角。本申请的方案实现不同基座方位的自对准误差标定，以及在装备运行时进行误差补偿，从而实现准确地自对准，提升对准精度水平。
一种惯性平台对准误差标定方法方位角测量方法

[发明专利]自对准阻挡层形成方法-CN201010584316.1有效
发明人：周俊;陈薇宇;李绍彬;李赟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准阻挡层形成方法。本发明的自对准阻挡层形成过程中，在执行快速热退火工艺前沉积第一自对准阻挡层，在快速热退火工艺后沉积第二自对准阻挡层，从而，使得形成的第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层总自对准阻挡层相较于现有工艺变得疏松了由此，后续进行刻蚀工艺时能将侧墙的自对准阻挡层完全刻蚀去除，提高MOS晶体管产品的可靠性。
对准阻挡形成方法

[发明专利]一种双轴光纤惯导系统快速自标定自对准方法-CN201510770532.8有效
发明人：唐江河;刘峰;胡平华;詹双豪;黄鹤;苗成义;赵明;曲雪云;李爱萍;刘东斌 -专利权人：北京自动化控制设备研究所
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明属于惯性导航技术领域，具体涉及一种双轴光纤惯导系统快速自标定自对准方法。它包括以下步骤：步骤1、自标定自对准旋转流程；步骤2、自标定自对准误差模型建立；步骤3、粗对准算法；步骤4、精对准导航滤波；本发明的显著效果是：本发明的一种双轴光纤惯导系统快速自标定自对准方法，针对光纤陀螺标度因数和零偏等稳定性差的缺陷，在双轴光纤惯导系统启动准备过程中，实现了快速自标定和自对准，确保系统在30min内能有效估计系统的主要误差参数，同时获得较高的对准精度。
一种光纤系统快速标定对准方法

[发明专利]一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法-CN201510767499.3有效
发明人：陈喜明;刘可安;李诚瞻;赵艳黎;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
一种对准碳化硅 mosfet 及其制备方法

[发明专利]回收式航天运载器分布式导航系统初始对准方法-CN202010891584.1有效
发明人：钟友武;赵向楠;徐孟晋 -专利权人：蓝箭航天空间科技股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种回收式航天运载器分布式导航系统初始对准方法，其包括：在火箭的起竖过程中，进行一子级惯组和仪器舱惯组以及助推级惯组和仪器舱惯组之间的方位安装系数的标定计算；仪器舱惯组进行水平自对准和方位自对准，对应得到水平自对准结果和方位自对准结果；一子级惯组和助推级惯组均进行水平自对准，对应得到各自的水平自对准结果；一子级惯组和助推级惯组分别根据仪器舱惯组的水平自对准结果和方位自对准结果、自身水平自对准结果和安装系数标定结果，完成自身方位姿态角的计算；仪器舱惯组、一子级惯组和助推级惯组均得到初始姿态角，完成分布式导航系统的初始对准。本申请中各级子导航系统均能自主获得高精度的方位对准结果。
回收航天运载分布式导航系统初始对准方法

[发明专利]一种等离子体处理装置及其调节方法-CN202011295090.3在审
发明人：王明明;黄允文;吴狄;杨金全 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及其调节方法，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成；可移动上电极组件，设置在真空反应腔内；下电极组件，与可移动上电极组件相对设置，所述下电极组件与所述反应腔腔体底部可拆卸连接；若干个自对准装置，所述自对准装置包含自对准上结构和自对准下结构，其分别与所述可移动上电极组件和所述下电极组件连接，所述自对准上结构和所述自对准下结构对齐拼合时所述可移动上电极组件和所述下电极组件中心对齐。其优点是：该装置通过自对准上结构和自对准下结构协同配合，实现了可移动上电极组件和下电极组件的同心度调节，所述自对准装置结构简单，操作方便，减轻了工作人员的调试压力。
一种等离子体处理装置及其调节方法

[发明专利]有源区阵列及其形成方法、半导体器件及其形成方法-CN201811005032.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：利用辅助线自对准形成排布密集度呈双倍增加的第一自对准间隔图案，并基于第一自对准间隔图案自对准形成第二自对准间隔图案，第二自对准间隔图案的排布密集度相对于第一自对准间隔图案而言呈双倍增加，接着即可利用第二自对准间隔图案定义出有源区阵列的图形
有源阵列及其形成方法半导体器件

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010000961.8在审
发明人：董洪旺;陈松超;魏君;徐文浩;宋月 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括一半导体衬底；在所述半导体结构上形成图案化的第一自对准阻挡层，所述第一自对准阻挡层暴露预设自对准区域；所述预设自对准区域为半导体材料；形成覆盖所述半导体衬底的边缘的第二自对准阻挡层；在所述预设自对准区域上沉积金属材料，以使所述金属材料与所述预设自对准区域的半导体材料进行反应，形成金属接触区。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]自对准尖端-CN202180052960.0在审
发明人： N·S·小西莉亚 -专利权人： MRSI系统有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：并入到尖端主体中的自对准尖端帮助裸片放置/附接。此尖端提供存在于裸片与衬底之间的平面度误差的全局校正，不论这些误差是源于龙门架未对准(即，裸片侧未对准)还是机器甲板工具未对准(即，衬底侧未对准)。
对准尖端

[发明专利]自对准拉链-CN201280054616.6有效
发明人：斯科特.L.彼得斯;戴维.W.雷恩达克;南希.E.彼得斯 -专利权人：斯科特.L.彼得斯;戴维.W.雷恩达克;南希.E.彼得斯
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： A44B19/02 文献下载
摘要：公开了一种自对准拉链，其允许任何人单手操作，那些受到身体和发育的限制或诸如寒冷天气的手套或连指手套的装备将会以其它方式使用拉链或使用自对准拉链。自对准拉链每个半体的正确对准借助极性相反的磁体连同结构性引导元件来完成，以确保拉链的正确对准和操作。
对准拉链

[发明专利]自对准印刷-CN02827975.1有效
发明人：海宁·西林豪斯;迈克·J·巴纳克;尼古拉斯·吉姆·斯通;大卫·威廉姆·卓塞弗·维尔森;约翰·达文·麦肯齐;威廉莫斯·西奥多勒斯·斯特凡纳斯·胡;克里斯托夫·威廉·塞莱 -专利权人：造型逻辑有限公司;剑桥大学技术服务有限公司
申请日： 2002-12-20 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：形成有机或部分有机开关器件的方法，包含：通过溶液处理和直接印刷沉积导电、半导电和/或绝缘层；通过排斥第二材料溶液的第一图形周围表面能屏障的自对准形成来确定电活化聚合物的高分辨率图形。
对准印刷

[发明专利]一种自对准混合键合结构及其制作方法-CN201810808996.7有效
发明人：葛星晨 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准混合键合结构，包括具有梯形金属结构的自对准结构Ⅰ和具有倒梯形凹槽Ⅲ的自对准结构Ⅱ；所述自对准结构Ⅰ包括金属互连结构Ⅰ、位于金属互连结构Ⅰ上方的介质层以及梯形金属结构，自对准结构Ⅰ中的介质层包括位于金属互连层上方的凹槽Ⅰ，所述梯形金属结构位于所述凹槽的上方；所述自对准结构Ⅱ包括金属互连结构Ⅱ以及位于金属互连结构Ⅱ上的介质层，自对准结构Ⅱ中的介质层包括位于金属互连层上方的倒梯形凹槽Ⅲ，所述倒梯形凹槽Ⅲ贯穿上述介质层，且侧壁和底部依次沉积扩散阻挡层和金属层本发明提供的一种自对准混合键合结构及其制作方法，能够提高混合键合时的对准精度，提高键合质量。
一种对准混合结构及其制作方法

[发明专利]具有自对准响弦的鼓-CN201880007025.0有效
发明人：鲁本·施泰因豪泽 -专利权人：鼓工场有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G10D13/02 文献下载
摘要：公开了一种包括自对准部件的响弦鼓。自对准部件可由张紧带接合，张紧带可以附接到响弦的与底部鼓面接触或接近的一个端部。张紧带可环绕在自对准部件的一部分周围，诸如为其对准件。自对准部件的几何形状被设计成允许张紧带自对准，使得对准件的相对侧上的部分在其中具有近似相等的张力和/或具有近似相等的长度，从而允许响弦在底部鼓面上适当对准。自对准部件可以包括附接到鼓侧壁上的板部分或鼓侧壁上的张紧装置，并且还可以包括用于附接到板部分的盖部分。
具有对准

[发明专利]通过硅化法的含金属薄膜的体积膨胀-CN201880058616.0有效
发明人： S·S·罗伊;S·冈迪科塔;A·B·玛里克;A·B·穆里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。
通过硅化法金属薄膜体积膨胀

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN202080055394.4在审
发明人：山崎忠行;林泰伸;清水吾朗 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：形成在绝缘膜(15)上的栅极(16)；以位于栅极(16)的侧面且在沟道区域(12)的正上方的方式形成的侧墙(17)；以覆盖漏极区域(13)、源极区域(14)的一部分、栅极(16)和侧墙(17)的方式形成的自对准硅化物阻挡膜(18)；形成在从自对准硅化物阻挡膜(18)和自对准硅化物阻挡膜(18)露出的漏极区域(13)和源极区域(14)中的漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)；和以覆盖自对准硅化物阻挡膜(18)、漏极自对准硅化物层(21)和源极自对准硅化物层(22)的方式形成的氮化膜(19)。
非易失性半导体存储器件

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