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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]插塞结构的制作方法和插塞结构-CN200810204556.7有效
发明人：杨瑞鹏;保罗;胡宇慧;苏娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-09 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种插塞结构的制作方法和插塞结构，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有半导体器件层和半导体器件层上的具有通孔的金属前介质层；在包括通孔内部的金属前介质层的表面上形成钨种子层；在所述钨种子层上形成钨诱导层，所述钨诱导层的晶粒尺寸大于所述钨种子层；在所述钨诱导层上形成钨膜层，该钨膜层将通孔内部填充；平坦化通孔外的金属前介质层的表面，形成插塞结构。所述方法形成钨膜层之前，先在钨种子层之上形成具有较大晶粒尺寸的钨诱导层，而后再在钨诱导层上形成的钨膜层也具有较大的晶粒尺寸，因而晶界较少，对电子运动的散射减少，能够提高电子迁移率，降低电阻率，无须后续的退火工艺便能够形成具有较低电阻的钨插塞
结构制作方法

[发明专利]低摩擦磨损膜和其制造方法-CN202110465540.7在审
发明人：金成姬;铃木奉努;梶野正树;北村和也;大森直之 -专利权人：株式会社爱信;株式会社东研热科技
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：低摩擦磨损膜(10)包括：铬层(11)，形成于金属基材(1)表面；碳化钨倾斜层(14)，形成在所述铬层(11)的表面上；以及作为顶层的类金刚石碳层(15)，形成在所述碳化钨倾斜层(14)的表面上。所述碳化钨倾斜层(14)包含铬－碳化钨倾斜层(12)和碳化钨均匀层(13)。上述铬－碳化钨倾斜层(14)在上述铬－碳化钨倾斜层(12)与上述碳化钨均匀层(13)的边界不形成存在钨单质的钨浓缩层。
摩擦磨损制造方法

[实用新型]一种碳化钨堆焊层结构-CN201721786210.3有效
发明人：杜鸿;雒玉岐;赵攀 -专利权人：上海亭博分离技术有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： B23K33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化钨堆焊层结构，所述堆焊层结构设置在基体上，包括第一碳化钨层、第二碳化钨层、第三碳化钨层和第四碳化钨层，均为具有弧度的结构；所述基体由本体和凹槽组成；所述凹槽是纵截面为直角梯形的结构；所述凹槽在其内部底部覆盖有第一碳化钨层；在所述第一碳化钨层上覆盖有第二碳化钨层，且第二碳化钨层的顶部略高出凹槽；在所述第二碳化钨层上覆盖有第三碳化钨层，且所述第三碳化钨层的一部分超出凹槽覆盖在凹槽斜边一侧的本体上；所述第四碳化钨层覆盖在第三碳化钨层的一部分和凹槽直边一侧的本体上。本实用新型的碳化钨堆焊层结构耐磨性能好。
碳化钨层碳化钨堆焊层覆盖本实用新型结构设置耐磨性能直角梯形堆焊层纵截面斜边直边

[发明专利]栅极电极及其形成方法-CN200610147870.7有效
发明人：向阳辉;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极电极的形成方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成栅介质层、掺杂多晶硅层、金属钨层、氮化钨层及难熔金属层；对半导体衬底进行退火步骤，退火后，所述金属钨层及氮化钨层与掺杂多晶硅层反应生成硅化钨层、氮硅化钨层及残留的氮化钨层，采用本发明生成的栅极电极，由于生成的硅化钨及氮硅化钨具有较小的厚度，能够起到阻挡难熔金属层及氮化钨与向掺杂多晶硅层扩散，同时形成的栅极电极的界面电阻较小。
栅极电极及其形成方法

[发明专利]导电插塞结构及其形成方法-CN201510736229.6在审
发明人：张冠群;何朋;蒋剑勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电插塞结构及其形成方法，其中方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成接触孔；形成填充满所述接触孔的钨导电层，所述钨导电层包括至少两层层叠的钨导电单元层，所述钨导电单元层为钨成核层和位于钨成核层表面的钨体层所述导电插塞的形成方法提高了钨导电层填充接触孔的能力。
导电结构及其形成方法

[发明专利]一种金属钨的沉积方法以及金属钨的沉积结构-CN201910945179.0有效
发明人：熊少游;程磊;詹侃;周烽;左明光 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种金属钨的沉积方法，所述方法包括：形成钨形核层；基于所述钨形核层沉积第一钨生长层；对所述第一钨生长层执行退火工艺；在退火后的所述第一钨生长层上沉积第二钨生长层。本发明实施例还公开了一种基于所述沉积方法形成的金属钨的沉积结构。
一种金属沉积方法以及结构

[发明专利]钨填充凹槽结构的方法-CN201711178368.7在审
发明人：鲍宇;陈广 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨填充凹槽结构的方法，包括步骤：步骤一、形成凹槽结构；步骤二、形成氮化钛层；步骤三、采用WF6作为钨源形成钨成核层；步骤四、进行氟去除处理；步骤五、进行采用WF6作为钨源的CVD工艺淀积钨主体层；步骤六、进行钨的化学机械性研磨工艺，形成仅由填充于凹槽结构中的氮化钛层、钨成核层和钨主体层组成的钨金属结构。本发明能降低钨成核层中的氟残留，减少氮化钛层的厚度，从而能降低整个钨金属结构的电阻并提升器件的性能。
凹槽结构氮化钛层钨成核层钨金属钨填充主体层钨源工艺淀积化学机械提升器件研磨氟残留氟去除电阻填充

[发明专利]形成具有低电阻的钨多金属栅极的方法-CN200710096752.2无效
发明人：金秀贤;郭鲁正;金栢满;李荣镇;黄善佑;林宽容 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-04-06 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成钨多金属栅极的方法，包括步骤：依次在半导体衬底上形成栅极绝缘层和多晶硅层；在该多晶硅层上沉积阻挡层；通过原子层沉积工艺在该阻挡层上沉积钨成核层；通过化学气相沉积工艺在该钨成核层上沉积钨层；在该钨层上沉积硬掩模层；以及蚀刻该硬掩模层、钨层、钨成核层、阻挡层、多晶硅层和栅极绝缘层。
形成具有电阻金属栅极方法

[发明专利]一种钨基石墨烯气体电光源电极及制作方法-CN201410464006.4有效
发明人：王干 -专利权人：王干
申请日： 2014-09-13 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01J61/04 文献下载
摘要：一种钨基石墨烯气体电光源电极及制作方法，包括钨杆，钨铌合金引线，钍钨合金丝，石墨烯薄膜层。其特征在于气体电光源电极的主杆为钨杆，钨杆的一端连接钨铌合金引线，另一端缠绕钍钨合金丝，在钍钨合金丝及部分钨杆上附着一层石墨烯薄膜层，进一步的石墨烯薄膜层为1‑20层，优选的为10层。
一种基石气体光源电极制作方法

[发明专利]半导体器件及其钨塞填充方法-CN201110348659.2有效
发明人：周君 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-11-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种钨塞填充方法，包括：提供基底，基底包括需填充金属钨的若干孔洞；在孔洞内形成钨种子层，钨种子层在孔洞开口的棱角处的沉积速率大于孔洞内部的沉积速率；在钨种子层上形成钨膜层，填充孔洞内部，在钨膜层的沉积过程中，采用腐蚀性物质去除孔洞开口处的金属钨，以避免在所述孔洞开口处累积钨。本发明通过在钨膜层的形成过程中采用腐蚀性物质出去孔洞开口出的金属钨，保证了在钨膜层的沉积过程中孔洞开口处不会过多的累积金属钨，进而可使钨膜层的沉积过程中孔洞开口处有足够的宽度，使金属钨能够填满孔洞，从而减小了钨塞填充过程中产生的空洞的大小
半导体器件及其填充方法

[发明专利]形成栅极的方法-CN201010568295.4有效
发明人：卢炯平;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成栅极的方法，包括：提供衬底；在衬底表面形成栅介质层，在栅介质层表面形成氮化钨层，在氮化钨层表面形成钨层；图形化氮化钨层和钨层；湿法刻蚀去除部分图形化后的氮化钨层和钨层，且湿法刻蚀对氮化钨的刻蚀速率大于对钨的刻蚀速率，形成伪栅极，伪栅极呈T型，伪栅极包括湿法刻蚀后的氮化钨层和钨层；形成介质层，覆盖栅介质层，介质层的表面与伪栅极的表面相平；去除伪栅极，形成栅极沟槽，栅极沟槽呈T型；在栅极沟槽内填充栅极材料，形成栅极。
形成栅极方法

[发明专利]金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法-CN202011479348.5在审
发明人：张文广;朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属钴互连层和钨金属接触孔层的形成方法，包括提供一含有金属钴互连线层结构的衬底，在衬底上形成介质层；对介质层进行光刻刻蚀工艺，形成金属钨通孔层；利用湿法刻蚀工艺向下刻蚀位于金属钴互连线层结构表面的部分金属钴，在金属钨通孔层中的通孔底部形成铆钉状形貌；用选择性钨沉积工艺填充金属钨通孔层中的通孔，形成底部铆钉状的钨通孔；依次沉积TiN粘附层和金属钨层，在通孔层形成通孔钨塞覆盖层；对金属钨通孔层进行钨化学机械平坦化，去除通孔钨塞覆盖层，以形成平坦化的所述通孔层。本发明利用湿法工艺各向同性特点，在通孔底部形成铆钉状的钨来阻挡CMP研磨液渗透的方法，解决了7nm及以下节点钴缺失的问题。
金属互连接触形成方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201410160807.1有效
发明人：蒋莉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：该方法包括步骤S101提供包括伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极，在所述伪栅极原来的位置形成包括钨栅极的栅极结构；步骤S102对所述钨栅极进行回刻蚀；步骤S103在所述钨栅极的上方形成至少一层钨‑氮化钨叠层结构；步骤S104在所述钨‑氮化钨叠层结构之上形成氮化硅盖帽层。本发明的半导体器件的制造方法，通过在对钨栅极进行回刻蚀的步骤与在钨栅极的上方形成氮化硅盖帽层的步骤之间增加在钨栅极的上方形成至少一层钨‑氮化钨叠层结构的步骤，可以提高钨栅极与氮化硅盖帽层之间的粘着力，避免发生氮化硅盖帽层剥离现象
一种半导体器件制造方法

[发明专利]具有高侵彻能力的复合材料长杆弹及其制备方法-CN202110717523.8有效
发明人：马特;袁武;宋宏伟 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： F42B12/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高侵彻能力的复合材料长杆弹及其制备方法，该复合材料长杆弹包括次径钨杆、锆基金属玻璃层和多圈钨纤维层；所述锆基金属玻璃层包覆于所述次径钨杆的外部，所述多圈钨纤维层设置于所述锆基金属玻璃层内，所述多圈钨纤维层内外向外依次套设于所述次径钨杆的外部，所述次径钨杆的外缘与最内圈的所述钨纤维层相接触；每圈所述钨纤维层包括多根互相接触且首尾相连的钨纤维。该复合材料长杆弹解决现有钨纤维金属玻璃基复合材料在侵彻过程中存在的钨纤维的弯曲变形和金属玻璃基体软化的技术问题。
具有高侵彻能力复合材料长杆弹及其制备方法

[发明专利]一种互连结构的制备方法-CN202211688267.5在审
发明人：熊高伟 -专利权人：武汉楚兴技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种互连结构的制备方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成介质层；刻蚀介质层形成贯穿介质层的互连通道；在互连通道内形成初始钨层；利用激光照射初始钨层，以活化初始钨层得到活化钨层；对活化钨层进行退火，以使互连通道开口处的活化钨层流入互连通道内。即本申请可以通过激光活化使活化钨层处于可流动的状态，达到了扩大互连通道开口处大小和加速互连通道内钨沉积的效果，活化钨层流入互连通道底部，避免了钨材料的浪费，节约了资源。
一种互连结构制备方法

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