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[发明专利]先进的接触孔图案化的方法-CN201980007134.7在审
发明人：安东·德维利耶;科里·莱姆利 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文中的技术包括形成蚀刻掩模以形成接触孔和其他特征的方法。与传统的直接印刷光刻方法相比，本文中的技术使用反转方法来创建具有改善的临界尺寸均匀性和接触边缘粗糙度的接触孔图案。柱被印刷为最初的结构。
先进接触图案方法

[发明专利]一种接触孔的制备方法-CN201810336343.3在审
发明人：陈凡;李秋智 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一复合晶圆，复合晶圆把包括由下至上依次堆叠的衬底、介质层、无定型碳层、介电抗反射层和底部抗反射层；步骤S2，于复合晶圆的上表面制备具有一预设图形的光阻层；步骤S3，对光阻层的预设图形暴露出的复合晶圆进行刻蚀，直至形成延伸至衬底中的接触孔的通孔；其中，步骤S3中，刻蚀复合晶圆中的无定型碳层之前，采用一等离子体刻蚀工艺刻蚀底部抗反射层形成具有一窄口的聚合物层；无定型碳层的厚度为2800A～3200A；介电抗反射层的厚度为300A～340A；能够改善接触孔制备过程中造成的接触孔缺陷的情况，保证了接触孔的电性连接性能，实现简单。
接触孔复合晶无定型碳层刻蚀制备底部抗反射层介电抗反射层预设图形衬底半导体技术领域等离子体刻蚀电性连接性能聚合物层制备过程光阻层介质层上表面堆叠通孔窄口阻层暴露延伸保证

[发明专利]共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法-CN201911107360.0在审
发明人：潘逢佳;王恺 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件制造过程中的共享接触孔刻蚀缺陷检测方包括：在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷本发明所提供技术方案解决目前现有监控方式面临着接触孔蚀刻工艺窗口监测的反馈时间长及灵敏度不够的问题。本发明采用短制程将多晶硅线换为绝缘介质(如氮化硅)线的方法，可跳过(不执行)多道离子注入且无需锗硅制程，无需设计额外测试图形或光罩，可实现在有源区和多晶硅栅共享接触孔上高灵敏度地对蚀刻工艺窗口进行监测。
共享接触及其刻蚀缺陷检测方法

[发明专利]共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法-CN201911106502.1在审
发明人：徐晶;肖尚刚;周波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件制造过程中的共享接触孔刻蚀缺陷检测方包括：在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷本发明所提供技术方案解决目前现有监控方式面临着接触孔蚀刻工艺窗口监测的反馈时间长及灵敏度不够的问题。本发明采用短制程将多晶硅线换为绝缘介质(如氮化硅)线的方法，可跳过(不执行)多道离子注入且无需锗硅制程，无需设计额外测试图形或光罩，可实现在有源区和多晶硅栅共享接触孔上高灵敏度地对蚀刻工艺窗口进行监测。
共享接触及其刻蚀缺陷检测方法

[发明专利]减小通孔接触电阻的方法-CN202110093825.2在审
发明人：孙洪福;公茂江;姜国伟;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小通孔接触电阻的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成介质层；刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成贯穿的通孔；在所述通孔的内壁形成第一阻挡层；采用等离子反应气体与所述第一阻挡层的表面自然形成的氧化物发生还原反应以去除所述第一阻挡层的表面自然形成的氧化物；在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层；本发明通过等离子反应气体与第一阻挡层的表面自然形成的氧化物进行还原反应，以去除第一阻挡层的表面自然形成的氧化物，能够减小通孔接触电阻，保证通孔互连层的连接质量。
减小接触电阻方法

[发明专利]CIS器件的接触孔形成方法-CN202110640968.0在审
发明人：肖敬才;孙少俊;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种CIS器件的接触孔形成方法，涉及半导体制造领域。该CIS器件的接触孔形成方法包括提供制作有CIS器件的衬底，所述衬底表面包括传输栅极和栅极侧墙，所述衬底中形成有浮动扩散区；减少栅极侧墙的厚度，令相邻的两个栅极侧墙之间的间距增大；在所述衬底上依次形成金属硅化物阻挡层、刻蚀停止层、层间介质层；通过光刻工艺定义接触孔图案；根据所述接触孔图案，进行接触孔的自对准刻蚀，形成接触孔；解决了CIS器件中像素单元尺寸缩小导致接触孔自对准刻蚀过程损坏器件结构的问题；达到了优化CIS器件的接触孔自对准工艺，提高器件性能可靠性的效果。
cis 器件接触形成方法

[发明专利]接触孔的制作方法和结构-CN202111011356.1在审
发明人：陈曦;黄景丰;杨继业 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种接触孔的制作方法和结构。该接触孔的制作方法包括以下步骤：提供形成有通孔的半导体器件；通过离子化金属等离子制程，使得所述通孔的内表面上溅射沉积第一接触金属层；经过第一热退火处理后，通过自离子化等离子制程，使得在所述第一接触金属层的内表面上溅射沉积第一扩散阻挡金属层；通过化学气相沉积制程，使得所述第一扩散阻挡金属层的内表面上沉积形成第二扩散阻挡金属层；通过物理气相制程，使得所述第二扩散阻挡金属层的内表面上形成第三扩散阻挡金属层；位于所述通孔中的三扩散阻挡层的内表面包围形成金属填充空间
接触制作方法结构

[发明专利]一种接触孔形成方法-CN202211128859.1在审
发明人：许鹏凯;乔夫龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔形成方法，包括：提供形成有栅极结构、漏极区域、源极区域和外围区的衬底；形成第一介质层于衬底上；对第一介质层进行刻蚀，以在第一介质层上对应源极区域和外围区的位置形成凹槽结构；形成刻蚀缓冲层于凹槽结构中；形成第二介质层于第一介质层上；形成依次贯穿第二介质层、刻蚀缓冲层以及第一介质层的源极接触孔或外围区接触孔和依次贯穿第二介质层以及第一介质层的漏极接触孔，其中源极接触孔和外围区接触孔的宽度均大于漏极接触孔的宽度本发明可改善不同宽度的接触孔刻蚀过程中负载效应的影响，使不同宽度的接触孔的刻蚀结果保持一致，从而解决了较宽的接触孔因过刻蚀引起的底部衬底损耗严重的问题。
一种接触形成方法

[发明专利]氮化镓器件接触孔的刻蚀方法-CN202310224570.8在审
发明人：孙鹏;姚一平;黄璇;潘嘉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓器件接触孔的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有GaN外延层以及位于GaN外延层上的势垒层；在衬底上形成覆盖势垒层的层间介质层，在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层，使得部分区域上的层间介质层裸露以定义出接触孔的形成区域本发明的方法能够得到形貌良好的欧姆接触孔，并具有高选择比、低损伤和低成本的特点，有利于欧姆金属的填充以及欧姆接触性能的提高。
氮化器件接触刻蚀方法

[发明专利]改善接触孔金属残留的刻蚀方法-CN202310172080.8在审
发明人：王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善接触孔金属残留的刻蚀方法，提供衬底，衬底上形成有层间介质层，层间介质层上形成有第一金属层，在金属层及其下方的层间介质层上形成有接触孔，接触孔上形成有覆盖第一金属层的第二金属层；利用第一偏置功率、第一刻蚀气体刻蚀第二金属层；采用第二偏置功率、第二刻蚀气体刻蚀去除保留在第一金属层上的第二金属层，第二偏置功率低于第一偏置功率；采用第三偏置功率、第三刻蚀气体刻蚀接触孔中的部分第二金属层。
改善接触金属残留刻蚀方法

[发明专利]半导体深接触孔结构研磨方法-CN202310488591.0在审
发明人：贺术;陈献龙;韩佳锡;谢辉;蔡磊;王晓芳 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B24B5/48 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体深接触孔结构研磨方法，包括提供一具有深接触孔的初始半导体结构；在第一研磨条件下，第一研磨盘研磨去除初始半导体结构的表面钨金属层和阻挡/黏附层，且暴露初始半导体结构的氮化硅阻挡层；在第二研磨条件下，第二研磨盘研磨去除氮化硅阻挡层及部分初始半导体结构的二氧化硅介电层，且暴露二氧化硅介电层及深接触孔的一端，深接触孔内填充有内部阻挡层和内部钨金属层；通过第三研磨盘研磨去除部分厚度的二氧化硅介电层、深接触孔内的内部阻挡层及内部钨金属层，得到研磨面平坦的目标半导体结构，本申请保证深接触孔结构平坦化效果，避免氮化硅残留及提高了产品电性。
半导体接触结构研磨方法

[发明专利]半导体器件接触孔的制备方法-CN202211525714.5在审
发明人：彭雨;冯文慿;陈宗芬;孔得力;邓晓国 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件接触孔的制备方法，包括在层间介质层、硬掩模层与先进图形掩膜层，在将光阻图形通过刻蚀转移至硬掩膜层形成图形转移后，进行原子层沉积掩膜侧墙实现关键尺寸的精准补偿与控制。本发明通过工艺流程的优化，实现图形转移的稳定性与关键尺寸的补偿与控制，本发明可以精准控制关键尺寸，进而保证填充于接触孔中金属总电阻值的稳定性，提高工艺窗口和产品良品率。
半导体器件接触制备方法

[发明专利]扩大接触孔刻蚀工艺窗口的方法-CN202211397514.6在审
发明人：卓红标;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种扩大接触孔刻蚀工艺窗口的方法，提供衬底，衬底上形成有半导体结构以及覆盖半导体结构的层间介质层；在层间介质层上形成光刻胶层，光刻打开光刻胶层使得其下方的层间介质层裸露，刻蚀裸露的层间介质层以形成与部分半导体结构连通的接触孔，接触孔上形成有聚合物，接触孔的高宽比大于设计值，之后去除剩余的光刻胶层；清洗衬底上的接触孔，之后利用升温的方法使得聚合物去除；以导电金属填充接触孔。本发明的方法能够去除接触孔残留的聚合物，接触孔电阻的稳定性得到改善。
扩大接触刻蚀工艺窗口方法

[发明专利]半导体器件接触孔及其制备方法-CN202210177243.7在审
发明人：杨龙康;李鹏;刘梦婷 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件接触孔的制备方法，该制备方法包括：于半导体器件中形成接触孔凹槽；对接触孔凹槽的底部转角进行圆角化，以增大底部转角的曲率；于接触凹槽中依次形成粘附层、扩散阻挡层及金属填充层。通过在形成接触凹槽后，再追加一步接触凹槽底部转角圆角化的工艺，使接触凹槽的底部转角从现有的偏陡直状实现圆角化，从而提高接触凹槽底部转角位置的角度。当后续在形成扩散阻挡层时，由于接触凹槽底部转角的角度较大，反应气体可得到充分反应，提高沉积速率和沉积质量，从而在此处形成的扩散阻挡层厚度足够厚，可有效阻挡金属填充层，避免火山效应的发生，提高产品质量和产品良率
半导体器件接触及其制备方法

[发明专利]一种接触孔的制备方法-CN202210318048.1在审
发明人：王远 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种接触孔的制备方法，利用图案化的光刻胶层在层间介质层中形成初始接触孔后，去除图案化的光刻胶层，再以初始接触孔为窗口刻蚀半导体衬底形成接触孔。在去除图案化光刻胶层的过程中，同时能够去除形成初始接触孔时产生的聚合物，避免聚合物附着于初始接触孔中对下一步形成接触孔产生影响，使最终形成的接触孔中基本没有聚合物残留，从而有效改善后续接触孔金属填充的效果
一种接触制备方法