专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]模板及模板系统-CN201420061458.3有效
  • 姜兆礼;郭庆岭;汪东;姜力萌 - 姜兆礼;郭庆岭;汪东
  • 2014-02-11 - 2014-07-16 - E04G11/08
  • 本实用新型涉及领域,具体而言,涉及模板及模板系统。该模板包括底部槽钢、多根竖向槽钢、多根横杆、多根加强管和多张竹胶板;底部槽钢横向设置;多根竖向槽钢固定在底部槽钢上且沿底部槽钢排布;多根横杆沿竖直方向排布且横向固定在多根竖向槽钢的平面;多根加强管沿竖直方向排布且横向固定在多根竖向槽钢的支脚而采用本实施例的模板及模板系统,省去了模板拆卸、搬运材料及拼装时间,9名工人只需一天就可完成,节省时间,效率更高,成本降低。另外,地铁车站的每层只需一套模板即可完成整个工程项目施工任务。
  • 模板系统
  • [实用新型]地漏-CN202120260880.1有效
  • 孙红云;文思思 - 东方农道建筑规划设计有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-10-26 - E03F5/04
  • 本实用新型提供一种地漏,所述地漏整体呈L型,设置在地面与墙体形成的墙角位置,所述地漏包括设置在需要排水一侧室内的内侧横板和内侧竖板,所述内侧横板上设置进水孔用于室内地面排水,所述内侧竖板为密封的整板,相对所述内侧横板和所述内侧竖板朝向远离室内的方向设置外侧横板和外侧竖板,所述地漏中间形成L型空腔,所述外侧竖板上等于或高于所述内侧横板高度的位置设置出水口,所述出水口连接排水管,所述L型空腔内低于所述出水口和所述内侧横板的位置形成水封
  • 地漏
  • [实用新型]地漏-CN202220540379.5有效
  • 李军成 - 台州优江家居有限公司
  • 2022-03-13 - 2022-09-06 - E03F5/04
  • 本实用新型提供了地漏,属于地漏领域。本地漏包括壳体,壳体一具有为镂空的污水进口,地漏安装后污水进口竖立设置,壳体底部具有贯穿的排污口,壳体内部具有可拆卸的过滤面板,过滤面板上开设有过滤通道,过滤通道与排污口连通。
  • 地漏
  • [发明专利]、形成、半导体器件的方法-CN201210124627.9有效
  • 李乐 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2012-04-25 - 2017-08-08 - H01L21/336
  • 一种、形成、半导体器件的方法,形成的方法包括提供具有栅极结构的基底,栅极结构包括栅极、位于栅极和基底之间的栅介质层;形成第一介质层,覆盖基底和栅极结构;第一介质层为单层或叠层结构;在第一介质层上形成第二介质层,第二介质层对形成自对准金属硅化物块工艺中使用的刻蚀液的耐腐蚀性大于第一介质层的最外层材料对刻蚀液的耐腐蚀性;依次刻蚀第二介质层和第一介质层在栅极四周形成。本发明中形成的形成后的清洗工艺中使用的溶液的耐腐蚀性比较大,这样可以减小在形成自对准金属硅化物块的工艺中的损失,相应的宽度增大,可以避免太小而造成的场效应晶体管失效的问题。
  • 侧墙形成半导体器件方法
  • [发明专利]形成方法-CN200810114300.7有效
  • 王新鹏;韩宝东;韩秋华;孙武 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2008-06-03 - 2009-12-09 - H01L21/28
  • 一种形成方法,包括如下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有栅极结构、形成于栅极结构两及其上的第一层和第二层;刻蚀栅极结构上和半导体衬底上的第二层;刻蚀栅极结构两与半导体衬底相交处的第二层至预定尺寸;去除栅极结构上和半导体衬底上的第二层。本发明通过将刻蚀栅极结构两与半导体衬底相交处的第二层至预定尺寸的刻蚀步骤与去除栅极结构上和半导体衬底上残留的第二层的步骤分开进行,达到容易控制形状的目的。
  • 形成方法

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