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- [发明专利]接触孔的制造方法-CN201810330029.4有效
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叶婷;龚昌鸿;于明非;朱绍佳
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上海华力集成电路制造有限公司
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2018-04-13
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2021-04-13
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H01L21/768
- 本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供一形成有多个侧面形成有侧墙且两侧形成有源漏区的栅极结构的半导体衬底；步骤二、形成硬掩膜层；步骤三、对硬掩膜层进行光刻刻蚀，刻蚀后的硬掩膜层位于后续形成的源区或漏区顶部的接触孔的至少一侧的栅极结构的表面；步骤四、形成层间膜；步骤五、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤六、对接触孔的形成区域的层间膜进行刻蚀形成接触孔的开口，源区和漏区顶部的接触孔的开口的底部的至少一侧面由硬掩膜层和对应的侧墙自对准定义；步骤七、在接触孔的开口中填充金属。本发明能实现源漏区顶部的接触孔的底部自对准，防止源漏区顶部的接触孔和栅极结构相接触。
- 接触制造方法
- [发明专利]接触孔的制造方法-CN201910432593.1有效
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严磊;孙淑苗
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-05-23
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2021-08-10
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H01L21/768
- 本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有集成电路的前段器件结构的半导体衬底；步骤二、依次形成第一氧化层和CESL层；步骤三、形成层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成接触孔，包括分步骤：步骤51、采用以CESL层为停止层的选择性刻蚀进行第一次刻蚀；步骤52、采用以第一氧化层为停止层的选择性刻蚀进行第二次刻蚀；步骤52、进行第三次刻蚀将接触孔的形成区域剩余的氧化层去除并将前段器件结构的金属硅化物的表面露出本发明能使各图案对应的接触孔底部的金属硅化物的损耗减少且损耗的一致性提高，从而能减少接触电阻以及防止金属硅化物刻穿导致的结漏电。
- 接触制造方法
- [发明专利]接触孔形成方法-CN201910986189.9有效
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董献国
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-10-17
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2022-03-18
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H01L21/768
- 本发明涉及接触孔形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过多次试验获得光刻后接触孔形貌关键尺寸变化ΔD1与刻蚀后接触孔关键尺寸变化ΔD2的关系式及层间介质层厚度HILD与刻蚀后接触孔关键尺寸D2的关系式，进而获得光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与层间介质层厚度HILD的关系，再根据光刻机光刻后接触孔形貌关键尺寸D1与曝光强度的关系，得到曝光强度与层间介质层厚度HILD之间的补偿关系，进而对晶圆上一曝光单元的曝光强度进行补偿，也即对不同的层间介质层厚度区域曝不同光刻后接触孔形貌关键尺寸D1的接触孔，最终使得该曝光单元内刻蚀后形成的接触孔的关键尺寸接近接触孔的目标关键尺寸
- 接触形成方法
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