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- [发明专利]自对准接触孔的工艺方法-CN201710906184.1有效
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郭振强
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2017-09-29
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2019-10-11
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H01L21/768
- 本发明公开了一种自对准接触孔的工艺方法，包含：步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；再对栅极上的氮氧化硅进行回刻蚀对栅极进行快速热退火或炉管，从而形成栅极二氧化硅保护层；步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极侧墙上和栅极顶部的氮氧化硅；进行源漏区注入及形成钴硅合金；步骤四，形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨，进行接触孔刻蚀。本发明有更高的栅极侧墙高度及更厚的栅极侧墙，更好的保护了栅极，改善了接触孔与栅极之间的击穿电压。
- 对准接触工艺方法
- [发明专利]一种接触孔制备方法-CN201910992197.4有效
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李永亮;王晓磊;杨红;马雪丽;王文武
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中国科学院微电子研究所
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2019-10-18
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2022-04-22
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H01L21/8234
- 本发明公开了一种接触孔制备方法，包括以下步骤：提供并在半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；在已形成的结构上依次沉积接触刻蚀停止层和层间介质牺牲层；对层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除牺牲栅极区后，进行替代栅工艺；去除接触孔区域外的层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层；对层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除接触孔区域内的层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；在接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。本发明提供的接触孔制备方法易实现对尺寸较小、高深比较高的接触孔的制备，同时，可以确保在刻蚀过程中不会对源漏区等结构造成损伤，从而确保器件性能。
- 一种接触制备方法
- [发明专利]一种接触孔刻蚀方法-CN202010316744.X有效
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王迪;刘磊;夏志良
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长江存储科技有限责任公司
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2020-04-21
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2023-05-23
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H01L21/768
- 本申请实施例公开一种接触孔刻蚀方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括若干堆叠排布的控制栅结构，控制栅结构的至少一侧形成台阶区域，台阶区域内下层控制栅结构侧壁凸出于上层控制栅结构侧壁；半导体结构还包括覆盖台阶区域的介质层；在介质层上形成硬掩膜层；采用第一光刻工艺在硬掩膜层上定义出与控制栅结构一一对应的接触孔图形；通过所述硬掩膜层为掩膜刻蚀介质层，以在介质层内形成与控制栅结构一一对应的接触孔；从高层台阶区域到低层台阶区域逐步刻蚀所述介质层，以使第二组接触孔加深到至少暴露部分控制栅结构表面。
- 一种接触刻蚀方法
- [发明专利]改善接触孔图案化的方法-CN02150449.0无效
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蔡耀铭
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统宝光电股份有限公司
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2002-11-12
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2004-06-02
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G02F1/136
- 本发明提供一种改善接触孔图案化的方法，该方法中采用的液晶显示面板包含有一衬底，一导电层设于该衬底表面，以及一介电层设于该导电层表面。本发明首先于该介电层表面形成一光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层内包含有一孔洞通达至该介电层表面，接着进行一蚀刻工艺，沿着该孔洞去除部分的该介电层，以形成一通达至该导电层表面的接触孔，随后再进行一表面处理，于该接触孔底部的该导电层表面形成一保护层，以避免去除该光致抗蚀剂层时对下方的该导电层造成伤害。
- 改善接触图案方法
- [实用新型]接触孔偏移量测结构-CN201420508935.6有效
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蔡孟峰;黄晨
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2014-09-04
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2015-03-18
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H01L21/66
- 本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；位于另一组量测图形上的与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布的第二接触孔图形。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。
- 接触偏移结构
- [实用新型]接触孔偏移量测结构-CN201420508924.8有效
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蔡孟峰;黄晨
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中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
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2014-09-04
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2014-12-24
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H01L21/66
- 本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的阱区；位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥；位于所述第一有源区上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组；以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组；其中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间具有不同的预设偏移量。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。
- 接触偏移结构
- [实用新型]基板通孔连接接触件-CN201420041797.5有效
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楠原敏孝;志野好彦
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泰科电子日本合同会社
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2014-01-23
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2014-08-27
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H01R12/58
- 本实用新型提供一种基板通孔连接接触件，该基板通孔连接接触件在将通孔插入部插入于通孔时容易弹性变形，将相对于通孔的插入力抑制得较低，且使通孔插入部的强度提高。基板通孔连接接触件(1)具备插入于形成在电路基板(2)的通孔(3)的通孔插入部(10)。通孔插入部(10)具备插入于通孔(3)的大致圆筒形的本体部(11)、两根双支梁状的弹性臂(13)以及接点(14)，该弹性臂(13)通过设于本体部(11)的宽度方向中间且沿本体部(11)的轴心方向延伸的缝隙接点(14)在插入于通孔(3)时与通孔(3)的内周面接触。
- 基板通孔连接接触
- [实用新型]浅孔接触式气动测量装置-CN201921820640.1有效
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金俊;刘小四;丁常林
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南京金城精密机械有限公司
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2019-10-28
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2020-06-02
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G01B5/12
- 本实用新型公开了浅孔接触式气动测量装置，包括底座，所述底座上固定连接有三组呈环形阵列分布且竖直设置的支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有检测平台，所述检测平台的底端面安装固定有四组呈环形阵列分布的气嘴，每个所述气嘴的出气口均与位于检测平台内的气体通道相通，所述气体通道的另一端设有与气体通道端口相接触的检测头，所述检测头嵌入在检测平台的侧面且检测头环形阵列分布有四组，检测头的中间固定连接有定位柱，所述定位柱插设在检测平台内的定位槽中。本实用新型的检测头与产品接触部位采用曲面结构设计，测量精度高，且本实用新型结构简单，操作方便，测量效率高，而且相应降低了测量者的劳动强度。
- 接触气动测量装置
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