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[外观设计]接触片陶瓷座（一开五孔）-CN202230644183.6有效
发明人：张赟超 -专利权人：张赟超
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：接触片陶瓷座（一开五孔）。2.本外观设计产品的用途：安装于开关或者插座底座内，将导电接触片与面板进行隔离的陶瓷座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
接触陶瓷一开五孔

[发明专利]接触孔图案化用的明场图像反转-CN01819290.4有效
发明人： C·F·里昂;R·苏布拉马尼亚恩;M·V·普拉特;T·P·卢克 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-10-30 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种形成微小接触孔(160)的方法，使用一个明场掩模(130)以形成一个微小圆柱(140)于一层正型抗蚀剂层(120)上。使负型抗蚀剂层与微小圆柱(正型抗蚀剂)曝光于光线下，且接着使之与显影剂接触。结果留存一个微小接触孔(160)于微小圆柱先前形成之处。
接触图案化用图像反转

[发明专利]采用接触印刷用厚膜膏填塞孔-CN200480019647.3无效
发明人： L·－T·A·程;A·贝克莫哈马迪 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 2004-07-08 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用厚膜膏填塞电子器件中的孔的方法。孔可预先前存在于包括厚膜材料的基板中或在包覆基板的光致抗蚀剂层中被制造。本发明具体有用于电子场发射三极管阵列的制造，在其中孔具有细微尺寸(直径＜100μm)，以及可包含碳纳米管的电子发射器厚膜膏具有高价值。
采用接触印刷用厚膜膏填塞

[实用新型]一种用于臭氧接触池体的人孔装置及臭氧接触池-CN201921605128.5有效
发明人：陈宇;黄晶晶;范加良;倪志冲;陈楠;迟娟 -专利权人：博天环境集团股份有限公司;博天环境规划设计研究院（北京）有限公司;博天环境工程（北京）有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C02F1/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于臭氧接触池体的人孔装置及臭氧接触池，人孔装置包括管体、法兰、法兰盖及密封圈，其中：管体的顶端超出臭氧接触池体的顶板，管体的顶端与法兰连接固定，法兰、法兰盖及密封圈之间可拆卸连接，本实用新型实施例提供的人孔装置，通过采用法兰、法兰盖及密封圈对人孔进行封闭，可以更好地对臭氧接触池池体进行密封，进而提高了臭氧接触池的密封性，避免臭氧气体的泄漏。
一种用于臭氧接触装置

[实用新型]一种电源孔接触件及其接触片以及电连接器-CN201120009914.6无效
发明人：李学迁 -专利权人：中航光电科技股份有限公司
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电源孔接触件及其接触片以及电连接器，所述电连接器包括矩形的绝缘壳体，绝缘壳体中开设有贯通其前后端的装配电源孔接触件的接触件安装腔，所述电源孔接触件包括两片独立分体结构、左右并列间隔设置的一对接触片，各接触件片包括处于前端的作为插接端的平面板，所述各接触件安装腔的靠近绝缘壳体顶、底面两侧的腔壁上相对设有两对用于前后导向插配所述接触片的导向安装槽，导向安装槽的后端开放、前端封堵。本实用新型的电源孔接触件采用分体式结构，两接触片制造简单且两者之间无连接关系，因此两接触件的平面板之间的上下方向上的空气流动将不受到桥接部件的阻挡，可提高采用这种电源孔接触件构成的电连接器的耐用性和散热效果
一种电源接触及其以及连接器

[发明专利]控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法-CN201110315023.8无效
发明人：吴若杉;陈孝贤 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明揭示了一种控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法，包括以下步骤：A)在衬底上涂覆光刻胶，形成光刻胶层；B)利用具有预定图案的光硬化单体对所述光刻胶层进行曝光；C)利用显影剂对经过上述处理后的光刻胶层进行显影时间，控制显影时间、显影温度和显影剂的浓度，得到预设角度的接触孔。本发明利用包括光硬化单体的光刻胶之材料溶点特性，将接触孔孔壁的倾斜角度准确控制在45度至70度之间。
控制液晶显示装置接触孔孔壁角度制作方法

[发明专利]一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法-CN201110386886.4无效
发明人：张亮;毛智彪;胡友存;陈玉文;李磊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法，包括：在一基底上生长一接触孔/通孔复合结构从下至上依次为：刻蚀阻挡层、绝缘介质层、第一介质抗反射层；在所述第一介质抗反射层表面覆盖一层第一底部抗反射层及第一光刻胶
一种提高接触多次光刻重复性方法

[发明专利]一种测试SRAM共享接触孔与有源区接触电阻的结构-CN201510435916.4在审
发明人：葛雯;刘梅;马杰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试SRAM共享接触孔与有源区接触电阻的结构，包括：SRAM存储单元阵列和边界单元；其中，所述边界单元用于将阱电位接出，同时作为SRAM存储单元阵列的环境；而且，所述SRAM存储单元阵列包括多个阵列单元，其中每个阵列单元包括按照左右镜像且上下镜像的方式排列的四个改型SRAM存储单元版图结构；每个改型SRAM存储单元版图结构包含且仅仅包含一个共享接触孔；而且在每个阵列单元中，每个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔与相邻的镜像对称的另一个改型SRAM存储单元版图结构的共享接触孔通过金属布线连接。
一种测试 sram 共享接触有源电阻结构

[发明专利]接触探针和金属化导引孔之间的接触得到改善的探针头-CN202180076227.2在审
发明人：拉斐尔·瓦劳利 -专利权人：泰克诺探头公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本文公开了一种用于测试待测器件操作的探针头(20)，所述探针头(20)包括多个接触探针(10)和至少一个导引件(40')，该接触探针包括在对应的端部(10a，10b)沿纵轴(H‑H)延伸的主体(10')，这些端部适于接触对应的接触垫，并具有基本上正方形或矩形的横截面，该导引件位于平面(α)内并设有用于滑动地容纳接触探针(10)的导引孔(40'h)，所述导引孔(40'h)具有基本上正方形或矩形的横截面。适当地，在导引孔(40')的平面(α)中，导引孔(40'h)的横截面和容纳在其中的接触探针(10)的横截面绕纵轴(H‑H)相对于彼此旋转，并且相对于所述平面(α)中的参考系(x‑y)具有各自不同的方向，使得所述主体(10')的至少一个边缘(S)与所述导引孔(40'h)的相应壁(W)机械地干扰。(40'h'，40”h')导引孔(40'h，40”h)，并适于接触和短路容纳在所述孔组(40'h'，40”h')中并适于传输某种类型的信号的相应一组接触探针。
接触探针金属化导引之间得到改善

[实用新型]一种推动卡与动簧片无孔接触的继电器接触系统-CN202022643500.0有效
发明人：赵鸿祥;高志强;王占杰;周伟伟 -专利权人：广州祥驰电气有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01H50/56 文献下载
摘要：本实用新型申请公开了一种推动卡与动簧片无孔接触的继电器接触系统，包括导通组件、引脚组件和触发组件，所述导通组件与引脚组件连接，所述触发组件与导通组件相抵，所述导通组件包括依次排列的第一导电片、动簧片和第二导电片；本推动卡与动簧片无孔接触的继电器接触系统的推动卡穿过第二导电片且不与第二导电片接触，然后推动卡与动簧片相抵，即可触发动簧片，有效避免推动卡与动簧片摩擦产生塑料碎屑造成各触点接触良，同时无需在动簧片上打孔，即可安装推动卡，即便于加工动簧片，也能够增加动簧片的再载流面积；安装本接触系统时也不会对动簧片施加过多的外力，不会造成动簧片的弹性下降。
一种推动簧片接触继电器系统

[发明专利]一种半导体接触孔的刻蚀方法-CN201410710234.5在审
发明人：李程;杨渝书;黄海辉;秦伟;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用三明治结构的半导体接触孔的刻蚀方法。于第二SiN层上方沉积形成一SiO₂的ILD层；平坦化ILD层，并于ILD层表面形成ILD cap层；ILD cap层从上而下依次包括有光刻胶层和抗反射涂层，于光刻胶层中刻蚀形成接触孔图案；八、利用接触孔图案进行刻蚀，以将各导电结构及位于导电结构两侧的源/漏极予以外露。
一种半导体接触刻蚀方法

[发明专利]HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法-CN201810283523.X在审
发明人：金迎春;刘斌;周文洪;黄立 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，包括以下步骤：在HgCdTe外延片上制备出金属阻挡电极的光刻胶图形，再通过镀膜技术沉积一层金属，然后去除光刻胶表面的金属并去除光刻胶，形成金属阻挡电极；在制备有金属阻挡电极的外延片表面沉积一层钝化层；通过光刻胶在钝化层表面制备出含电学接触孔结构的光刻胶图形，作为在钝化层上刻蚀电学接触孔的掩膜；通过干法刻蚀，刻蚀掉光刻胶孔处裸露的钝化层材料，直至露出金属阻挡电极
电极金属电学接触刻蚀制备阻挡光刻胶光刻胶图形器件钝化钝化层外延片去除沉积钝化层表面钝化层材料光刻胶表面光刻胶掩膜外延片表面镀膜技术干法刻蚀干法去除刻蚀工艺离子轰击孔结构氧离子溶剂湿法掩膜元器件裸露损伤

[发明专利]接触孔填充方法及结构、集成电路芯片-CN201811056353.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开是关于接触孔填充方法及结构、集成电路芯片，采用铝作为填充材料，在沉积了阻挡层的衬底上沉积铝，填充接触孔时首先沉积晶种层，再填充填充层，实现了对接触孔的填充；在填充过程中，首先在第一预设温度下进行预热，并在第一功率下沉积第一填充层，在第二功率下沉积第二填充层，通过铝的回流特性，减少了在填充深宽比大的接触孔时，填充层内部出现孔洞的问题。
接触填充方法结构集成电路芯片

[发明专利]具有闭孔接触层的剥离和放置敷料-CN201980073640.6在审
发明人：克里斯多佛·布赖恩·洛克;蒂莫西·马克·罗宾逊 -专利权人：凯希特许有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： A61F13/00 文献下载
摘要：所述第二层由第一闭孔泡沫形成并且包括穿过所述第一闭孔泡沫的多个开孔。所述第三层由第二闭孔泡沫形成并且包括穿过所述第二闭孔泡沫的多个流体限制，所述多个流体限制被构造成响应于跨所述第二闭孔泡沫的压力梯度而膨胀。所述多个流体限制与所述第二层中的所述多个开孔中的至少一些开孔流体联接。
具有接触剥离放置敷料

[发明专利]一种接触孔及DRAM的制造方法-CN202010751260.8在审
发明人：尹洪权;周娜;李俊杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有光刻工艺的临界尺寸导致接触孔的相关尺寸被限制的问题。将第二掩模层形成为第一图案和第二图案组成的组合图案；将第二掩模层图案转移为侧墙图案，并去除第二掩模层图案；将侧墙图案转移到底部硬掩模层上以形成底部硬掩模层图案；以及以底部硬掩模层图案为掩模刻蚀器件层以形成接触孔图案
一种接触 dram 制造方法