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[外观设计]单晶硅片-CN202030300581.7有效
发明人：沈浩平;李建弘;危晨;刘涛;赵越 -专利权人：天津市环智新能源技术有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：单晶硅片。2.本外观设计产品的用途：制作太阳能电池。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状及表面纹路及纹路间隔和纹路走向。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
单晶硅

[实用新型]一种提高光能利用率的单晶硅片-CN202021540445.6有效
发明人：郑文广 -专利权人：深圳市百度微半导体有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和N型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有N型单晶硅片，且N型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述N型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有P型单晶硅片，且P型单晶硅片和N型单晶硅片之间设置有导通区，所述N型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的P型单晶硅片外壁上固定有上电极。本实用新型不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。
一种提高光能利用率单晶硅

[实用新型]一种光吸收性能好的单晶硅片-CN202021646519.4有效
发明人：王婷 -专利权人：江西久顺科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光吸收性能好的单晶硅片，包括单晶硅片本体，所述单晶硅片本体的顶部固定连接有防腐蚀层，所述防腐蚀层的顶部固定连接有防水层，所述单晶硅片本体包括P型单晶硅片和N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的底部固定连接有金属导电层，所述P型单晶硅片的顶部设置有硅片层，所述硅片层的顶部设置有防反射层，所述防反射层的顶部设置有聚光层。本实用新型通过单晶硅片本体、防腐蚀层、防水层、P型单晶硅片、N型单晶硅片、金属导电层、硅片层、防反射层和聚光层的配合使用，具备光吸收性能好的优点，解决了现有的单晶硅片光吸收性能差，从而容易导致单晶硅片吸收效率低的问题
一种光吸收性能单晶硅

[实用新型]一种单晶硅片清洗装置-CN202120234052.0有效
发明人：陈创 -专利权人：徐州市创泽优电子科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型是一种单晶硅片清洗装置，包括单晶硅片清洗主机、单晶硅片清洗舱门、设备控制面板、电源接口、氢氟酸供应管路、弱碱水供应管路、空气加热干燥装置和排风孔，所述的单晶硅片清洗主机前部表面开矩形通孔通过活动支架安装单晶硅片清洗舱门，单晶硅片清洗舱门左侧的单晶硅片清洗主机前部表面设有设备控制面板，单晶硅片清洗主机一侧表面分别安装电源接口、氢氟酸供应管路和弱碱水供应管路，单晶硅片清洗主机顶部设有空气加热干燥装置，单晶硅片清洗主机顶部开通孔安装排风孔，可以对切割好的单晶硅片进行清洗方便后续生产。
一种单晶硅清洗装置

[实用新型]一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜-CN202220658942.9有效
发明人：戚佳斌;李忠贤;赵毅 -专利权人：中国电子科技南湖研究院
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性单晶硅薄膜半导体器件及柔性单晶硅薄膜，柔性单晶硅薄膜半导体器件包括应力缓冲膜、单晶硅片、聚合物膜和半导体芯片，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，半导体芯片位于单晶硅片内或凸出单晶硅片设置，并与单晶硅片电性连接，聚合物膜覆盖于半导体芯片和单晶硅片上并对半导体芯片进行密封。柔性单晶硅薄膜包括应力缓冲膜、单晶硅片和聚合物膜，单晶硅片位于应力缓冲膜上且厚度为0.2μm～80μm，聚合物膜覆盖于单晶硅片上。既保持了硅单晶特点，又兼容半导体芯片高温制备工艺，具有高性能，提高了信息处理速度、单晶硅片的利用效率和器件电路设计的灵活性，且生产效率和良品率高，移取方便。
一种柔性单晶硅薄膜半导体器件

[发明专利]一种低反射率且具有防护性的单晶硅片-CN201810674599.5在审
发明人：陈春成;戚建静 -专利权人：江苏晶品新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了单晶硅片技术领域的一种低反射率且具有防护性的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔中部设置有单晶硅片，所述单晶硅片的顶部设置有吸光层，所述吸光层包括上吸光板和下吸光板，所述防护壳的四周内壁均设置有防护板，该装置在单晶硅片顶部设置吸光层，可以降低单晶硅片对阳光的反射效果，增加单晶硅片对阳光的吸收效率，而且吸光层中部还开设有多个单晶硅凸体，便于增加单晶硅片对光照采集的面积，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，防护壳内壁设置防护板，以及防护板上的防震棉，便于增加单晶硅片四周防护效果，避免防护壳在受到人体身碰撞后，造成单晶硅片与防护壳内壁发生撞击导致单晶硅片的损坏。
单晶硅片防护壳吸光层防护板顶部设置吸收效率吸光板内壁单晶硅低反射率反射效果防护效果光照采集内腔中部四周内壁防护性防震棉凸体

[实用新型]一种低反射率且具有防护性的单晶硅片-CN201820995868.3有效
发明人：陈春成;戚建静 -专利权人：江苏晶品新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了单晶硅片技术领域的一种低反射率且具有防护性的单晶硅片，包括防护壳，所述防护壳的内腔中部设置有单晶硅片，所述单晶硅片的顶部设置有吸光层，所述吸光层包括上吸光板和下吸光板，所述防护壳的四周内壁均设置有防护板，该装置在单晶硅片顶部设置吸光层，可以降低单晶硅片对阳光的反射效果，增加单晶硅片对阳光的吸收效率，而且吸光层中部还开设有多个单晶硅凸体，便于增加单晶硅片对光照采集的面积，从而提高单晶硅片对阳光的吸收效率，防护壳内壁设置防护板，以及防护板上的防震棉，便于增加单晶硅片四周防护效果，避免防护壳在受到人体身碰撞后，造成单晶硅片与防护壳内壁发生撞击导致单晶硅片的损坏。
单晶硅片防护壳吸光层防护板低反射率顶部设置吸收效率防护性吸光板内壁本实用新型单晶硅反射效果防护效果光照采集内腔中部四周内壁防震棉凸体

[发明专利]一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺-CN201110209139.3无效
发明人：林涛;李勇;陈清波;冯帅臣;张耀明;张茂胜 -专利权人：江苏伯乐达光伏有限公司
申请日： 2011-07-25 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺，其工艺步骤包括：对白斑单晶硅片进行高温处理，使所述白斑单晶硅片表面残留的杂质挥发；对高温处理后的所述白斑单晶硅片进行制绒工艺，去除单晶硅片表面的白斑。本发明提供的制绒白斑单晶硅片的返工工艺，通过对白斑单晶硅片进行高温处理，使其表面残留的杂质挥发，去除杂质的白斑单晶硅片在之后进行的制绒工艺中有利于进行腐蚀，能够有效去除白斑单晶硅片表面的白斑，大大提高了返工硅片的良品率
一种白斑单晶硅返工工艺

[实用新型]一种具有高抗氧性的单晶硅片-CN202122144098.6有效
发明人：霍育强 -专利权人：池州首开新材料有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高抗氧性的单晶硅片，涉及单晶硅片技术领域，包括单晶硅片和防护框，单晶硅片内嵌于防护框的内部侧壁，防护框的上下两端通过胶水粘连有透明钢化玻璃盖板，透明钢化玻璃盖板上内嵌有若干个呈矩阵式结构分布的聚透镜，单晶硅片上下两侧分别内嵌有正极银电极和负极银电极，正极银电极和负极银电极的两端分别延伸至单晶硅片的两端。本实用新型为一种具有高抗氧性的单晶硅片，通过在单晶硅片外部设置防护框，可对单晶硅片起到有效的防护作用，避免遭受外力损坏，通过设置透明钢化玻璃盖板将单晶硅片密封在防护框的内部，避免单晶硅片与外界接触导致被快速氧化，从而延长单晶硅片的使用寿命，简单使用。
一种具有高抗氧性单晶硅

[发明专利]单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法-CN202010276903.8在审
发明人：李新普;高志博;贾锐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅制绒添加剂，包括：溶剂以及质量比为0.25％～1.5％绒面催化剂、0.1％～3％环糊精和0.52％～1.9％绒面缓蚀剂。还提供一种单晶硅制绒方法，包括：将单晶硅片通过制绒剂制绒，其中，制绒剂包括溶剂以及质量百分比为0.5％～3％碱和体积百分比为0.1％～2％如上述单晶硅制绒添加剂。还提供一种绒面单晶硅片制备方法，包括：将单晶硅片在碱性环境中进行抛光，以去除单晶硅片损伤层；将去除损伤层单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片采用如权利要求6～8任意一项单晶硅制绒方法进行制绒；将制绒后单晶硅片在碱液中进行清洗，以去除单晶硅片表面杂质；将去除杂质单晶硅片在酸液中进行清洗。本发明能够在单晶硅片表面制备均匀细密金字塔结构。
单晶硅添加剂方法以及制备

[发明专利]一种大尺寸单晶硅片高效清洗方法-CN202310167590.6在审
发明人：徐礼健;蒋军 -专利权人：江苏和阳新材料有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸单晶硅片高效清洗方法，涉及单晶硅片清洗技术领域，针对现有的大尺寸单晶硅片高效清洗方法，在使用不同的溶液对单晶硅片进行清洗后，无法对其表面残留的溶液进行清理，单晶硅片表面的洁净度不够，制绒后单晶硅片的良品率无法得到保障，使用效果不够理想的问题，现提出如下方案，包括以下步骤：S1：预处理清洗：使用纯净水对单晶硅片表面进行冲洗，冲洗掉单晶硅片的金属粒子、硅粉粉尘及有机杂质。本发明设计合理，在使用不同的溶液对单晶硅片进行清洗后，可以对其表面残留的溶液进行高效清理，单晶硅片表面的洁净度较高，可以保证制绒后单晶硅片的良品率，使用效果好，值得推广使用。
一种尺寸单晶硅高效清洗方法

[发明专利]一种用于单晶硅片的自动化清洗系统和清洗方法-CN202210799573.X在审
发明人：杨崇秋;周林;吉成东 -专利权人：江苏茂硕新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅片技术领域，具体涉及一种用于单晶硅片的自动化清洗系统和清洗方法，包括：控制终端，是系统的主控端，用于发出控制命令；接收模块，用于接收单晶硅片，向清洗仓体中传送；清洗仓体，用于搁置单晶硅片，对单晶硅片进行清理处理；称重模块，部署在清洗仓体的内部，用于对清洗仓体内部搁置的单晶硅片进行称重；配比模块，用于获取称重模块的运行结果数值，参考该数值进行单晶硅片的清洗液配比；控制面板，是系统的外部控制部件，用于控制清洗仓体的运行开闭，本发明能够自动化的对单晶硅片进行识别，从而实现同属性的单晶硅片的批次清洗，从而以此有效的保证了单晶硅片的清洗完备率，确保单晶硅片的清洗更具针对性。
一种用于单晶硅自动化清洗系统方法

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN202080010693.6有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。以及一种太阳能电池组件，其采用该制备方法制得的条状直角单晶硅片。
单晶硅制备方法应用

[发明专利]一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片-CN202210245418.3有效
发明人：徐志群;孙彬;付明全;杨振忠;马伟萍 -专利权人：广东高景太阳能科技有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。
一种单晶硅生产方法

[发明专利]单晶硅片的制备方法和应用-CN201910159650.3有效
发明人：孟祥熙;曹育红;陈涛;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，其能将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅准方片，或将单晶硅棒切割出条状直角单晶硅片和单晶硅方片，可提高单晶硅棒的利用率。
单晶硅制备方法应用

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