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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210825455.1在审
发明人：吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体装置包括基板、第一氮化硅层、第二氮化硅层、氧化物绝缘层以及第一金属氧化物层。第一氮化硅层位于基板之上。第二氮化硅层位于第一氮化硅层之上。第一氮化硅层与第二氮化硅层都包含氢元素。第二氮化硅层的氢浓度低于第一氮化硅层的氢浓度。第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。氧化物绝缘层位于第二氮化硅层上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘层上。第二氮化硅层位于第一金属氧化物层与基板之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法-CN201910908744.6有效
发明人：叶枫;金义程;叶健;张标;刘强;高晔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，
一种多孔氮化陶瓷连接方法

[发明专利]均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法-CN201110389200.7无效
发明人：魏峥颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法，该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求，分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜，包括如下步骤：1)在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜；2)以惰性气体离子或氧离子轰击该氮化硅薄膜，以均匀化该氮化硅薄膜；重复步骤1)和步骤2)，直到氮化硅薄膜厚度达到所需的要求，刻蚀形成侧墙。本发明的方法可以打开小线宽要求的制程中形成的氮化硅封口，继续沉积氮化硅时易于达成侧墙厚度的均匀性；该方法在打开氮化硅封口的同时，不会除去该封口底部的氮化硅，从而不会影响氮化硅的沉积效果。
均匀沉积氮化形成方法

[发明专利]一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法-CN202011090280.1有效
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;洪学鹍;魏青竹;倪志春;王书昶;郝明辉;张德宝 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备微结构的三层氮化硅减反层，包括按光线入射方向依次层叠的第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜，所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜折射率依次增加而厚度依次减小，所述三层氮化硅减反层设有贯通所述第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜的纳米圆柱孔阵列微结构。本发明还公开了具备微结构的三层氮化硅减反层的制备方法，以等离子增强气相沉积法沉积氮化硅膜，由氮气流量和硅烷流量的比例控制氮化硅膜折射率，通过调控沉积时间控制氮化硅膜厚度。
一种具备微结构三层氮化硅减反层及其制备方法

[实用新型]一种氮化硅电热元件-CN200820085241.0无效
发明人：周祥林;赵志伟 -专利权人：周祥林
申请日： 2008-03-28 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅电热元件，包括氮化硅基体的热端和氮化硅基体的冷端，氮化硅基体内设有发热源，发热源连接电源引脚，氮化硅电热元件呈扁平状，氮化硅基体的总长L为90mm，氮化硅基体的宽度W为15mm，氮化硅基体的高度H为3.5～4mm，氮化硅基体内的发热源采用白钨丝。本实用新型氮化硅电热元件体积小，从根本上减少了原材料的用量，节约成本；氮化硅电热元件不进行倒角，使得边角的原材料得以利用，节约电能；氮化硅电热元件规格变小，使得后续电子产品的安装如热水器、淋浴器等灵活方便；且发热源采用白钨丝，氮化硅电热元件寿命长。
一种氮化电热元件

[发明专利]氮化硅基烧结体及切削镶刀-CN201780022145.3有效
发明人：中山裕子;小村笃史 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明的一个方面涉及的氮化硅基烧结体是含有氮化硅基颗粒的氮化硅基烧结体，该氮化硅基颗粒为氮化硅颗粒或赛隆颗粒。该氮化硅基烧结体中，将各个氮化硅基颗粒的大小分别以最大粒径表示时，所有的氮化硅基颗粒中，最大粒径为1μm以下的氮化硅基颗粒的个数的比率为70个数％以上。并且，在针对最大粒径的氮化硅基颗粒的个数％的分布中，作为氮化硅基颗粒的个数％的最大值的最大个数％为15个数％以上。
氮化烧结切削

[发明专利]氮化硅烧结体、氮化硅基板及氮化硅电路基板-CN201980042179.8有效
发明人：青木克之;岩井健太郎;深泽孝幸;门马旬;佐野孝 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C04B35/587 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅烧结体，其特征在于，其是具备氮化硅晶粒及晶界相的氮化硅烧结体，其中，在至少一部分上述氮化硅晶粒的内部，存在位错缺陷部。在氮化硅烧结体的任意的截面或表面，可见到全部轮廓的任意的50个上述氮化硅晶粒中的上述至少一部分上述氮化硅晶粒的数目的比例为50％～100％。使用了氮化硅烧结体的氮化硅基板的厚度优选为0.1mm～0.4mm的范围内。另外，将氮化硅基板用于氮化硅电路基板，能够提高TCT特性。
氮化烧结硅基板路基

[发明专利]基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法-CN202110808467.9在审
发明人：王安鑫;王书晓;蔡艳 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于双层氮化硅结构的光栅耦合器及其制作方法，包括衬底、第一二氧化硅层、下层氮化硅光栅、下层氮化硅波导、第二二氧化硅层、上层氮化硅光栅、上层氮化硅波导及第三二氧化硅层。上层氮化硅光栅将输入光的部分耦合进入上层氮化硅波导中，输入光的另一部分透过上层氮化硅光栅射向衬底形成透射光，下层氮化硅光栅将透射光的一部分反射回上层氮化硅光栅，并耦合进入上层氮化硅波导，透射光的另一部分进入下层氮化硅光栅并耦合进入下层氮化硅波导，然后耦合进入上层氮化硅波导中。
基于双层氮化结构光栅耦合器及其制作方法

[发明专利]一种FINFET结构的制备方法-CN201410060243.4有效
发明人：丁弋;陈锟;朱也方;李芳;王从刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FINFET结构的制备方法，包括研磨掉氮化硅2上的氧化硅1；通过低选择比研磨液继续研磨一定量的氧化硅1和氮化硅2，以减薄氮化硅2的厚度；湿法刻蚀去除氮化硅；湿法刻蚀去除部分氧化硅1，形成FinFET本发明的技术方案简便易行，利用两次CMP制程，减薄氮化硅的厚度，增加氮化硅的宽度，即增加氮化硅与药剂的接触面积，有利于湿法对氮化硅的去除，最终达到氮化硅的完全去除，避免了氮化硅去除不完全的后果。
一种 finfet 结构制备方法

[发明专利]一种高纯氮化硅的回收方法-CN200910186468.3有效
发明人：胡动力;吕东;何亮 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及光伏或半导体领域中的一种氮化硅的回收方法，特别是一种高纯氮化硅的回收方法，回收得到的高纯氮化硅可以再次应用于多晶硅生产用坩埚涂层的制备或其他领域；采用废弃的石英坩埚表面的氮化硅涂层作为氮化硅原料，氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金属等杂质，其特征在于：将氮化硅原料经过化学溶液处理后得到高纯氮化硅；氮化硅原料的纯度以重量计含有氮化硅50％-99.98％，二氧化硅、硅、金属等杂质0.02％-50％；不仅实现了高纯氮化硅的回收
一种高纯氮化回收方法

[发明专利]具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层及其形成方法-CN201310566294.X有效
发明人：陈韦廷;黄家琦;黄俊杰;胡友元 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：提供一种具有改善的蚀刻角度的栅极绝缘层，包括：第一氮化硅膜；设置于第一氮化硅膜之上的第二氮化硅膜；设置于第二氮化硅膜之上的第三氮化硅膜，其中第一氮化硅膜与第三氮化硅膜的厚度小于第二氮化硅膜的厚度，第一氮化硅膜与第三氮化硅膜中的N‑H键含量低于第二氮化硅膜中的N‑H键含量，且第三氮化硅膜与第一氮化硅膜中的N‑H键含量之差不小于5%。此外，本发明的三层氮化硅膜在同一腔室中以相同原料气体一次性连续形成，工艺简单、成本低，且三层均为氮化硅膜，具有良好的界面性能。
氮化硅膜蚀刻栅极绝缘层三层斜坡状侧面界面性能连续形成同一腔室原料气体一次性致密性

[发明专利]一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺-CN201711228896.9在审
发明人：缪强;常宇峰;王亚豪;宛正 -专利权人：江苏彩虹永能新能源有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺，包括金刚线切割多晶P型硅片和铝背场，所述铝背场设置在金刚线切割多晶P型硅片下方，所述金刚线切割多晶P型硅片上方设置有第一氮化硅层，所述第一氮化硅层上方设置有第二氮化硅层，所述第二氮化硅层上方设置有第三氮化硅层，所述第三氮化硅层上方设置有栅线电极，第一氮化硅层采用折射率为2.4的氮化硅薄膜，第二氮化硅层采用折射率为2.15的氮化硅薄膜，第三氮化硅层采用折射率为2.0的氮化硅薄膜，该高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池，可以有效降低金刚线切电池片的光反射率，提高电池转换效率，可以普遍推广使用。
一种高效三层氮化金刚太阳能电池及其制造工艺

[发明专利]一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法-CN201210158843.5有效
发明人：徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法，其中，包括下列步骤：提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层；在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层，所述第二氮化硅层为掺杂有杂质元素的氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层组成高拉应力的氮化硅薄膜；蚀刻所述PMOS晶体管表面，去除所述PMOS管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层；对所述半导体衬底进行快速热退火工艺；对所述NMOS晶体管进行刻蚀，去除NMOS晶体管表面的第一氮化硅层和第二氮化硅层。本发明的目的是提供一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法。该方法，优化了工艺，减小成本，同时能够改善器件性能。
一种形成应力氮化薄膜方法

[发明专利]一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法-CN201410160590.4有效
发明人：叶枫;刘仕超;高晔;张标;刘强;林少杰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C04B35/583 文献下载
摘要：一种水基流延成型制备致密氮化硅陶瓷材料及致密异形氮化硅陶瓷材料的方法，它涉及一种制备氮化硅陶瓷材料的方法。本发明的目的是要解决现有制备致密氮化硅陶瓷材料的方法成本高，烧结块体积小，后续加工困难，致密度低，强度差和制备致密异形氮化硅陶瓷材料致密度低和强度差的问题。致密氮化硅陶瓷材料的方法的制备方法：一、添加烧结助剂；二、制备浆料；三、制备氮化硅陶瓷生带；四、制备排胶后的氮化硅基板生坯；五、烧结。致密异形氮化硅陶瓷材料的制备方法：一、添加烧结助剂；二、制备浆料；三、制备氮化硅陶瓷生带；四、制备排胶后的异形氮化硅材料生坯；五、烧结。本发明可获得致密氮化硅陶瓷材料和致密异形氮化硅陶瓷材料。
一种基流成型制备致密氮化陶瓷材料异形方法

[实用新型]用于合成高α相氮化硅粉体的反应器-CN201822132588.2有效
发明人：王艺馨;高礼文;孙百忠;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 -专利权人：泰晟新材料科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及氮化硅合成装置技术领域，具体涉及一种用于合成高α相氮化硅粉体的反应器。所述反应器包括氮化硅筒体、外壳、底板和顶盖；所述氮化硅筒体外表面设有保温层；所述底板和氮化硅筒体之间依次设有底部氮化硅压环和底部多孔氮化硅板，所述底板与进气管道相连，进气管道上设有进气阀门；所述顶盖和氮化硅筒体之间依次设有顶部氮化硅压环和顶部多孔氮化硅板该反应器构造简单，操作简便，用于合成氮化硅粉体，反应周期短，合成效率高，合成的氮化硅粉体纯度高，α相氮化硅含量高。
氮化硅氮化硅粉体合成底板反应器顶盖筒体多孔氮化硅出气管道压环本实用新型反应器构造冷却水腔室筒体外表面出气阀门反应周期合成装置进气阀门进气管道保温层进气管底盖

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