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[发明专利]一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795473.4在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;田继升 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。复合功能剂是用聚丙烯酸和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素。本发明的复合功能剂具有以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护铜和铝基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310780439.X在审
发明人：侯军;孙昊然;武文东;田继升;赵晓莹 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体蚀刻液、其制备方法与用途，所述氮化物半导体蚀刻液包括重量配比如下的各组分：过氧化氢1‑20份；钠盐1‑10份；无机酸5‑40份；有机酸5‑10份；超纯水10‑30份。所述钠盐为二乙烯三胺五甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸五钠和二乙烯三胺五甲叉膦酸七钠中的一种或多种。本发明还公开了氮化物半导体蚀刻液的制备方法及其在氮化物金属膜蚀刻领域的用途。本发明氮化物半导体蚀刻液能与氮化物金属膜发生蚀刻反应，同时能抑制过氧化氢分解，防止蚀刻后的金属离子吸附到基材表面，污染基材。
一种氮化物半导体蚀刻制备方法用途

[发明专利]一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液、其制备方法与用途-CN202310760835.6在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种超润湿缓冲氧化物蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：49％的氢氟酸2‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合功能剂0.1‑10份；去离子水10‑60份。复合功能剂是由醚类化合物和胺类化合物复配得到。本发明还公开了该蚀刻液的制备方法以及使用方法。本发明的复合功能剂中胺类化合物具有胺基特性，可与氟离子发生反应，从而更好地分散在体系中；酚醚中的羟基和醚键，可与水分子形成氢键，使得蚀刻液体系中各组分分子结合更紧密，溶液更稳定。本发明的蚀刻液具有低表面张力、高铺展性能的优势，因其组分的高分散性能，避免了制备工艺因长时间搅拌带来的蚀刻液有效组分挥发的问题，可以广泛应用于二氧化硅薄膜蚀刻领域。
一种润湿缓冲氧化物蚀刻制备方法用途

[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法-CN202010554003.5有效
发明人：柳浩成;金明炫;李浚银 -专利权人： OCI有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及一种如下的氮化硅膜蚀刻溶液以及使用其来进行的半导体器件的制备方法，即，通过将氨基酸类、硫酯类(thioester)或酯类基团引入胶体二氧化硅粒子之间来防止硅类颗粒的产生，从而可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比。
氮化蚀刻溶液使用半导体器件制备方法

[发明专利]一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液及其制备方法-CN202310761188.0在审
发明人：侯军;赵晓莹;武文东;孙昊然;曲延琦 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于纳米尺寸氧化硅层的蚀刻液，按照重量份计算包括如下组分：49％的氢氟酸5‑30份；40％的氟化铵5‑50份；复合改性剂0.5‑10份；润湿流平剂0.1‑1份；去离子水20‑60份。复合改性剂是阴阳离子表面活性剂的复配物；润湿流平剂为氟改性有机硅聚合物。同时本发明提供了利用上述蚀刻液对二氧化硅结构片进行蚀刻的方法。本发明采用复合改性剂不仅可以提高表面活性，降低表面张力，还可以提高各组分在基材表面的吸附量，表面吸附层分子排列更加紧密。复合改性剂和润湿流平剂一方面可以使溶液体系表面张力降低；另一方面可以使蚀刻角度减小，孔结构可控。同时氟的引入可显著降低蚀刻液的表面张力，提高对基材的润湿性，整体复合了流平、润湿和消泡功能。
一种用于纳米尺寸氧化蚀刻及其制备方法

[发明专利]一种LED粗化液，其制备方法与应用-CN202310780436.6在审
发明人：侯军;田继升;武文东;曲延琦;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种LED粗化液，其制备方法与应用，所述LED粗化液包括重量配比如下的各组分：无机酸10‑20份；有机酸10‑20份；烷基盐类化合物0.01‑0.1份；铵盐20‑40份；超纯水20‑60份。所述烷基盐类化合物为烷基溴化铵和/或烷基磺酸钠。本发明还公开了LED粗化液的制备方法。本发明LED粗化液具有粗化颗粒细密、LED表面粗化均匀的特性，能应用于Mini/Micro‑LED领域，能够有效增加红黄光Mini/Micro‑LED的外量子效率，提高提亮比，解决由于折射率过大而造成的AlGaInP外延发光效率低的问题。解决了现有技术中技术问题。
一种 led 粗化液制备方法应用

[发明专利]一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用-CN202310795462.6在审
发明人：侯军;武文东;赵晓莹;孙昊然 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1‑0.5份，氢氟酸0.2‑10份，氟化铵5‑40份，超纯水30‑80份。本发明的复合功能剂具由以下优良特性：良好的水溶性，高润湿性和保护基材免受腐蚀的功能。同时，本发明的半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法也具有更加优异的性能，其能够实现受控的蚀刻速率，改善蚀刻均匀性，提高蚀刻的选择性。本发明中对于蚀刻液蚀刻工艺无特殊要求，仅在浸泡和超纯水清洗的工艺下即可完成高质量的蚀刻，易于产业化应用，降本增效。
一种选择性半导体芯片二氧化硅蚀刻制备方法及其应用

[发明专利]一种适用于多相金属矿物的高效腐蚀剂及制备方法-CN202210523131.2有效
发明人：方仁强;胡涛 -专利权人：武汉汉烯科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于多相金属矿物的高效腐蚀剂，包括30‑50重量份的去离子水，12‑14重量份的氨基磺酸、2‑4重量份的氟化氢铵、2‑4重量份的柠檬酸，0.5‑2重量份的氯化铵、20‑40重量份的DMF、0.4‑0.6重量份的次氯酸钠。本发明中，腐蚀剂采用水‑DMF混合溶液，充分溶解后加入少量次氯酸钠，产生氯气并溶于DMF中，利用氯气及水中电离的氢离子对金属进行蚀刻，其他成分如柠檬酸，氯离子，氟离子以及铵根能够对金属离子进行高效的络合，从而暴露金属表面，使反应进行下去，这种络合剂除了产生的微量氯气以及微量挥发的DMF外，没有其他污染物，相较于传统金属腐蚀剂有更大的安全保障和环保效果。
一种适用于多相金属矿物高效腐蚀剂制备方法

[发明专利]一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用-CN202310045359.X有效
发明人：李祥庆 -专利权人：江苏美阳电子材料有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用，本发明通过采用聚醚改性聚二甲基硅氧烷、十二烷基硫酸钠和硬脂酸单甘油酯进行复配，所制备的缓冲氧化腐蚀液具有较低的表面张力，表面张力可低至10‑16达因，使得其能够用于腐蚀硅基片表面的小孔径，同时通过加入1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体，在金属的表面形成一层致密的缓蚀剂膜，对金属起到一定的保护效果；此外，由于1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体不溶于水，本发明中的复合表面活性剂能够对1‑乙基‑3‑甲基咪唑双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐离子液体起到良好的分散效果，使其能更好的沉积在金属的表面，从而降低了氧化腐蚀液对金属的腐蚀。
一种缓冲氧化腐蚀及其制备方法应用

[发明专利]蚀刻剂-CN202310182445.5在审
发明人：梁伸赫;金范洙;赵现洙;金志训;尹暎晋;李恩远;姜东汉;朴芝焄;许宗茂 -专利权人：三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请提供了蚀刻剂。该蚀刻剂包括：过硫酸盐；含氟化合物；含氯化合物；环胺化合物；无机酸；第一化合物；和水，其中所述第一化合物为含有以下的化合物：砜基、磺酸基或其组合；和胺基，并且蚀刻剂的界面渗透抑制指数(Y)为至少约0.10且不大于约0.35的值，界面渗透抑制指数(Y)是通过方程式1计算的值：方程式1Y＝1.4×10‑4×M(X1)+1.3×10‑4×M(X2)+1.45×10‑3×M(X3)+1.5×10‑5×M(X1)×M(X2)+1.6×10‑3M(X1)×M(X3)+6.5×10‑4×M(X2)×M(X3)方程式1的描述如本说明书中所述。
蚀刻

[发明专利]选择性移除金属氧化物硬掩模-CN202180091371.3在审
发明人：蔡升贤;洪性辰;E·洪;余珠姬;金元来;梁正烈 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供在其它材料(如多晶硅、二氧化硅、氮化硅和钨)存在下可用于选择性蚀刻(即移除)金属氧化物硬掩模(如氧化锆和氧化铪)的组合物，所述硬掩模通常用作微电子装置中的硬掩模。
选择性金属氧化物硬掩模

[发明专利]一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液及蚀刻方法-CN202211186904.9有效
发明人：王燕清;陈立航;杨佐东 -专利权人：重庆臻宝科技股份有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅材料微孔蚀刻的蚀刻液，属于蚀刻技术领域，其蚀刻液由以下物质的水溶液组成：氟化铵、硝酸钾、硫酸、过硫酸铵、山梨醇、聚氧乙烯醚化合物，按重量份计：氟化铵10‑18份、硝酸钾11‑15份、硫酸40‑45份、过硫酸铵0.5‑1.5份、山梨醇0.5‑1.5份、聚氧乙烯醚化合物0.3‑0.8份、氢氟酸0.5‑1.5份、磷酸脂盐0.7‑1.3份；还公开了一种硅材料微孔蚀刻的蚀刻方法，包括如下步骤：S1、称取氯化铵后加水溶解，加入硝酸钾、硫酸、过硫酸铵搅拌均匀并冷却，再加入山梨醇、聚氧乙烯醚化合物后加余量水定容；S2、将混合溶液加热至30‑50℃，放入表面设有若干个微孔的硅产品进行蚀刻。本发明工艺简单，便于大批量生产蚀刻液，且制备的蚀刻液蚀刻效果好。
一种用于材料微孔蚀刻方法

[发明专利]一种蚀刻液的制备方法-CN202310669810.5在审
发明人：张建;巩强;林向阳;彭绍辉;周水晶;王凯慧 -专利权人：浙江芯秦微电子科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本申请涉及蚀刻液制备技术领域，公开了一种蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：步骤一、取得高纯度的氟硅酸钠和过氧化氢；步骤二、采用微观流控技术将氟硅酸钠和过氧化氢放入装有高纯度的水的超声波反应皿中，在室温下进行反应直到反应结束；步骤三、反应结束后，加入稳定剂、缓冲剂，并搅拌均匀；步骤四、再依次加入表面活性剂、矿物酸、有机酸、金属离子，充分搅拌后过滤得到蚀刻液，其pH值为2‑4；所述氟硅酸钠的纯度大于99.999％。通过以高纯度的氟硅酸钠、过氧化氢和水混合反应制备得到蚀刻液，使蚀刻液的蚀刻速率伴随蚀刻液中氟硅酸钠与过氧化氢的浓度变化而产生变化，进而实现了蚀刻液蚀刻速率可调的效果。
一种蚀刻制备方法

[发明专利]一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用-CN202011310283.1有效
发明人：崔巍 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供一种丝网印刷电化学刻蚀用浆料及其制备方法和应用。所述丝网印刷电化学刻蚀用浆料按质量百分含量计包括：氟化铵0.35‑15％、氟化氢0.05‑5％、增稠剂0.1‑10％，余量为溶剂。所述浆料可以用于丝网印刷电化学刻蚀技术，从而一步完成选择性刻蚀。
一种丝网印刷电化学刻蚀浆料及其制备方法应用

[发明专利]一种光电行业蚀刻液的生产方法-CN202211324398.5有效
发明人：刘松;高月;刘东洋;姜灿;潘庆祥;易乐 -专利权人：湖北九宁化学科技有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电行业蚀刻液的生产方法，属于精细氟化工技术领域。本发明首先将氟化钠溶液和氟硅酸溶液混合后进行反应，得到的氟硅酸钠料浆顺次进行离心、精过滤得到含氢氟酸的滤液，再将含氢氟酸的滤液进行纳膜过滤，得到氢氟酸溶液和浊盐液，最后在氢氟酸溶液中加入除杂剂后，再经亚沸精馏得到蚀刻液和低度酸。本发明得到的蚀刻液纯度高、杂质少，产品收率高，可以作为刻蚀剂用于光电行业。
一种光电行业蚀刻生产方法

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