专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果507个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种基于视觉Transformer的自动睡眠分期方法-CN202210965248.6在审
  • 任延珍;彭荔 - 武汉大学
  • 2022-08-12 - 2022-11-22 - G06K9/00
  • 本发明将原始PSG信号通过滑窗处理得到PSG信号序列;将PSG信号序列通过数据增强得到增强信号样本;通过视觉Transformer帧级编码器、双向GRU序列级编码器、softmax层级联构建睡眠分期网络,将每组PSG信号样本输入睡眠分期网络,预测PSG信号样本的睡眠阶段,通过跨模态迁移学习初始化网络,结合PSG信号样本的真实睡眠阶段构建损失函数,使用ADAM优化器训练得到优化后睡眠分期网络;实时采集PSG信号,将PSG信号样本通过优化后睡眠分期网络,预测睡眠阶段。本发明根据PSG信号的噪声和伪迹设计数据增强,提高网络对PSG信号噪声和伪迹的鲁棒性;引入基于视觉Transformer的编码器,提高网络特征表示能力;通过迁移学习,减轻对大量PSG数据的依赖。
  • 一种基于视觉transformer自动睡眠分期方法
  • [发明专利]OLT设备及OLT设备冗余保护方法-CN201710942399.9在审
  • 邱明;肖林发;韦国华 - 深圳市新格林耐特通信技术有限公司
  • 2017-10-11 - 2017-12-15 - H04B10/032
  • 本发明涉及一种OLT设备及OLT设备冗余保护方法,该设备包括PON芯片,包括PSG输出端、PSG输入端和至少两个PON口;可编辑逻辑器件,包括多个输入输出端,所述PSG输出端连接至一输入输出端,所述PSG输入端连接至另一输入输出端;主控制器,用于发送设置主PON口和备PON口的控制指令,所述可编辑逻辑器件在无源光网络的链路发生故障时,根据所述控制指令将所述主PON口对应的PSG输出端与所述备PON口对应的PSG输入端连接。上述OLT设备及OLT设备冗余保护方法设计简单,成本低,若链路发生故障,使得主PON口对应的PSG输出端与备PON口对应的PSG输入端连接,从而完成PSG冗余保护的功能,控制灵活,方便。
  • olt设备冗余保护方法
  • [发明专利]一种FinFET结构的固相源掺杂方法-CN202010584726.X在审
  • 李勇 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-06-24 - 2021-12-24 - H01L21/8238
  • 结构的固相源掺杂方法,Fin结构及其上的缓冲层、缓冲层上的硬掩膜层构成叠层,用作PMOS的叠层为第一结构;用作NMOS的叠层为第二结构;沉积BSG层覆盖叠层及基底上表面;去除第一结构上的BSG层;沉积PSG层覆盖第二结构上的BSG层、第一结构以及基底上表面;去除第二结构上的PSG层;在基底上表面的PSG层和BSG层上形成介质层;去除介质层以上的PSG层和BSG层;去除介质层将Fin结构侧壁剩余的PSG层和BSG层及基底上表面的PSG层和BSG层暴露;沉积帽层以覆盖叠层及Fin结构侧壁的PSG层和BSG层;退火以使Fin结构侧壁的PSG层中的磷和BSG层中的硅向Fin结构内部侧向扩散;刻蚀去除PSG层和BSG
  • 一种finfet结构固相源掺杂方法
  • [发明专利]一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法-CN201110008499.7无效
  • 缪燕;彭仕敏 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-01-17 - 2012-07-18 - H01L21/316
  • 本发明公开了一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法,包括步骤:在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙;漏源注入及快速热退火;淀积SACVD PSG薄膜;淀积HDP PSG薄膜;刻蚀接触孔。该方法可以避免衬底硅因接触孔过刻蚀而受到损伤,且用该方法制备的PSG薄膜具有优良的填孔性能和易于刻蚀的膜质结构。在制备时,先用SACVD淀积工艺生长一层PSG薄膜,然后再用HDP CVD淀积工艺生长高掺杂PSG薄膜,利用SACVD PSG薄膜磷掺杂量均一的特点,提高HDP PSG薄膜花状外壳底部起始点的位置,增大接触孔选择性刻蚀的工艺窗口
  • 一种掺杂玻璃薄膜制备方法
  • [发明专利]迁移学习联合优化睡眠分期方法及可穿戴睡眠分期系统-CN202310773755.4在审
  • 陈南西;刘贵松 - 重庆大学
  • 2023-06-28 - 2023-09-01 - G16H20/70
  • 一种迁移学习联合优化睡眠分期方法及可穿戴睡眠分期系统,包括以下步骤:标签PSG数据库传送带标签PSG数据给第一特征提取器,可穿戴EEG采集器发送无标签EEG数据给第二特征提取器的;第一特征提取器和第二特征提取器分别提取PSG数据和EEG数据中的特征并融合后,输出高维特征数据给第一分类器和第二分类器;第一分类器和第二分类器分别输出PSG数据和EEG数据特征映射的5个不同睡眠时期的预测概率;基于PSG数据对模型进行预训练后联合PSG数据和EEG数据进行联合迁移优化。本发明显著效果:不仅能够克服可穿戴EEG睡眠数据与用于模型训练的公开PSG数据之间域偏移问题,提高睡眠分期精度;该模型极其轻量,可以部署在多种移动硬件载体上,无负担的进行移动端边缘计算。
  • 迁移学习联合优化睡眠分期方法穿戴系统

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top