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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310728181.9在审
发明人：叶德夫;杜政杰;黄铭淇;庄英良;叶明熙;黄国彬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置的制造方法，包括：提供至少两个结构，每个结构上具有金属层；在第一结构上方的金属层上方形成图案化光刻(photolithographic)层；通过使用能防止渗透(resistant to penetration)到光刻层中的化学蚀刻剂进行湿式蚀刻操作以从第二结构去除金属层；以及，在进行湿式蚀刻操作之后，实现小于179且大于1的距离X对距离Y的剩余金属比例，其中距离X是从第一直线到第二直线的第一距离，第一直线延伸自第一半导体装置上方剩余的金属层的边缘，第二直线延伸自第二半导体装置中的通道区的边缘，且距离Y是从第一直线到第三直线的第二距离，第三直线从形成在第一半导体装置中的通道区上方的金属层的边缘延伸。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]硬遮罩结构-CN202210592673.5在审
发明人：黄圣富;陈冠华 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种硬遮罩结构包含钨基导电层、碳基硬遮罩层以及氮化物层。碳基硬遮罩层设置在钨基导电层上。氮化物层设置在钨基导电层和碳基硬遮罩层之间，以增强它们之间的附着力。
硬遮罩结构

[发明专利]改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法-CN202310850651.9在审
发明人：王泽玉;李东;汪盼盼 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请提供一种改善金属刻蚀后划片槽Ti残留的方法，应用于芯片刻蚀的技术领域，其中，包括，提供一半导体器件，光刻胶涂覆于半导体器件的金属表面上，金属的表面存在晶界；采用惰性气体和Cl2同时对金属表面的光刻胶进行物理轰击和化学刻蚀。本申请通过使用惰性气体对金属表面的光刻胶进行轰击，晶界处的光刻胶远小于其他位置的光刻胶，晶界处的光刻胶在惰性气体和Cl2的轰击与刻蚀下被清除，避免因晶界处存在光刻胶导致晶界处与非晶界处刻蚀进度不同，导致划片槽处产生Ti残留，从而减少Ti对刻刀产生的损伤，晶界处的光刻胶被轰击清除，Cl2刻蚀铝所产生的副产物会和光刻胶混合形成聚合物附着在金属侧壁和光刻胶上对金属和其他位置的光刻胶进行保护。
改善金属刻蚀划片 ti 残留方法

[发明专利]等离子体蚀刻技术-CN202280017300.3在审
发明人：栾平山;艾兰·莫斯登 -专利权人：东京毅力科创株式会社;东京毅力科创美国控股有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：在某些实施例中，用于处理半导体衬底的方法包括接收包括膜堆叠体的半导体衬底。该膜堆叠体包括第一和第二含锗层以及位于该第一与第二含锗层之间的第一硅层。该方法包括通过将该膜堆叠体暴露于包括氟剂和氮剂的等离子体来选择性地蚀刻该第一硅层。该等离子体蚀刻该第一硅层，并且使得在该第一和第二含锗层的暴露表面上形成钝化层以在该膜堆叠体暴露于该等离子体期间抑制该第一和第二含锗层的蚀刻。
等离子体蚀刻技术

[发明专利]一种用于蚀刻钼的方法-CN202180094163.9在审
发明人： A·帕科;中野哲平 -专利权人： IMEC非营利协会;株式会社斯库林集团
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于蚀刻钼特征物的方法，其包括以下步骤：a)使用热氧化工艺氧化该钼特征物的厚度部分以形成热钼氧化物层，以及b)使用湿化学物溶解该热钼氧化物层。
一种用于蚀刻方法

[发明专利]晶圆刻蚀方法-CN202310012370.6在审
发明人：李勇;杜闫;王永辉;余鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆刻蚀方法，包括：通过静电卡盘吸附晶圆；形成对准标记；将工艺腔室内的压力控制以及将参与刻蚀的气体的流量控制在一定范围内；进行等离子体点火，对晶圆进行释放电荷的预处理；加热静电卡盘，同时将热传导气体的流量增加至预设的流量阈值区间内；对晶圆进行释放电荷处理并将晶圆顶起。本申请通过稳定工艺腔室内的压力以及气体流量，并在等离子体点火之后，通过加热静电卡盘以及增加热传导气体的流量，将静电卡盘表面的温度升高至预设的温度阈值区间内，最后对晶圆进行释放电荷处理，可以去除静电卡盘表面堆积的大量聚合物，避免了因静电释放不充分而造成晶圆位置发生偏移、晶圆正面划伤、晶圆碎片、机台宕机等问题的情况。
刻蚀方法

[发明专利]蚀刻液-CN201810269618.6有效
发明人：吉崎了 -专利权人：长濑化成株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液即使水分蒸发，也能够抑制草酸析出，不仅有机膜和SiN的残渣除去性优异，而且玻璃的残渣除去性也优异，适合用于氧化铟系膜的蚀刻。另外，本发明的目的还在于提供一种蚀刻液，该蚀刻液对铟的溶解度大，可抑制草酸与铟的盐的析出，能够长期使用，进一步本发明的目的还在于提供一种维持高蚀刻速率的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其含有(A)草酸、(B)具有2个以上的羟基的伯胺和/或多元醇以及(C)水，该蚀刻液被用于氧化铟系膜的蚀刻。
蚀刻

[发明专利]一种Mo基金属薄膜的刻蚀方法-CN202310880515.4有效
发明人：鞠小晶;方志勇;叶联;车东晨;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供了一种Mo基金属薄膜的刻蚀方法，包括以下步骤：S1）在半导体衬底上依次形成停止层与Mo基金属层；S2）在Mo基金属层上方制备掩膜层；S3）然后通过干法刻蚀工艺基于上述掩膜层对Mo基金属层进行刻蚀。与现有技术相比，本发明提供的刻蚀方法使用常规工艺参数获得高角度的Mo，对光刻胶层具有较高的选择性，因此对光刻胶厚度及形貌要求较低且容易去胶，从而降低了生产成本；另外由于Mo基金属对停止层也具有较高的选择比，因此也可获得较高的刻蚀均匀性。
一种 mo 基金薄膜刻蚀方法

[发明专利]半导体刻蚀方法-CN202010206328.4有效
发明人：杨蕾 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀方法，其包括：提供待刻蚀材料层；于所述待刻蚀材料层上依次形成第一掩膜层及覆盖所述第一掩膜层的第二掩膜层；图形化所述第二掩膜层，以形成不同尺寸的开口图形，所述开口图形使得所述第一掩膜层暴露出具有不同尺寸的区域；基于所述开口图形对被暴露出的所述区域进行离子注入，各所述区域内的离子注入浓度与所述区域的宽度成正比，且离子注入后的所述区域的材料刻蚀去除速率与所述区域内的离子注入浓度成反比；基于所述开口图形刻蚀经离子注入后的所述区域至所述待刻蚀材料层内形成与所述开口图形尺寸一致的沟槽，各所述沟槽的深度近似或相同。
半导体刻蚀方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202310209034.0在审
发明人：依田悠;天野洋一;伊藤毅;若林孝德;安友淳志;松井久;宫内国男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供将附着于基片的物质高效地除去的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法进行基片的后处理，上述基片具有金属膜，并利用含氯的蚀刻等离子体对上述金属膜实施了蚀刻处理，上述基片处理方法包括：步骤a，将上述基片送入用于进行上述后处理的后处理腔室，并载置于配置在上述后处理腔室的内部的载置台；步骤b，对上述后处理腔室供给水蒸气，对上述基片实施利用上述水蒸气的处理；和步骤c，对上述后处理腔室从设置于上述后处理腔室的外部的后处理等离子体源供给后处理等离子体，对上述基片实施利用上述后处理等离子体的处理。
处理方法装置

[发明专利]一种使用正型光刻胶的金属剥离方法-CN202311065455.7在审
发明人：徐浩;边旭明;董鹏;廖梦雅;杨云畅 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。本发明能够降低制备成本，提高芯片质量，适用于大规模化的产品生产。
一种使用光刻金属剥离方法

[发明专利]使用含硫掩模选择性自对准图案化锗硅、锗和III/V族材料-CN201710197507.4有效
发明人：丹尼尔·彼得;萨曼莎·塔恩;雷扎·阿尔加瓦尼;杨潘 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及使用含硫掩模选择性自对准图案化锗硅、锗和III/V族材料。一种使用基于硫的掩模图案化包含多个层的衬底的方法包括：提供包含第一层和布置在所述第一层上的第二层的衬底。所述第一层包含选自由锗、硅锗和III/V族材料组成的群组中的材料。该方法包括：通过将所述衬底暴露于第一湿化学物质，在所述第一层和所述第二层的侧壁上沉积包含硫物质的掩模层。该方法包括通过将所述衬底暴露于第二湿化学物质，去除所述第二层的所述侧壁上的所述掩模层，而不完全去除所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层。该方法包括通过将所述衬底暴露于第三湿化学物质，相对于所述第一层和所述第一层的所述侧壁上的所述掩模层选择性地蚀刻所述第二层。
使用含硫掩模选择性对准图案化锗硅 iii 材料

[发明专利]金属的刻蚀方法以及半导体器件-CN202310520593.3有效
发明人：高攀;牛景达 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属的刻蚀方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括依次层叠的衬底、第一隔离层、金属层以及第二隔离层；然后，去除部分第二隔离层、部分金属层以及部分第一隔离层，使得部分第一隔离层裸露，形成凹槽以及位于凹槽的侧壁上的聚合物层，去除部分金属层采用的刻蚀气体至少包括以下之一：乙烯、甲烷。该方法通过在刻蚀气体中加入乙烯或者甲烷，乙烯或者甲烷在高温高压下可与光阻发生聚合反应，生成聚合物，附着在凹槽的侧壁上聚合物可以避免凹槽的侧壁在刻蚀过程中被侵蚀导致侧壁粗糙而影响半导体器件的性能，进而解决了现有技术中金属刻蚀后的凹槽的侧壁粗糙而导致半导体性能较差的问题。
金属刻蚀方法以及半导体器件

[发明专利]用于侧向硬模凹槽减小的混合碳硬模-CN202310649955.9在审
发明人：托马斯·琼万·权;程睿;阿布海杰特•巴苏•马利克;平尔萱;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。
用于侧向凹槽减小混合碳硬模

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180084886.0在审
发明人：朴镇雨;赵炯信 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板处理方法。所述方法包括：基板装载步骤，将基板装载到腔室的处理空间中；膜去除步骤，去除基板上设置的膜；保护膜形成步骤，在基板上形成含氧保护膜；以及基板卸载步骤，从处理空间卸载基板。
处理方法装置

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