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[发明专利]一种润滑均匀复合织构刀具-CN201910976281.7有效
发明人：杨泽檀;符永宏;张洋;何梦虎 -专利权人：江苏大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： B23B27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种润滑均匀复合织构刀具，所述刀具的前刀面设有环形织构沟槽形貌和导油沟槽形貌，所述环形织构沟槽形貌包括若干同心的圆环沟槽织构形貌，相邻所述的圆环沟槽织构形貌之间通过直线沟槽形貌连通，所述导油沟槽形貌用于给环形织构沟槽形貌供油所述环形织构沟槽形貌包括外环沟槽织构形貌、中环沟槽织构形貌和内环沟槽织构形貌，所述外环沟槽织构形貌与导油沟槽形貌连通，所述外环沟槽织构形貌与中环沟槽织构形貌之间、中环沟槽织构形貌与内环沟槽织构形貌之间分别通过直线沟槽形貌连通
一种润滑均匀复合刀具

[发明专利]基于人工智能原子力显微镜的形貌图像获取方法和装置-CN202111335334.0在审
发明人：谭州瑜;黄博远;李江宇;谢淑红 -专利权人：深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹）
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06V20/69 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于人工智能原子力显微镜的形貌图像获取方法和装置，所述方法包括：获取当前扫描区域的当前形貌图像；将当前形貌图像输入至预先训练的形貌图像分类模型中，获得形貌图像分类模型输出的分类结果；根据分类结果确定目标形貌图像。本发明实施例提供的形貌图像获取方法通过预先训练的形貌图像分类模型对形貌图像分类判断当前形貌图像的有效性，根据当前形貌图像的有效性确定目标形貌图像的置信程度，避免了主观操作对形貌图像错误判断的影响，提高了获得真实形貌图像的精准度
基于人工智能原子显微镜形貌图像获取方法装置

[发明专利]一种形貌信息检测系统、方法及装置-CN201910917282.4在审
发明人：李玲;李嘉琳;吴昊;刘瑞;田亮;李永平;赛朝阳;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G01Q60/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种形貌信息检测系统、方法及装置，该形貌信息检测系统，包括：受测样品载体，用于放置受测样品；形貌信息检测装置，包括微型力敏感元件，用于检测所述受测样品的形貌信息；除静电装置，用于消除所述微型力敏感元件与所述受测样品之间的静电；控制器，分别与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，用于控制所述除静电装置和所述形貌信息检测装置分别进行除静电和形貌信息检测操作。通过设置除静电装置，对形貌检测装置与受测样品之间的静电进行消除，避免了形貌信息检测装置与受测样品之间的静电对形貌检测结果的影响，提高了形貌检测结果的准确性以及形貌检测效率。
形貌信息除静电装置检测装置形貌检测静电力敏感元件检测系统形貌检测装置检测操作样品载体控制器除静电检测

[发明专利]周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质-CN202210165655.9有效
发明人：吴启哲;李泽迪;赵杭 -专利权人：板石智能科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质，其方法包括：确定周期纳米结构的当前形貌参数；基于所述当前形貌参数，获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号；根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数；当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时，基于鲁棒非线性修正方法，根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数；根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数。本发明通过基于鲁棒非线性修正方法确定备选形貌参数，可有效抑制当前测量信号中的显著偏离正态统计分布中的数据点，进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
周期纳米结构形貌参数测量方法装置设备介质

[实用新型]一种形貌信息检测系统-CN201921623978.8有效
发明人：李玲;李嘉琳;吴昊;刘瑞;田亮;李永平;赛朝阳;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01Q60/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种形貌信息检测系统，该形貌信息检测系统，包括：受测样品载体，用于放置受测样品；形貌信息检测装置，包括微型力敏感元件，用于检测所述受测样品的形貌信息；除静电装置，用于消除所述微型力敏感元件与所述受测样品之间的静电；控制器，分别与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，与所述形貌信息检测装置、所述除静电装置连接，用于控制所述除静电装置和所述形貌信息检测装置分别进行除静电和形貌信息检测操作。通过设置除静电装置，对形貌检测装置与受测样品之间的静电进行消除，避免了形貌信息检测装置与受测样品之间的静电对形貌检测结果的影响，提高了形貌检测结果的准确性以及形貌检测效率。
一种形貌信息检测系统

[发明专利]一种抛光方法和化学机械抛光设备-CN202211263753.2有效
发明人：赵德文;倪孟骐;刘远航 -专利权人：华海清科股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种抛光方法和化学机械抛光设备，其中抛光方法包括：晶圆完成磨削后，测量晶圆CMP之前的厚度的前值形貌，根据损伤层厚度确定去除损伤层之后的厚度的上限形貌，其中，所述上限形貌为前值形貌减去损伤层厚度；如果预存的参考厚度落在前值形貌和上限形貌之间，则基于使平整度和抛光效率最优的约束条件重新计算厚度的目标形貌，其中，所述目标形貌限定在上限形貌和下限厚度之间，所述下限厚度为制程要求的晶圆最薄厚度；如果所述参考厚度落在上限形貌和下限厚度之间，则直接将参考厚度作为目标形貌；按照所述目标形貌调整抛光压力执行抛光。
一种抛光方法化学机械抛光设备

[发明专利]线条三维形貌测量方法及线宽测量方法-CN201510584024.0在审
发明人：高思田;李伟;王鹤群;施玉书;李琪;李适 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2015-09-14 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： G01B7/28 文献下载
摘要：公开了一种基于前凸针尖原子力显微镜针尖对顶的线条三维形貌测量方法和线宽测量方法，所述线条包括顶部以及相对的第一侧壁和第二侧壁，所述三维形貌测量方法包括：采用第一探针扫描所述线条，以得到第一形貌曲线，所述第一形貌曲线至少包括第一侧壁的形貌；采用第二探针扫描所述线条，以得到第二形貌曲线，所述第二形貌曲线至少包括第二侧壁的形貌；将所述第一形貌曲线和第二形貌曲线合成第三形貌曲线，其中，所述采用第一探针扫描的路径和采用第二探针扫描的路径重叠；在所述线条的不同位置重复上述步骤以获得线条的三维形貌
线条三维形貌测量方法

[发明专利]焊缝形貌监控方法、系统、装置及可读存储介质-CN201911265670.5有效
发明人：夏卫生;张进叶;方向瑶;杨帅;肖阳;黄增涛 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供焊缝形貌监控方法、系统、装置及可读存储介质，该方法包括：根据目标工艺参数对目标焊接部位进行焊接，获取焊接过程中采集到的焊缝图像，以及与焊缝图像中的每个像素对应的温度信息，以得到重建焊缝形貌，基于目标工艺参数查找预设的焊缝形貌数据库，确定出与目标工艺参数对应的目标焊缝形貌。通过比对重建焊缝形貌以及目标焊缝形貌，对目标焊接部位的焊缝形貌进行监控。上述方案能够实时监控焊缝形貌，且由于本方案中的重建焊缝形貌能够直观的以图像的形式反映出目标焊接部位的焊缝形貌，实现了焊缝形貌的可视化，便于观察。
焊缝形貌监控方法系统装置可读存储介质

[发明专利]检测晶片表面形貌的方法-CN201010509829.6有效
发明人：王辉;安辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种检测晶片表面形貌的方法，包括：选取包括具有相同的全部相对表面形貌的多个管芯的晶片；选取第一管芯，使检测点阵列的中心位置对准第一管芯的中心位置，通过检测第一管芯的第一绝对表面形貌确定其第一相对表面形貌；选取第二管芯，使检测点阵列的中心位置偏离第二管芯的中心位置，通过检测第二管芯的第二绝对表面形貌确定其第二相对表面形貌；合并第一相对表面形貌和第二相对表面形貌确定管芯的全部相对表面形貌；检测晶片上的其它管芯的部分绝对表面形貌，通过部分绝对表面形貌和全部相对表面形貌，得到所有的管芯的全部绝对表面形貌。
检测晶片表面形貌方法

[发明专利]建立理论光谱库的方法及装置、形貌参数测量方法及装置-CN202211047949.8在审
发明人：张晓雷;张厚道;梁洪涛;施耀明 -专利权人：上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种建立理论光谱库的方法及装置、形貌参数测量方法及装置，该建立理论光谱库的方法能够提高创建理论光谱库的速度，包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，并获取每个分块的初始形貌参数；多次浮动每个分块的至少一个初始形貌参数，得到每个分块的多组参考形貌参数；根据每个分块的初始形貌参数，确定每个分块的初始子构型，根据每个分块的多组参考形貌参数，确定每个分块的多个参考子构型，划分为多个片层，得到每个分块的子构型的片层划分结果；得到形貌模型的所有的子构型；得到形貌模型的所有子构型分别对应的片层划分结果；分别计算形貌模型的每个子构型对应的理论光谱，得到形貌模型对应的理论光谱库。
建立理论光谱方法装置形貌参数测量方法

[发明专利]一种掩模形貌图处理方法、装置以及计算机设备-CN202210085792.1在审
发明人：兰涛明 -专利权人：东方晶源微电子科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模形貌图处理方法，包含以下步骤：获取待处理掩模设计版图以及所述待处理掩模设计版图对应的掩模形貌图；将所述掩模形貌图输入预设的已训练形貌图映射模型得到所述掩模形貌图对应的光刻胶形貌图本发明提供的一种掩模形貌图处理方法、装置和计算机设备解决了对于掩模形貌图进行处理时间成本高的技术问题。
一种形貌处理方法装置以及计算机设备

[发明专利]用于植入物表面的表面处理-CN201680046260.X有效
发明人： D·曼达尼奇;Z·B·萨丁;K-M·林;O·桑切斯 -专利权人：拜奥美特3I有限责任公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：该方法包括使植入物的表面的至少一部分变形以产生第一微米级形貌。该方法还包括移除该表面的至少一部分以产生被叠置在第一形貌上的第二微米级形貌。该第二微米级形貌与第一微米级形貌相比通常不那么粗糙。该方法还包括添加被叠置在第一微米级形貌和第二微米级形貌上的亚微米级形貌，该亚微米级形貌包括管状结构。
用于植入表面处理

[发明专利]芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质-CN202310423025.1在审
发明人：季瑞安;陈岚;陈容 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片形貌预测方法、装置、设备及存储介质，首先利用预先配置的形貌预测模型，对待预测芯片的版图参数进行处理，得到所述待预测芯片的形貌参数，而后根据所述待预测芯片的形貌参数，确定所述待预测芯片的形貌信息由于在相同的CMP工艺参数下，所述测试版图的化学机械抛光效果和所述待预测芯片的化学机械抛光效果一致，因此，利用所述测试版图的版图参数和所述测试版图的形貌参数，可以配置出能够表征所述待预测芯片的版图参数和对应的形貌参数之间映射关系的形貌预测模型，利用所述形貌预测模型可以确定出所述待预测芯片的化学机械抛光处理之后的形貌参数，从而实现预测化学机械抛光处理之后的芯片形貌的任务。
芯片形貌预测方法装置设备存储介质

[发明专利]形貌检测装置与形貌检测方法-CN201710682522.8有效
发明人：杜艳伟;周钰颖;张鹏黎;王帆 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种形貌检测装置与形貌检测方法，形貌检测装置包括发源发生器、数字微镜器件、探测器及工控机，所述光源发生器包括三维测量光源发生器和光谱测量光源发生器，所述光源发生器形成的光束通过分光镜形成探测光和参考光本发明提供的形貌检测装置与形貌检测方法中，形貌检测装置形成探测光和参考光可实现切换测量状态，探测器检测物面光与基准光，探测器通过两种不同的光源发生器可得到待测面的反射波前相位分布和反射率光谱分布，能对复杂薄膜材料反射光谱
形貌检测装置方法

[发明专利]形貌检测系统及形貌检测方法-CN202110919399.3有效
发明人：王建立;杨永强;糜小涛;王之一;明名;马振予;张玉良;陈宝刚;陈琦 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供形貌检测系统及形貌检测方法，其中，装置部分包括：色散共焦测量装置、参考光装置；方法部分包括以下步骤：S1、通过光谱分析组件得到干涉光的能量信息，并根据能量信息得到干涉光能量分布曲线；S2、利用包络提取算法计算得到包络数据、对包络数据进行拟合，获得包络曲线，包络曲线的最大值对应的波长的焦距即为色散透镜与色散光在待测光学元件的表面的会聚点之间的距离；S4、水平移动待测光学元件，重复步骤S1‑S3，得到待测光学元件的表面的形貌
形貌检测系统方法

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