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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]封装方法及相关的封装结构-CN202110812952.3在审
发明人：陈志明;谢元智;喻中一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供封装方法及相关的封装结构。所述方法包括提供第一半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成接合区，其中所述第一半导体衬底的所述接合区包括第一接合金属层与第二接合金属层；提供具有接合区的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底的所述接合区包括第三接合金属层；以及通过使所述第一半导体衬底的所述接合区接触所述第二半导体衬底的所述接合区，将所述第一半导体衬底接合到所述第二半导体衬底；其中所述第一与第三接合金属层包括铜(Cu)，且所述第二接合金属层包括锡(Sn)。
封装方法相关结构

[发明专利]微结构及其图案化的方法与微机电系统器件-CN202110044447.9在审
发明人： 谢元智;王怡人;林宏桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：能够通过在衬底上方形成例如钼层的金属层而提供一种微结构。在金属层的顶部表面上形成氮化铝层。通过氧化将氮化铝层的表面部分转化成连续含氧化铝层。能够在连续含氧化铝层上方形成介电间隔物层。能够使用刻蚀工艺来形成延伸穿过介电间隔物层、连续含氧化铝层以及氮化铝层以及向下延伸到至少一个金属层的相应部分的接触通孔腔，所述刻蚀工艺含有湿式刻蚀步骤同时抑制在氮化铝层中形成底切。能够在接触通孔腔中形成接触通孔结构。微结构能够包含含有压电换能器的微机电系统(MEMS)器件。
微结构及其图案方法微机系统器件

[发明专利]用于弯曲晶圆的传送模块-CN201910553474.1有效
发明人：吴铭栋;谢元智;赵兰璘;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：一种晶圆研磨系统，包括在一个端部具有吸持板的机械臂和在机械臂的范围内的工作台。工作台的上表面具有用于吸持和保持晶圆的真空表面。连接到机械臂的推动器在吸持板的外围延伸。推动器使晶圆在工作台的上表面上变平，从而允许工作台通过吸持力来保持晶圆，否则所述晶圆太弯曲以致于不能以这种方式来保持。此外，工作台可以具有相对于晶圆较小的真空区域，真空区域是增加可以容许的晶圆弯曲的幅度的另一种方式。研磨系统可以使用减小的真空区域概念以允许定位工作台保持弯曲的晶圆并且可以使用推动器概念允许卡盘工作台保持弯曲的晶圆。本发明还提供了用于弯曲晶圆的传送模块。
用于弯曲传送模块

[发明专利]图案化氧化硅-氮化硅-氧化硅堆叠的方法及其形成结构-CN202010223397.6在审
发明人：王怡人;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：在位于衬底上的导电材料部分之上形成层堆叠。层堆叠包含第一氧化硅层、通过化学气相沉积形成的氮化硅层以及第二氧化硅层。在层堆叠之上形成包括开口的图案化刻蚀掩模层。通过使用各向同性刻蚀工艺各向同性刻蚀下伏在图案化刻蚀掩模层中的开口之下的层堆叠的部分，形成延伸穿过层堆叠并向下延伸到导电材料部分的通孔空腔。可使用缓冲氧化物刻蚀工艺，在缓冲氧化物刻蚀工艺中氮化硅层的刻蚀速率小于第一氧化硅层的刻蚀速率但足够显著，以在氮化硅层上提供锥形直侧壁。可提供包括图案化层堆叠的光学装置。
图案氧化氮化堆叠方法及其形成结构

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010460046.7在审
发明人： 谢元智;林宏桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。本发明实施例提供一种微机电系统MEMS结构，其包含：装置衬底，其具有第一区及不同于所述第一区的第二区；罩盖衬底，其经接合于所述装置衬底上方；第一腔，其在所述第一区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第一腔具有第一腔压力；第二腔，其在所述第二区中且介于所述装置衬底与所述罩盖衬底之间，其中所述第二腔具有低于所述第一腔压力的第二腔压力；钝化层，其在所述第一腔中；释气材料，其在所述钝化层上方，其中所述释气材料包括顶表面及经暴露到所述第一腔的侧壁。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成芯片及其制造方法-CN201911353697.X在审
发明人：王怡人;潘兴强;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：一种集成芯片，包括位于器件衬底之上的顶盖结构。器件衬底包括第一微机电系统(MEMS)器件及相对于第一微机电系统器件在横向上偏置开的第二微机电系统器件。顶盖结构包括上覆在第一微机电系统器件上的第一空腔及上覆在第二微机电系统器件上的第二空腔。第一空腔具有第一气体压力且第二空腔具有与第一空腔不同的第二气体压力。释气层邻接第一空腔。释气层包含具有释气物质的释气材料。释气材料是非晶态的。
集成芯片及其制造方法

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法-CN201911175794.4在审
发明人：张贵松;郑钧文;赖飞龙;潘兴强;谢元智;王怡人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。
微机系统装置及其形成方法

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法及微机电系统结构-CN202010090792.1在审
发明人：林宏桦;洪嘉明;黄信华;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构，所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。内连结构上覆在衬底上。微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
微机系统装置及其形成方法结构

[发明专利]微机电系统及其制造方法-CN201910903595.4在审
发明人：曾李全;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明一些方面提供一种微机电系统，其包含具有第一凹穴的半导体衬底。半导体衬底形成与第一凹穴相邻的底座。装置上覆于底座且通过第一凹穴内的金属接合到半导体衬底。多个第二凹穴形成于装置下方的底座的表面中，其中第二凹穴小于第一凹穴。在一些教示中，第二凹穴是空隙。在一些教示中，第一凹穴中的金属包括共熔混合物。此结构涉及一种微机电系统的制造方法，其中将提供掩模以刻蚀第一凹穴的层分段为使得能够容易地从底座上方的区域去除掩模提供层。
微机系统及其制造方法

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法-CN201910629444.4在审
发明人：王怡人;林宏桦;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法，所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。
微机系统装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201710296032.4有效
发明人： 谢元智;林杏莲;彭荣辉;吴宜谦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种数据处理方法和计算机系统-CN201480003034.4有效
发明人：彭渊;谢元智 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：提供了一种数据处理方法和计算机系统，计算机系统可以对数据样本进行离散化处理，得到矩阵形式的数据样本(S101)，根据预设的分类方法，对所述矩阵形式的数据样本进行训练，得到分类规则集(S102)，并将所述分类规则集转换为数据决策平台识别的分类规则集(S103)后，提供给所述数据决策平台(S104)，从而所述数据决策平台能够根据所述计算机系统转换得到的所述数据决策平台识别的分类规则集进行数据决策。上述从对数据样本进行训练，到将训练得到的分类规则集应用到数据决策的过程都由计算机系统自动完成，避免了人工参与，当数据样本变化或者原有的分类规则集需要更新时，能够及时获得更新的分类规则集。
一种数据处理方法计算机系统

[发明专利]用于减少MEMS器件工艺中和使用中的粘附的方法和装置-CN201610867595.X有效
发明人：曾李全;谢元智;吴常明;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法。在第一衬底的第一侧中形成多个开口。在该衬底的第一侧上方形成介电层。介电层的多个部段填充开口。第一衬底的第一侧粘合至包括空腔的第二衬底。执行粘合使得介电层的部段设置在空腔上方。第一衬底的设置在空腔上方的一部分转化成MEMS器件的多个可移动的组件。可移动的组件与介电层物理接触。随后，在没有使用液态化学品的情况下去除介电层的一部分。本发明的实施例还提供了另一种制造微电子机械系统(MEMS)器件的方法以及一种装置。
用于减少 mems 器件工艺中和使用中的粘附方法装置

[发明专利]用于制造生物传感器的微阱的方法-CN201510495959.1有效
发明人：张哲铭;詹志仁;周仲彥;曾李全;林诗玮;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种生物感测半导体结构。晶体管包括沟道区和位于沟道区下面的栅极。第一介电层位于晶体管上面。第一开口延伸穿过第一介电层以暴露沟道区。生物感测层作为第一开口的衬垫并且覆盖沟道区的上表面。第二介电层作为第一开口的衬垫并且位于感测层上方。位于第一开口内的第二开口穿过第二介电层的位于沟道区上面的区域而延伸至生物感测层。本发明实施例也提供了一种用于制造生物感测半导体结构的方法。本发明实施例涉及用于制造生物传感器的微阱的方法。
用于制造生物传感器方法

[发明专利]微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺-CN201610008239.2有效
发明人：曾李全;周仲彦;刘世昌;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了具有腔体的微机电系统(MEMS)结构，腔体使用掩模层气密密封。覆盖衬底布置在MEMS衬底上方，覆盖衬底包括可移动元件。覆盖衬底包括布置在可移动元件上方并开口至可移动元件的腔体，并且包括与腔体流体连通的密封开口。掩模层布置在覆盖衬底上方。掩模层突出在密封开口上方并且横向包围布置在密封开口上方的掩模开口。密封层布置在掩模层和掩模开口上方。密封层配置为气密密封腔体。本发明还提供了制造MEMS结构的方法。本发明实施例涉及微机电系统(MEMS)器件的晶圆级气密密封工艺。
微机系统 mems 器件晶圆级气密密封工艺

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