专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]装配式施工平台-CN202310762561.4在审
  • 肖仲华;费飞龙;龙吟;杨晓巍;黄吉 - 湖北工建科技产业投资有限公司
  • 2023-06-27 - 2023-09-05 - E01D21/00
  • 本发明公开了装配式施工平台,包括连接在敦侧的基板,还包括上托板、下撑杆、锁定块和操作平台,所述基板的外侧固定设置有两个平行的立板,所述立板的一侧与上托板和下撑杆的一端上下转动可拆卸连接,所述上托板位于下撑杆的上方且两者啮合配合,所述立板的一侧可拆卸连接有位于基板一侧的所述锁定块,该锁定块的一侧与上托板和下撑杆同时啮合。本发明中,通过将上托板和下撑杆设置成与基板转动连接且为啮合配合的连接结构,操作平台能在桥墩上和上托板拼装,拼装后向外推动操作平台后至其水平状态且处于悬空时,下撑杆会托举操作平台,该种装配方式,提高了本装配时平台装配的安全性和便利性。
  • 装配式施工平台
  • [发明专利]一种兰姆波阵列器件及其大气环境微粒检测方法-CN202111624210.4有效
  • 杜晓松;方子龙;王洋;黄砚文;龙吟;许成成;黎威志 - 电子科技大学
  • 2021-12-28 - 2023-06-27 - G01N29/02
  • 本发明公开了一种兰姆波阵列器件及其大气环境微粒检测方法,属于传感器技术领域,兰姆波阵列器件由多个具有负温度系数的兰姆波单元器件构成,各兰姆波单元器件上设有独立的加热器。方法包括先将各兰姆波单元器件分别加热至对应待测微粒的预热温度,预热温度略低于待测微粒的熔点温度;再对待测大气环境进行采样;最后对各兰姆波单元器件进行窄幅温度扫描,并依据温度扫描谱中有无反向小峰判定各单元器件是否检测到了对应微粒。本发明的传感器阵列能够同时检测多种微粒,并且各单元器件在工作时温度的扫描范围局限于目标微粒熔点上下不超过10℃的范围之内,不仅极大地缩短了检测时间,加快了检测进程,还能够提升微粒定性识别的准确性。
  • 一种兰姆波阵列器件及其大气环境微粒检测方法
  • [发明专利]一种求解三相界面离子电导率的方法-CN202210166235.2有效
  • 杜晓松;廖睿;王洋;黄文君;龙吟;谢光忠 - 电子科技大学
  • 2022-02-23 - 2023-05-26 - G01N27/407
  • 本发明属于离子电导率的求解领域,具体为一种求解三相界面离子电导率的方法,基于第一性原理分子动力学,可应用于固体电解质气体传感器。本发明从固体电解质离子电导率定义出发,在原子级模型基础上,模拟仿真运动离子的迁移过程,使三相界面的微观结构演变真实可见。首先构建三相界面模型,然后利用AIMD仿真三相界面的微观结构演变,同时结合计算机语言Python使微观结构演变进一步进化为离子电导率数值。本发明既真实还原了固体电解质气体传感器三相界面的微观结构,同时真实模拟了气体分子在三相界面的反应过程,解决了当前求解固体电解质离子电导率建模难、无法适用于三相界面、以及求解结果分析处理难的问题。
  • 一种求解三相界面离子电导率方法
  • [发明专利]静电测量设备及静电测量方法-CN202010054522.5有效
  • 袁增艺;龙吟;王恺 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-01-17 - 2022-11-29 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量设备,包括:支撑部顶部设有多个第一电性测量件,各第一电性测量件第一端分别与半导体晶圆各晶粒测试触点电性连接;第二电性测量件卡固在半导体晶圆周侧并形成电性连接;测量单元第一端电性连接各第一电性测量件第二端,其第二端电性连接第二电性测量件,其用于测量第一电性测量件和第二电性测量件之间电流。本发明还公开了一种用于半导体晶圆表面静电测量的静电测量方法。通过本发明提供的静电测量设备/测量方法能够在半导体生产中及时发现晶圆静电,并能够通过本发明提供的静电测量设备将晶圆静电接地导出,避免晶圆静电造成后续工艺缺陷,进而提高半导体产品的良品率,提高生产效率。
  • 静电测量设备测量方法
  • [发明专利]激光退火设备的晶圆位置监控装置和方法-CN202010756265.X有效
  • 裴雷洪;龙吟;顾海龙 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-07-31 - 2022-10-21 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种激光退火设备的晶圆位置监控装置,激光退火设备包括真空吸盘和激光光源;真空吸盘用于放置晶圆;激光光源用于提供激光光束,激光光束通过以真空吸盘的中心点作为坐标原点的扫描的方式对晶圆进行激光退火;晶圆位置监控装置包括晶边扫描装置和晶圆位置判定装置;晶边扫描装置用于抓取激光退火后的晶圆边缘信息;晶圆位置判定装置根据晶圆边缘信息判定晶圆位置是否偏离;如果晶圆位置有偏离,则根据偏离大小校正晶圆的放置位置。本发明公开了一种激光退火设备的晶圆位置监控方法。本发明能对晶圆的位置进行精确测量和调整,能防止破片发生;能提高调整晶圆传送位置的速率以及消除人工误差。
  • 激光退火设备位置监控装置方法
  • [发明专利]晶背缺陷的检测方法-CN201910809001.3有效
  • 袁增艺;龙吟;王恺 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2019-08-29 - 2022-10-21 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种晶背缺陷的检测方法,包括:步骤一、提供信号数据库,信号数据库中包括各种不同缺陷对应的信号数据,缺陷包括各种不同高度或宽度的凸缺陷和各种不同深度或宽度的凹缺陷;信号数据为将斜入射光源照射到缺陷后所收集到的发射和散射光信号转换形成的数据,信号数据反应了对应的缺陷的3D信息;步骤二、采用斜入射光对被测晶圆进行背面扫描并收集对应的发射和散射光数据;步骤三、收集的发射和散射光数据和步骤一的信号数据库中的信号数据进行比较并拟合出被测晶圆背面的缺陷3D分布图。本发明能测试晶背缺陷的高度或深度并形成晶背缺陷的3D分布图,有利于分析晶背缺陷的来源并及时处理,减少故障排除时间和提高产品良率。
  • 缺陷检测方法
  • [发明专利]数据读取方法、装置、前端设备及存储介质-CN202210760296.1在审
  • 周善勇;龙吟;肖丰;杜鹏 - 宁波三星智能电气有限公司
  • 2022-06-29 - 2022-09-27 - H04Q9/00
  • 本发明的实施例提供了一种数据读取方法、装置、前端设备及存储介质,涉及数据处理领域。方法包括:首先,根据后台人员在所述数据读取页面的数据读取操作,生成数据读取请求。然后,将所述数据读取请求通过WebSocket客户端发送至所述后端服务器,以使所述后端服务器获取所述电表设备的数据,并将所述数据返回至所述WebSocket客户端。最后,所述WebSocket客户端将所述数据发送至所述数据读取页面进行显示。由于在前端安装了WebSocket客户端,前端设备生成的数据读取请求可以通过WebSocket客户端发送至后端服务器,从而在减少系统压力的前提下提高了数据读取的实时性。
  • 数据读取方法装置前端设备存储介质
  • [发明专利]提高晶圆边缘产品良率的方法-CN202210170196.3在审
  • 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-07-01 - H01L21/02
  • 本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法,提供衬底,衬底上形成有浅沟槽,之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层;在第一氧化层上形成第二氧化层;研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层,使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度;刻蚀剩余的第一氧化层,使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度;在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层;在栅极层上形成第三氧化层,研磨第三氧化层至栅极层上方;回刻第三氧化层,利研磨栅极层,使得栅极层的顶端平坦化。本发明对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善;保留部分氧化物在晶圆上,晶圆薄膜应力降低。
  • 提高边缘产品方法

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