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[发明专利]抽拉装置及其使用方法、涂胶显影设备-CN202310942556.1在审
发明人：赵旭;郭亚内;张朋;张建 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种抽拉装置及其使用方法、涂胶显影设备。所述抽拉装置包括装置本体和抽拉组件；所述抽拉组件包括上导轨组件和下导轨组件，所述上导轨组件和所述下导轨组件均为多段式导轨，所述上导轨组件设置于所述装置本体的上端面，所述下导轨组件设置于所述装置本体的下端面，所述装置本体沿所述上导轨组件和所述下导轨组件的导轨方向运动，以从所述涂胶显影设备中拉出或推回于所述涂胶显影设备。本发明增大了所述上导轨组件和所述下导轨组件的行程，便于维修人员从拉出的所述装置本体与所述涂胶显影设备之间的活动维修口进入所述涂胶显影设备中进行维修，解决了现有技术中维护不方便、操作复杂、耗费时间较长等诸多不足。
装置及其使用方法涂胶显影设备

[发明专利]台面芯片引线的光刻方法-CN202310825013.1在审
发明人：黄国强;张俊 -专利权人：江苏东晨电子科技有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种台面芯片引线的光刻方法，涂胶步骤中采用调制光刻胶进行低转速旋涂全覆盖至预设厚度，进行热固型处理；所述的调制光刻胶采用光刻胶混合增粘剂以及二甲苯溶液调制成而成。本发明的方法通过高粘度的光刻胶实现光刻胶层的全覆盖，通过调整低转速涂胶工艺以及热固型处理，将光刻胶胶厚达到一定程度，有效提高了光刻胶的抗腐蚀性。
台面芯片引线光刻方法

[发明专利]一种光刻胶空气隔绝系统-CN202110894431.7有效
发明人：刘长伟;耿克涛;陈胜华 -专利权人：宁波润华全芯微电子设备有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶空气隔绝系统，包括：供气装置；多个调压装置，所述多个调压装置包括：排胶调压装置和保压装置；每个所述调压装置包括：减压阀和节流阀，所述供气装置依次连通所述减压阀和所述节流阀，且所述多个调压装置的所述减压阀的工作使用压力不同；阀岛，设有多个第一进气口，所述第一进气口连通所述调压装置；光刻胶储存装置，设有第二进气口和出胶口，所述第二进气口连通所述阀岛。本发明有效解决更换胶瓶或重装胶液时，胶液接触空气的问题。
一种光刻空气隔绝系统

[发明专利]一种简化制备霍尔棒的光刻方法-CN202310971211.9在审
发明人：伍亮;黄鑫;杨盛安;张欣瑜;张怡;韩慧萍;张通;陈瑞;李俊宏;武乙林 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种简化制备霍尔棒的光刻方法，具体步骤包括：制备薄膜、旋涂、前烘、曝光、中烘、显影、一次水洗、后烘、制备薄膜、二次水洗。本发明在传统步骤中旋涂光刻胶之前生长一层易溶于水的铝酸锶薄膜层，然后使用蒸馏水将铝酸锶薄膜层洗掉制得霍尔棒，省去了传统光刻中的去胶，降低了制造成本以及减少了多重曝光和多重刻蚀繁琐步骤，使操作更加简便快捷，同时本方法在传统光刻步骤基础上省去了刻蚀一步，减少了化学药品的腐蚀，安全环保同时也能大大降低成本。
一种简化制备霍尔光刻方法

[发明专利]改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法-CN202210344802.9在审
发明人：刘畅;仰庶;张晓燕;王晖;王坚 -专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提出改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法，属于半导体制备工艺技术领域。包括：保持晶圆旋转，滴胶在已经涂覆有至少一层光刻胶的晶圆中心；对晶圆进行多段式光刻胶边缘修复药液清洗处理，以改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘产生气泡的缺陷；其中，多段式光刻胶边缘修复药液清洗处理包括多区域光刻胶边缘修复药液清洗处理和/或多时段光刻胶边缘修复药液清洗处理；停止光刻胶边缘修复药液清洗晶圆，提高晶圆旋转转速以将晶圆上多余液体去除。本发明的改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷的方法无需对硬件进行改造，通过调整EBR药液对晶圆进行清洗的相关参数，可有效解决晶圆在进行多层涂胶过程中产生气泡问题，简单方便，可操作性高。
改善光刻胶涂覆过程中晶圆边缘气泡缺陷方法

[发明专利]一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法-CN202210367054.6在审
发明人：孙洪君;邢栗;张德强;王俊阳 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种减薄高粘度光阻边缘膜厚的方法，属于集成电路制造行业光刻工艺技术领域。该方法是在将待涂胶晶圆进行光阻喷涂后，经甩胶使光阻平铺满至整个晶圆表面，形成具有一定厚度的稳定薄膜；然后先后两次或多次不同距离移动EBR喷嘴，进行边缘减薄，去边溶剂流量10‑20ml/min，晶圆转速300‑800rpm；晶圆在涂胶单元完成涂覆和减薄后，经机器人取出，经过烘烤，送入曝光，然后显影，最后将晶圆传送回片盒。该方法在保证原有标准要求的前提下，优化了薄膜均匀性，减少晶圆及设备污染，提高了工艺质量，并降低了后续光刻工艺中“无效带”的数量。
一种减薄高粘度边缘方法

[发明专利]晶圆扇出型封装方法和结构-CN202311190251.6在审
发明人：康志龙;姚大平 -专利权人：江苏中科智芯集成科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供的一种晶圆扇出型封装方法和结构，涉及半导体封装技术领域。该晶圆扇出型封装方法包括：提供具有第一涂层的晶圆；其中，第一涂层包括覆盖部和超出晶圆边缘预设距离的去胶部。在去胶部上形成微纳结构；采用旋涂工艺在第一涂层上形成光刻胶；光刻胶在微纳结构上的张力小于在覆盖部上的张力，以使微纳结构上的光刻胶在离心力作用下脱离第一涂层。该方法能在旋涂过程中自动去除边缘的光刻胶，省去了后续的边缘胶清洗工艺，工艺步骤简单，边缘胶去除效果好，封装效率高。
晶圆扇出型封装方法结构

[发明专利]涂胶显影设备及系统-CN201910542776.9有效
发明人：洪旭东 -专利权人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种涂胶显影设备，所述涂胶显影设备包括片盒单元、增粘工艺单元、涂胶显影工艺单元、接口单元和热处理工艺单元。所述涂胶显影工艺单元内设置有第一显影工艺机械手、第二显影工艺机械手以及涂胶工艺机械手，且所述第一显影工艺机械手、所述第二显影工艺机械手以及所述涂胶工艺机械手在所述涂胶显影单元内上下排列设置，一方面，合理利用了纵向空间，使得结构紧凑，减小了占地面积，另一方面有利于合理利用光刻机的产能，提高了工作效率。本发明还提供了一种涂胶显影系统。
涂胶显影设备系统

[发明专利]液处理装置、液处理方法以及存储介质-CN202310360317.5在审
发明人：成东周;平尾刚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质，适当地对向基板供给的处理液进行除电来抑制涂布有处理液的基板的膜厚产生偏差。抗蚀剂涂布装置(1)具备：涂布液喷嘴(41)；以及待机槽(50)，其设置于基板(W)的上方的空间的外侧的区域即待机区域(90)，在不进行液处理的非处理时，待机槽(50)收容涂布液喷嘴(41)。待机槽(50)具有：绝缘构件(51)，其配置为包围涂布液喷嘴(41)；以及导电构件(52)，其配置于比涂布液喷嘴(41)的前端靠下方的位置，并且导电构件(52)接地。而且，如图3所示那样以贯通绝缘构件(51)和导电构件(52)的方式形成有用于使抗蚀剂通过的贯通孔(TH)。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法-CN201810315441.9有效
发明人：赵晗 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种涂布机及涂布方法和掩膜板的形成方法，其中，涂布机包括：喷头壳体，连接所述喷头壳体的第一阀门和第二阀门，所述喷头壳体、第一阀门和第二阀门围成气压腔，所述第一阀门和第二阀门之间具有涂覆缝，所述涂覆缝与所述气压腔相互贯通；位于所述喷头壳体气压腔中的喷嘴，喷嘴中具有喷孔，所述喷孔贯穿所述喷嘴，且所述喷孔与所述气压腔相互贯通。所述涂布机能够对特定区域进行涂布。
涂布机方法掩膜板形成

[发明专利]一种胶边转移结构及制备方法-CN202310719395.X在审
发明人：谭启广;陈书真;刘佳星;杨茂生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种胶边转移结构及制备方法，用于消除旋涂光刻胶过程中碲镉汞基材边缘产生的光刻胶边对光刻的影响，所述胶边转移结构包括设置在碲镉汞基材边缘的基础结构，所述基础结构包括基于碲镉汞基材边缘设置的胶边引流区和胶边存储区，其中所述胶边引流区用以在旋涂光刻胶过程中将光刻胶引入所述胶边存储区。本申请实施例提出了一种适用于方形碲锌镉基碲镉汞外延片，能够消除光刻胶边对曝光的影响的结构及方法，该工艺方法对基材的污染及损伤小，对不同光刻胶膜层通用性强，提高了碲镉汞探测器的成品率，且后续多步光刻套刻中不需要重复去胶边工艺，提高了工艺效率。
一种转移结构制备方法

[发明专利]显影方法-CN202310894285.7在审
发明人：刘希仕;姚振海;王绪根;朱联合;彭嘉力;李少鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种显影方法，包括：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；基于第一显影操作前、后覆盖在测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；当强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值时，和/或，当弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复上述步骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。
显影方法

[实用新型]一种光刻胶烘烤单元的盖盘机构-CN202321242657.X有效
发明人：安礼余;肖山竹 -专利权人：宇弘研科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻胶烘烤单元的盖盘机构，包括底座，所述底座的表面固定连接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴固定连接有第一直齿轮，所述底座的表面固定连接有两个侧板，两个所述侧板相对面的一侧转动连接有转动轴，所述转动轴、的表面固定连接有轴座。本实用新型通过启动伺服电机，第一张紧轮通过皮带带动第二张紧轮和齿轮轴旋转，齿轮轴带动第三直齿轮旋转，第三直齿轮通过齿槽带动滑杆沿着滑轨内壁滑动，滑杆通过连接板带动放置台向外侧进行移动，从而便于将烘干完成的光刻胶快速取出，并且当关闭盖盘时，还能够自动将放置台向内侧移动，便于将新的光刻胶从外侧放入，提高装置的安全性能。
一种光刻烘烤单元机构

[发明专利]一种Com Metal当机造成后制程膜剥的改善方法-CN202310681662.9在审
发明人：郑晓辉;谢杰;邓元魁;朱华庚 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种ComMetal当机造成后制程膜剥的改善方法，涉及显示生产技术领域，所述方法包括：ComMetal拔膜，用于将当机导致的异常CM膜层拔除；Organic清洗，用于将有机光阻表面清洗干净；烘烤Organic层，使其吸收的水份充分蒸发；Organic层烘烤后清洗，将表面异物清洗干净；形成ComMetal膜层；图案化形成ComMetal光阻；通过显影进行Com Metal线路蚀刻；去除ComMetal光阻，完成重工流程。本发明提供的一种ComMetal当机造成后制程膜剥的改善方法通过将CM当机片在重工流程中加入OC烘烤制程，改善后制程膜剥异常。
一种 com metal 当机造成后制程膜剥改善方法

[发明专利]一种厚光刻胶的涂布方法-CN202310582097.0在审
发明人：彭廉钦;汪璐;桂林;史发睿;许生健;唐仕伟;李云峰 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开一种厚光刻胶的涂布方法，包括以下步骤：1)对待涂胶的晶圆进行预处理；2)采用分步滴胶的方法在预处理后的晶圆表面滴涂光刻胶；3)滴胶完成后，控制所述晶圆转动，令光刻胶成膜；4)对所述晶圆进行清洗、去边和干燥处理，得到涂覆有光刻胶的晶圆。本发明解决了现有低黏度厚光刻胶涂布方式造成的光刻胶厚度不稳定和光刻胶易堆积在晶圆边缘的问题，改善了光刻胶膜厚稳定性和均匀性。
一种光刻方法

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