专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种托手架-CN202222433292.0有效
  • 何裕超;李猛;陈宏璘 - 宿迁市第一人民医院(江苏省人民医院宿迁分院)
  • 2022-09-14 - 2023-02-28 - A61B90/60
  • 本实用新型涉及医疗辅助器械技术领域,且公开了一种托手架,包括固定于底座上的支撑杆件,所述支撑杆件包括下杆体以及上杆体,上杆体底部活动伸至下杆体内,上杆体底部安装有托板,上杆体上设有通槽,通槽内左侧壁上安装有齿条,右侧壁上设有限位槽,下杆体与通槽上活动穿有调节旋钮,通槽位置的调节旋钮上安装有与齿条啮合的齿环,齿环伸至限位槽内滑动支撑。通过设置可调高度的上杆体与下杆体搭配对托板进行支撑,托板为术者的手臂提供承托,使得手术时术者的双臂可以得到稳定的支撑,不再持续悬空,从而有效缓解悬空导致的肢体易疲劳情况,有利于手术的稳定进行。
  • 一种托手架
  • [实用新型]一种鞍底硬脑膜穿刺装置-CN202222000561.4有效
  • 李猛;何裕超;陈宏璘;徐进 - 宿迁市第一人民医院(江苏省人民医院宿迁分院)
  • 2022-07-29 - 2022-12-30 - A61B17/34
  • 本实用新型公开了一种鞍底硬脑膜穿刺装置,涉及穿刺针技术领域,包括穿刺针套,所述穿刺针套的内表面固定有外固定圈,所述外固定圈的底部固定有弹簧,所述弹簧相对外固定圈的另一端固定有内固定圈,所述内固定圈的内表面固定有针管,所述针管的上端固定有连接管,所述连接管的上端固定有穿刺针管,本实用新型切开鞍底硬膜前使用穿刺针尝试穿刺硬膜,判断切开位置是否安全,穿刺针穿过鞍底硬膜从观察槽观察是否出血判断切开硬膜位置是否正确,从而避免切割到动脉造成大量出血,通过穿刺针套避免插入和抽出鼻腔时穿刺针管对鼻腔造成损伤,使穿刺装置的使用安全。
  • 一种鞍底硬脑膜穿刺装置
  • [实用新型]一种可以负压吸引的双极电凝装置-CN202221613809.8有效
  • 李猛;陈宏璘;徐进 - 宿迁市第一人民医院(江苏省人民医院宿迁分院)
  • 2022-06-23 - 2022-11-15 - A61B18/14
  • 本实用新型涉及医疗器材技术领域,且公开了一种可以负压吸引的双极电凝装置,包括支腿,所述支腿的一端通过导线连接有双极电凝电源线,所述支腿的另一端固定安装有收纳管,相邻两个所述收纳管的同一端分别固定安装有第一电极与第二电极,本实用新型通过将连接软管尾端的固定环块通过相邻两个限位块之间的缝隙插入收纳管的内部,在固定环块通过相邻两个限位块,将连接软管的尾端转动九十度,再将连接软管向限位块一侧拉动,这样固定环块一侧的凸块将会与限位块一侧的连接槽相互连接,这样连接软管与收纳管之间相互连接,并且拆开时进行相反操作即可,实现双极电凝与负压吸引透明软管连接处,可灵活插拔,并达到清理堵塞效果。
  • 一种可以吸引双极电凝装置
  • [发明专利]提高晶圆边缘产品良率的方法-CN202210170196.3在审
  • 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-02-24 - 2022-07-01 - H01L21/02
  • 本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法,提供衬底,衬底上形成有浅沟槽,之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层;在第一氧化层上形成第二氧化层;研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层,使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度;刻蚀剩余的第一氧化层,使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度;在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层;在栅极层上形成第三氧化层,研磨第三氧化层至栅极层上方;回刻第三氧化层,利研磨栅极层,使得栅极层的顶端平坦化。本发明对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善;保留部分氧化物在晶圆上,晶圆薄膜应力降低。
  • 提高边缘产品方法
  • [发明专利]一种激光能量调节装置和检测方法-CN202111268361.0在审
  • 陈珊珊;陈宏璘;龙吟 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2021-10-29 - 2022-02-25 - G02B26/02
  • 本发明提供一种激光能量调节装置和检测方法,激光能量调节装置激光器,用于发射不同波长的连续的激光;设置于激光器激光出射口一侧的用于将激光改变为准直平行光束的扩束镜片;设于扩束镜片激光口一侧的能量调节器,用于调节激光能量,能量调节器包括在不同区域设置有不同折射率折射膜的折射镜、移动装置和偏振器;能量探头,用于实时采集经过能量调节器的激光,得到采样激光,依据采样激光计算其能量值,若能量大于设置阈值,则停止激光器工作。用于解决现有技术中单一波长对扫描像素大小的局限性使得该类型机台在一些特殊缺陷的抓取上有所欠缺,且较大的激光能量可能会使得图形容易受扫描影响而造成图形崩溃的问题。
  • 一种激光能量调节装置检测方法
  • [实用新型]一种神经外科用防误吞咽的气管连接套管-CN202121660004.4有效
  • 汤加家;陈宏璘;韩宇涵 - 宿迁市第一人民医院
  • 2021-07-21 - 2022-01-04 - A61M16/04
  • 本实用新型提供了一种神经外科用防误吞咽的气管连接套管,包括气管连接套管,所述气管连接套管内部活动套接有气管导管,所述气管连接套管表面固定连接有防吞面罩,所述防吞面罩两侧均固定连接有连接块,所述连接块顶部表面均固定连接有佩戴绳,所述气管连接套管表面固定连接有固定块,所述固定块数量设置为两组,本实用新型解决了气管导管经口腔插入至气管内,插入后存在病患受到刺激,无意识损咬气管导管,导致气管导管损坏,影响治疗和输氧效果,同时病患在意识不清情况下容易拉拽气管导管,导致气管导管从气管连接套管内掉落,需要二次插管,对病患带来二次伤害,也增加了医务人员的工作负担的问题。
  • 一种神经外科用防误吞咽气管连接套管
  • [实用新型]一种神经外科腰大池引流管护理装置-CN202120282877.X有效
  • 张慧;翟永婷;陈宏璘;朱洁;蔡子烨 - 宿迁市第一人民医院
  • 2021-02-01 - 2021-12-14 - A61M1/00
  • 本实用新型提供一种神经外科腰大池引流管护理装置,属于医疗设备技术领域,该神经外科腰大池引流管护理装置,包括底板,底板的上端固定连接有两个支撑柱,底板的上端开设有第一滑槽,底板的左端螺纹连接有第一丝杆,第一丝杆的右端向右活动贯穿第一滑槽的左内壁并向右延伸,第一丝杆的右端转动连接于第一滑槽的右内壁,第一丝杆的圆周表面固定螺纹连接有两个螺母,且两个螺母均滑动连接于第一滑槽内,两个螺母的上端均固定连接有连接柱,两个支撑柱相靠近的端部之间固定连接有滑杆,两个连接柱的上端均固定连接有第一滑块,防止引流管被扯开,从而引发感染,以及引流管被挤压太紧而导致引流不顺畅,引起病人伤口感染。
  • 一种神经外科腰大池引流护理装置
  • [发明专利]一种半导体器件的良率预测方法及装置-CN202011357825.0在审
  • 陈珊珊;陈宏璘;龙吟 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2020-11-27 - 2021-03-12 - G06K9/62
  • 本发明涉及一种半导体器件的良率预测方法及装置,以及一种计算机可读存储介质。该方法包括步骤:获取待预测的半导体器件的缺陷数据,其中,所述待预测的半导体器件包括半导体器件成品及半导体器件半成品,所述缺陷数据指示所述半导体器件的至少一个缺陷的缺陷种类及位置;将所述缺陷数据输入预先训练的良率预测模型,其中,所述良率预测模型包括神经网络结构及分类结构,所述神经网络结构用于从所述缺陷数据提取缺陷特征向量,所述分类结构用于根据所述缺陷特征向量输出良率合格或不合格的分类结果;以及利用所述良率预测模型确定所述半导体器件的良率合格或不合格的分类结果。本发明能够对半导体器件的缺陷和良率进行准确、有效地预测。
  • 一种半导体器件预测方法装置
  • [发明专利]一种自动化的样本减薄方法-CN201711093467.5有效
  • 周健刚;曹秋凤;龙吟;王恺;陈宏璘 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-11-08 - 2021-03-05 - G01N1/28
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种自动化的样本减薄方法;包括:步骤S1,提供具有一缺陷的一初始样本;步骤S2,在初始样本避开缺陷的表面上,形成以缺陷的两侧边缘的两条平行的延长线为起始线,槽宽向两侧延伸的两个沟槽;步骤S3,在两个沟槽中填充与初始样本相异的金属;步骤S4,采用聚焦离子束工艺对填充金属后的样本的两侧进行减薄,并在减薄的过程中实时监测减薄过程中的返回的粒子成分;步骤S5,于监测到的粒子成分中相异的金属的成分的占比低于一预设值时,停止减薄操作;能够精确控制聚焦离子切割的位置,提高了切片精度,同时自动化程度高,效率较高,人工成本低,制样成功率高。
  • 一种自动化样本方法
  • [发明专利]金属离子监控方法-CN201810504049.9有效
  • 曹秋凤;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 - 上海华力微电子有限公司
  • 2018-05-23 - 2020-12-04 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种金属离子监控方法,提供晶圆,所述晶圆中注入有采样离子;将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业;所述晶圆自所述待监控设备载出后,对所述晶圆进行缺陷扫描;以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。传统的检测金属离子的滴定法分析,整个检测过程复杂,且所需时间较长。本发明所提供方法,通过检测工程晶圆表面出现结晶以及白色条状痕迹的缺陷情况快速检测设备中金属离子情况,可以在较短时间内得到金属离子检测结果,及时对设备情况作出判断,缩短影响区间,缩短响应时间,可有效减少由于湿法去胶设备溶液中金属离子超标对产品良率产生的不良影响,提升产品质量。
  • 金属离子监控方法
  • [发明专利]晶圆缺陷检测系统及检测方法和计算机存储介质-CN201811014892.5有效
  • 胡向华;何广智;顾晓芳;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 - 上海华力微电子有限公司
  • 2018-08-31 - 2020-11-13 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种晶圆缺陷检测系统及检测方法和计算机存储介质,所述晶圆缺陷检测方法包括:在晶圆缺陷扫描系统上建立网格坐标系,以扫描获得所述晶圆表面上的各个缺陷以及各个所述缺陷在所述网格坐标系中的坐标;根据所述各个缺陷在所述网格坐标系中的坐标从所述各个缺陷中筛选出第一类缺陷;从所有的所述第一类缺陷中筛选出第二类缺陷;预先设定构成每个所述链式缺陷的缺陷个数,根据所述缺陷个数从所有的所述第二类缺陷中筛选出链式缺陷;以及根据筛选出的所述链式缺陷的数量输出所述链式缺陷的诊断结果。本发明的技术方案能对所述晶圆上的所述链式缺陷进行有效的检测、筛选,以实现对所述链式缺陷的有效的规格管控。
  • 缺陷检测系统方法计算机存储介质
  • [发明专利]一种检测多晶硅是否出现短路的检测方法-CN201711387149.X有效
  • 范荣伟;陈宏璘;龙吟;柳祚钺 - 上海华力微电子有限公司
  • 2017-12-20 - 2020-04-28 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种检测多晶硅是否出现短路的检测方法,应用于半导体器件中多晶硅短路的检测,其中,刻蚀介质层形成接触孔,接触孔与部分栅极图形、部分源区以及部分漏区连接;于介质层上形成第一金属层去除覆盖在介质层上的第一金属层,于绝缘层上形成多个凹槽;于凹槽内填充一第二金属层形成第一测试结构;通过第一检测设备对第一测试结构进行检测获得第一检测结果;对第二金属层进行研磨后向衬底的阱区中注入离子组合形成第二测试结构;通过第二测试设备对第二测试结构进行测试,获得第二测试结果,第二测试结果用以表示第二测试结构结果是否合格。克服了现有技术中现有技术中仅依据器件的多晶硅上的介质层的厚度作为技术检测指标存诸多的缺陷。
  • 一种检测多晶是否出现短路方法

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