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[发明专利]光刻工艺-CN201210407666.X有效
发明人：李永尧;王盈盈;刘恒信;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺，如图案化半导体晶圆的光刻。该工艺包括接收其上形成有各种部件和层的入检半导体晶圆。接收单元诱发的重叠(uniiOVL)修正以及对重叠模块中的入检半导体晶圆进行形变测量。
光刻工艺

[发明专利]套刻精度的控制方法和装置-CN200710094528.X有效
发明人：杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种套刻精度的控制方法和装置，所述套刻精度的控制方法包括：获取前层光刻工艺的光刻工艺条件；根据前层光刻工艺的光刻工艺条件计算工艺过程引入的误差，并根据前层光刻工艺的光刻工艺条件、计算所得的工艺过程引入的误差计算当层曝光机台的工艺补偿值；根据计算得到的当层曝光机台的工艺补偿值，控制当层曝光机台进行光刻工艺。所述套刻精度的控制方法和装置可以减小晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差，从而精确地控制套刻精度。
精度控制方法装置

[发明专利]提高套刻精度的方法-CN201710458343.6有效
发明人：郭晓波;毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明一种提高套刻精度的方法，包括：提供复合掩膜版，所述复合掩膜版包括镜像对称的第一光刻图形和第二光刻图形；以所述第一光刻图形为掩膜进行第一次光刻工艺；以翻转的所述第二光刻图形为掩膜进行第二次光刻工艺，第一次光刻工艺与第二次光刻工艺形成的图形同向。本发明中，第一次光刻工艺和第二次光刻工艺过程中图形膨胀的方向相同，便于第一次光刻图形与第二光刻图形的对位，提高套刻精度。
提高精度方法

[发明专利]一种相变存储器光刻工艺优化方法-CN202210276000.9在审
发明人：张家睿;周智全;钟旻;冯高明;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变存储器的最优光刻工艺窗口。
一种相变存储器光刻工艺优化方法

[发明专利]检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法-CN201310264868.8有效
发明人：范荣伟;龙吟;陈宏璘;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种检测光刻工艺与薄膜沉积工艺契合度的方法，通过薄膜沉积工艺后，对采用不同条件光刻工艺制备的光刻胶，进行真空处理后，检测光刻胶上有没有缺陷，进而判断出该光刻工艺与之前的薄膜沉积工艺之间的契合度的范围，以对该光刻工艺进行工艺窗口的优化，进而提高产品的形成和良率。
检测光刻工艺薄膜沉积契合方法

[发明专利]一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法-CN201310627626.0在审
发明人：沈今楷;李亮;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种检测光刻工艺中电荷损伤的方法，包括如下步骤：步骤1，在芯片设计时在芯片或者划片槽中增加检测图形；步骤2，制备相应的光刻版；步骤3，用带有检测图形的光刻版进行光刻工艺，在检测图形区域电荷积聚；步骤4，进行湿法工艺；步骤5，对检测图形进行缺陷检测和光刻工艺电荷损伤的评估。采用本发明方法，可以方便及时有效地评估光刻工艺产生的电荷损伤，及早发现优化光刻工艺条件存在的缺陷，及早发现排除光刻设备的故障，提高芯片成品率和可靠性。
一种检测光刻工艺电荷损伤方法

[发明专利]光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法-CN201310596199.4在审
发明人：杨彦涛;江宇雷;钟荣祥;崔小锋;吴继文;袁媛 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进一步的，在去除正性光刻胶的过程中曝光、显影条件是对产品通常光刻工艺中曝光、显影条件做相应优化，去除正性光刻胶过程比传统方法更迅速、有效，在此光刻胶去除方法上进行的光刻工艺返工方法，可避免由于光刻胶残留导致的重复返工特别的，在光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法中，对曝光对准系统没有精度要求，从而使得工艺简便。
光刻去除方法工艺返工

[发明专利]光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法-CN201910400738.X在审
发明人：柯顺魁 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取方法，包括步骤：步骤一、建立光刻工艺，确定光刻工艺条件。步骤二、采集原始版图数据。步骤三、采用光刻工艺中的曝光后烘烤的上限温度和下限温度范围内，逐渐改变曝光后烘烤的温度并得到和对应的光刻图形，根据光刻图形对原始版图进行OPC修正得到对应OPC修正结果；步骤四、对各OPC修正结果进行比较选取最佳的本发明能实现光刻工艺中曝光后烘烤的最佳温度的选取，在选取的最佳温度下能使整个版图范围内的光刻工艺效果达到最佳。
光刻工艺烘烤曝光光刻图形原始版图光刻工艺条件采集

[发明专利]改进的光刻方法-CN202010302191.2在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种改进的光刻方法，所述方法包括：提供一光掩模板；测量所述光掩模板上光刻标记的放置误差；根据所述放置误差执行光刻工艺的校准流程。本申请通过测量光刻标记在光掩模板上的放置误差，并将放置误差应用到后续使用光掩模板的光刻工艺流程中的校准流程，以提高光刻工艺流程中的校准准确性。执行光刻工艺的校准流程。
改进光刻方法

[发明专利]一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法-CN202111436108.1有效
发明人：朱忠华;魏芳;曹云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查的方法，包括：提供具有目标图形数据的待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图；基于设计规则，按线宽(W)与间距(S)选择二维版图图形；将二维版图图形按照归类半径R1进行图形匹配；按照半径R2截取二维版图图形，并生成热点检查设计版图；对热点检查设计版图进行改变设计图形目标、光学邻近效应修正；进行工艺偏差图形模拟；进行光刻工艺热点检查并标识各热点；在待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图中匹配热点，获得潜在的光刻工艺之热点；待光刻工艺热点检查的集成电路设计版图产生光刻工艺热点索引文件。本发明不仅极大缩短了软件计算时间，降低了生产成本，而且能精确定位到版图中的光刻工艺热点。
一种深度加速集成电路版图光刻工艺热点检查方法

[发明专利]具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶-CN201610669564.3有效
发明人：陈彦豪;王建惟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。
具有键合至产酸剂感光剂光刻

[发明专利]根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法-CN202310423475.0在审
发明人：郑鸿柱;郭纹辰;张利东 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种根据光刻胶形貌快速确定光刻工艺条件的方法，提供至少一晶圆，在晶圆上形成光刻胶层，在不同的曝光区域上利用不同光刻工艺条件进行多次曝光；之后获取每个曝光区域上的光刻胶形貌图片；根据光刻胶形貌图片获取光刻胶轮廓，切割光刻胶轮廓形成多个切割段，之后计算每个切割段的形貌偏差值；以光刻工艺条件的参数及其对应的形貌偏差值进行模型训练得到机器学习模型；随机形成多组光刻工艺条件的测试参数，利用机器学习模型得到每组测试参数的形貌偏差值；选择符合判定值的形貌偏差值对应的测试参数作为最终光刻工艺条件。本发明通过生成光刻胶形貌偏差对光刻胶形貌定量描述，通过模型预测最佳工艺条件，节约了时间。
根据光刻形貌快速确定工艺条件方法

[发明专利]增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺-CN201310264730.8有效
发明人：毛智彪 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，根据光刻工艺需求，调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数，从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后，以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面，进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形，进一步的完成光刻工艺；本发明提供的增强光刻工艺能力的装置及利用该装置进行的光刻工艺，能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口，平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸，且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题，进而提高了生产效率和降低了制造成本，且提高了器件的良率。
增强光刻工艺能力装置利用进行

[发明专利]监测光刻质量的方法-CN200810044125.9无效
发明人：陈福成;吴鹏;阚欢 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种监测光刻质量的方法，通过以下步骤进行监测：第一步，设置特征图形；在光刻工艺层中设置多个特征图形，所述光刻工艺层包括多种不同的衬底，每种衬底上分别放置有特征图形；两种不同衬底的交界处放置有特征图形；第二步，监测光刻质量；所述多个特征图形同时进行监测，通过比对各特征图形与各特征图形所在处的光刻图案之间的差异情况，监测光刻机台在特定光刻工艺层的曝光焦距和工艺窗口的情况。本发明能够简单、准确、有效地监测光刻机台在特定的工艺光刻工艺层的光刻工艺窗口。
监测光刻质量方法

[发明专利]用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质-CN202110034008.X在审
发明人：张双;韦亚一;张利斌;盖天洋;何建芳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口信息得到用于优化当前光刻工艺窗口的像差系数组合；其中，在当前光刻过程中使用与理想光源信息对应的光源以及与理想掩模信息对应的掩模。本发明能够快速地确定像差系数组合，以利用该像差系数组合提高光刻成像质量，进而提高半导体器件制造的良率。本发明能够有效解决非理想光刻机系统或非理想工艺条件下的光刻工艺匹配问题，可达到与理想光刻机、理想光刻工艺相当的工艺窗口。
用于优化光刻工艺窗口方法装置计算机存储介质

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