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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610187524.5有效
发明人：南宫铉;金东谦;金廷奂;池正根;杨大光;柳志晚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底；衬底上的隧道绝缘图案；隧道绝缘图案上的电荷存储图案；电荷存储图案上的电介质图案，电介质图案的宽度小于电荷存储图案的宽度；电介质图案上的控制栅极，控制栅极的宽度大于电介质图案的宽度
半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010939717.8在审
发明人：李承桓;李洙衡;林周永;张大铉;丁相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储器件，其包括：交替地堆叠在基板上的栅极间电介质层和电极层；穿透栅极间电介质层和电极层并且延伸到基板中的垂直半导体图案；在垂直半导体图案与电极层之间的阻挡电介质图案；隧道电介质层，在阻挡电介质图案与垂直半导体图案之间并且与栅极间电介质层接触；以及在阻挡电介质图案与隧道电介质层之间的第一电荷存储图案。第一电荷存储图案中的一个与阻挡电介质图案中的一个的顶表面和底表面接触。
三维半导体存储器件

[发明专利]磁性随机存储器件及其制造方法-CN202010932208.2在审
发明人：申力杰;张栋山 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：该器件包括：形成有底电极的衬底、位于底电极上方的磁性隧道结单元、位于磁性隧道结单元上方的金属硬掩膜、第一电介质层、第二电介质层以及顶电极，第一电介质层的竖直部分覆盖于磁性隧道结单元及金属硬掩膜的侧壁，第一电介质层的水平部分覆盖于底电极上表面，第二电介质层位于第一电介质层的水平部分上方并围绕第一电介质层的竖直部分，顶电极覆盖于金属硬掩膜的上表面。
磁性随机存储器件及其制造方法

[发明专利]用于制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法-CN201610834756.5在审
发明人：蒂姆·丹尼斯;斯科特·哈林顿;简·曼宁;大卫·史密斯;安·瓦尔德豪尔 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
用于制造具有隧道电介质太阳能电池方法

[发明专利]用于制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法-CN201180032583.0有效
发明人：蒂姆·丹尼斯;斯科特·哈林顿;简·曼宁;大卫·史密斯;安·瓦尔德豪尔 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-04-27 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本文描述了制造具有隧道电介质层的太阳能电池的方法，以及具有隧道电介质层的太阳能电池。
用于制造具有隧道电介质太阳能电池方法

[发明专利]两种存储器类型的集成-CN02810199.5有效
发明人：罗伯特·E·琼斯;布鲁斯·E·怀特 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2002-05-07 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。
存储器类型集成

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法-CN201710443581.X在审
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极通孔电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极通孔，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极通孔。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极通孔多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底制作

[发明专利]一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法-CN201710447873.0在审
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻;张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种制作磁性随机存储器顶电极沟槽的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极沟槽，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极线条。
电介质顶电极覆盖层刻蚀磁性隧道结硬掩膜层底电极多层膜磁性随机存储器平坦化处理电介质层硬掩膜沉积硬掩膜氧化层图案图形化定义表面抛光高电导图形化基底通孔制作线条

[发明专利]一种高速扫描隧穿显微镜测绝缘样品膜厚形貌缺陷的方法-CN201710074930.5有效
发明人：李全锋 -专利权人：河南师范大学
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01Q60/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速扫描隧穿显微镜测绝缘样品膜厚形貌缺陷的方法，包括恒高模式扫描隧道显微镜系统及位于该恒高模式扫描隧道显微镜系统导电电极与导电针尖之间的电介质样品，当电介质样品的介电常数大于电介质样品与针尖间辅助电介质的介电常数、且所述的导电针尖与电介质样品间的相对扫描速度v≥2.26×1010ir(h+d)/(Ubεrr)、扫描隧道显微镜前置放大电路带宽fB≥v/20r＝1.13×109r(h+d)/(Ubεrr2)时，则电介质样品的膜厚、表面形貌、膜内损伤及电介质样品与导电电极间界面的结合特性能够被方便快捷地探测出来。
一种高速扫描显微镜绝缘样品形貌缺陷方法

[发明专利]一种假磁性隧道结单元结构制备方法-CN201910176223.6在审
发明人：张云森;肖荣福;陈峻;郭一民 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明包括：提供表面抛光的带金属通孔的基底；在平坦化处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜和顶电极，或，在处理后基底上沉积底电极、磁性隧道结/假磁性隧道结多层膜、顶电极和牺牲掩模；图形化定义磁性隧道结和假磁性隧道结图案，对顶电极、磁性隧道结/假磁性隧道结和底电极刻蚀，沉积绝缘覆盖层在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元的周围；沉积电介质在磁性隧道结和假磁性隧道结存储单元周围；对沉积电介质平坦化处理，使移除停止在覆盖在假磁性隧道结单元上面的覆盖层之上；沉积顶电极接触电介质，图形化定义顶电极接触图案，对其进行刻蚀和非Cu填充以形成顶电极接触；制作金属位线连接。
一种磁性隧道单元结构制备方法

[发明专利]具有高介电常数顶部电介质的电介质存储器存储单元及其方法-CN03820615.3有效
发明人：弗兰克·K·贝克 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-07-24 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：非易失性存储(NVM)单元22将存储电介质(16)用作存储元件，它具有位于栅极(30)与存储电介质(16)之间的顶部电介质(18，24)和位于半导体衬底与存储电介质之间的底部电介质(14)。该顶部电介质包括较厚的高k电介质层(18)和界面层(24)。该界面层(24)非常薄，而它具有比氧化硅高的k。底部电介质层(14)最好是氧化硅，因为其界面特性和隧道特性。因此，单元(22)具有因为良好钝化、高k顶部电介质(18，24)以及氧化硅的底部电介质(14)获得的好处。
具有介电常数顶部电介质存储器存储单元及其方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201210410349.3有效
发明人：梁在郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：根据本发明实施例的一种半导体存储器件包括：隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在半导体衬底之上；浮栅，所述浮栅形成在隧道绝缘层之上；电介质层，所述电介质层形成在浮栅之上；以及控制栅，所述控制栅包括形成在电介质层之上的第三硅层
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]制造磁存储器件的方法-CN201710794979.8有效
发明人：朴正熏;孙明秀;徐辅永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：制造磁存储器件的该方法包括：在衬底上形成层间电介质层；在层间电介质层中形成牺牲图案；在牺牲图案上形成磁隧道结图案；在形成磁隧道结图案之后，选择性地去除牺牲图案以在层间电介质层中形成底接触区；以及在底接触区中形成底接触
制造磁存储器方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201310108983.6在审
发明人：李丙仁;金泰均 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：多个栅结构，每个栅结构形成在衬底上并且包括顺序层叠的隧道绝缘层、浮栅、栅间电介质层以及控制栅；以及层间电介质层，所述层间电介质层覆盖多个栅结构、并且具有形成在相邻的栅结构之间的空气间隙，其中，空气间隙的底表面位于比隧道绝缘层的表面更低的水平。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器件的图案及其形成方法-CN201110039656.0有效
发明人：李闰敬 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储器件的图案及其形成方法，所述图案包括：限定沿着纵向方向延伸的有源区的半导体衬底；形成在所述有源区之间的隔离结构；形成在所述有源区上的隧道绝缘层；形成在所述隧道绝缘层上的电荷陷阱层；形成在所述电荷陷阱层和所述隔离结构上的第一电介质层，其中所述第一电介质层沿着横向方向延伸；形成在所述第一电介质层上的控制栅层，其中所述控制栅层沿着横向方向延伸；以及沿着横向方向形成在控制栅层的侧壁上并且与第一电介质层耦合的第二电介质层
非易失性存储器图案及其形成方法

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