专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米柱磁隧道结器件、存储器件及信号发生器-CN202211130074.8在审
  • 杨铮;惠圆;于昊 - 西交利物浦大学
  • 2022-09-16 - 2022-12-27 - H01L43/02
  • 本发明公开了一种纳米柱磁隧道结器件、存储器件及信号发生器。该纳米柱磁隧道结器件包括:水平磁化钉扎层、第一隔离隧穿层、自由磁化层、第二隔离隧穿层和垂直磁化钉扎层的叠层;水平磁化钉扎层与电源的第一端连接,垂直磁化钉扎层与电源的第二端连接;水平磁化钉扎层和垂直磁化钉扎层的厚度比例为平垂比,通过调整平垂比和/或通过纳米柱磁隧道结器件的电流强度密度,自由磁化层的磁化强度的翻转振荡频率或者进动振荡频率可实现调节。本发明实施例提供的技术方案实现了一种自由磁化层的磁化强度的翻转振荡频率或者进动振荡频率可调节的纳米柱磁隧道结器件。
  • 一种纳米隧道器件存储信号发生器
  • [发明专利]一种表面图形磁性薄膜巨磁阻抗磁传感器及其制备方法-CN202211274747.7在审
  • 穆宜敏;王晓荣;朱文俊;张梦怡;张卿 - 南京工业大学
  • 2022-10-18 - 2022-12-20 - H01L43/02
  • 本发明提供了一种表面图形磁性薄膜巨磁阻抗磁传感器,包括绝缘基底、两个电极和表面图形磁性薄膜;所述表面图形磁性薄膜包括表面光滑磁性薄膜和多个条栅图案磁性薄膜;表面光滑磁性薄膜设置在基底的顶部;多个条栅图案磁性薄膜等间距地排列在表面光滑磁性薄膜的顶部;表面光滑磁性薄膜和单个条栅图案磁性薄膜均为矩形;条栅图案磁性薄膜的长边垂直于表面光滑磁性薄膜的长边;两个电极对称地连接在表面光滑磁性薄膜的两个宽边上。本发明不仅削弱了表面图形磁性薄膜宽度方向的退磁效应,还利用了上层条栅图案磁性薄膜的形状各向异性,可显著增强表面图形磁性薄膜的巨磁阻抗效应,实现高灵敏度的磁场检测。
  • 一种表面图形磁性薄膜磁阻传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器-CN202110540745.7有效
  • 张雪峰;陈文潮;胡成龙;刘先国 - 杭州电子科技大学
  • 2021-05-18 - 2022-12-06 - H01L43/02
  • 本发明涉及纳米自旋电子器件领域,针对铁磁斯格明子的纳米振荡器振荡频率低的问题,提供一种基于铁磁斯格明子手性转换的微波振荡器,微波振荡器为柱状多层膜结构,包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层,设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层;所述自由层为承载斯格明子的铁磁纳米盘,磁矩方向与多层纳米磁盘所在平面垂直。本发明以斯格明子的手性转换及呼吸模式输出振荡信号,振荡信号到达几十GHz;运算器以能发生手性转换的斯格明子为基础,极大地缩小了器件的尺寸,提高了输出频率;输出频率可通过调控电流密度或自由层的材料参数进行调节。
  • 一种基于铁磁斯格明子手性转换微波振荡器
  • [发明专利]一种三轴磁传感器及其制备工艺-CN202211156554.1在审
  • 郭慧芳;肖勇 - 上海矽睿科技股份有限公司
  • 2022-09-22 - 2022-12-02 - H01L43/02
  • 本发明揭示了一种三轴磁传感器及其制备工艺,所述三轴磁传感器包括形成有至少两个沟槽的衬底、第一磁感测机构、第二磁感测机构及第三磁感测机构;第一磁感测机构用以感测第一方向的磁场;第二磁感测机构用以感测第二方向的磁场;第三磁感测机构用以感测第三方向的磁场;第一磁感测机构和第二磁感测机构设置在衬底的表面,第三磁感测机构设置在沟槽内;通过至少一个第一磁感测机构和/或至少一个第二磁感测机构将至少一对相邻的沟槽间隔开。本发明可降低工艺加工误差,提高工艺窗口,改善产品的整体良率。
  • 一种三轴磁传感器及其制备工艺
  • [发明专利]真随机数发生器及产生真随机数的方法-CN202210951179.3在审
  • 曹易;王超;任睿智 - 北京量子信息科学研究院
  • 2022-08-09 - 2022-11-29 - H01L43/02
  • 本发明公开了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。该真随机数发生器包括随机数发生模块,其包括:导电层,两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道结,每个磁隧道结均包括:第一磁性层,位于导电层之上;自旋流抵消层,位于第一磁性层之上;绝缘势垒层,位于自旋流抵消层之上;第二磁性层,位于绝缘势垒层之上;钉扎层,位于第二磁性层之上;其中,每个磁隧道结的钉扎层的远离第二磁性层的一端均设有第三电极,第一电极和第三电极用于通入第二电流。本发明提供的真随机数发生器,集成度高、随机性好和使用寿命长,具有很好的应用前景。
  • 随机数发生器产生方法
  • [发明专利]一种磁性组件及其封装方法-CN202110578524.9在审
  • 何世坤;赵京升;宋广明 - 浙江驰拓科技有限公司
  • 2021-05-26 - 2022-11-29 - H01L43/02
  • 本申请公开了一种磁性组件包括基板,基板引脚,位于所述基板上表面的芯片,电路板,屏蔽部件;所述电路板分布有线路以及位于所述线路两端的焊点,所述芯片和所述基板引脚通过所述焊点和所述线路连接,所述屏蔽部件为所述芯片提供磁屏蔽结构。可见,本申请中磁性组件的芯片和基板引脚通过焊点和线路连接,也即芯片和基板引脚通过电路板连接,由于电路板厚度薄,可以减小磁性组件的封装高度,并且,利用电路板代替金线,有效避免金线与屏蔽部件接触,发生短路,提升磁性组件的可靠性;另外,屏蔽部件可以贴在电路板上,还可以保证后续塑封的可靠性。此外,本申请还提供一种具有上述优点的磁性组件的封装方法。
  • 一种磁性组件及其封装方法
  • [发明专利]多功能磁性随机存储单元、方法、存储器及设备-CN202011606419.3有效
  • 王昭昊;王旻;王朝;赵巍胜 - 北京航空航天大学
  • 2020-12-28 - 2022-11-04 - H01L43/02
  • 本发明提供了一种多功能磁性随机存储单元、方法、存储器及设备,所述存储单元包括自旋轨道耦合层、至少一个磁隧道结以及VCMA调控模块,所述至少一个磁隧道结的自由层受到DMI效应作用;所述VCMA调控模块用于通过输入VCMA电压使所述磁隧道结处于第一垂直各向异性状态或第二垂直各向异性状态;当所述磁隧道结处于第一垂直各向异性状态时,向自旋轨道耦合层输入第一电流,所述磁隧道结的阻态改变;当所述磁隧道结处于第二垂直各向异性状态时,向自旋轨道耦合层输入第二电流,所述磁隧道结形成随机阻态,本发明可在无外加磁场条件下实现随机数生成和数据存储。
  • 多功能磁性随机存储单元方法存储器设备
  • [发明专利]多级别自旋逻辑-CN201680075646.3有效
  • S.马尼帕特鲁尼;I.A.扬;D.E.尼科诺夫;U.E.阿夫西;P.莫罗;A.乔德里 - 英特尔公司
  • 2016-12-23 - 2022-10-14 - H01L43/02
  • 所描述的是一种设备,其包括:4状态输入磁体;邻近于所述4状态输入磁体的第一自旋通道区;4状态输出磁体;邻近于4状态输入磁体和4状态输出磁体的第二自旋通道区;以及邻近于所述4状态输出磁体的第三自旋通道区。所描述的是一种设备,其包括:4状态输入磁体;邻近于所述4状态输入磁体的第一滤波器层;邻近于所述第一滤波器层的第一自旋通道区;4状态输出磁体;邻近于所述4状态输出磁体的第二滤波器层;邻近于第一滤波器层和第二滤波器层的第二自旋通道区;以及邻近于所述第二滤波器层的第三自旋通道区。
  • 多级自旋逻辑

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