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[发明专利]封盖的磁性存储器-CN201580080103.6有效
发明人： D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·J·维甘德;P·E·海尔;M·T·拉赫曼;R·J·卡斯特利亚诺;T·班萨尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，该装置包括：位于第一电极与第二电极之间的磁性隧道结(MTJ)，磁性隧道结(MTJ)包括固定层与自由层之间的电介质层；直接接触第一电极的侧壁的电介质膜；以及经由所述电介质膜耦合到所述侧壁的金属层；其中(a)竖直轴与第一电极和第二电极以及MTJ相交，但不与金属层相交，(b)第一水平轴与金属层、电介质膜以及第一电极相交；并且(c)位于第一水平轴与MTJ之间的第二水平轴与电介质膜和第一电极相交，但不与封盖层相交
磁性存储器

[发明专利]磁隧道结结构及集成方案-CN202110590770.6在审
发明人：张淑禧;陈福南;N·蒂亚加拉亚;孙永顺 -专利权人：格芯新加坡私人有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁隧道结结构及集成方案。提供了一种存储器器件，该存储器器件包括位于电介质层中的接触柱。可以在接触柱上方设置磁隧道结。可以在磁隧道结的侧壁上设置在电介质层的水平表面上方延伸的阻挡层。
隧道结构集成方案

[发明专利]制造非易失性存储器件的方法-CN201210021562.5有效
发明人：杨永镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将第一控制栅导电层、第一栅间电介质层、浮栅导电层、隧道电介质层和有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；形成填充沟槽的第二隔离层；以及在形成有第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。
制造非易失性存储器方法

[发明专利]具有电磁隧道内置结构的印刷电路板及其制造方法-CN201610085407.8在审
发明人：朴孝勋;裴玄民;李泰雨 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2016-02-15 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电磁隧道内置结构的印刷电路板及其制造方法。该印刷电路板，作为具有电磁隧道内置结构的印刷电路板，包括印刷电路板；以及内置于所述印刷电路板的电磁隧道，其中，所述电磁隧道包括电介质内芯和围绕所述电介质内芯的金属包层，且具有露出于所述印刷电路板表面的至少一个出入口
具有电磁隧道内置结构印刷电路板及其制造方法

[发明专利]用于多晶硅发射极太阳能电池的简化背触点-CN200980112596.1无效
发明人：皮特·G·博登;徐力 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-04-09 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：根据另一方案，该背触点结构包括氮化硅或氮化的隧道电介质。其作用为一扩散屏障，因此可在高温工艺步骤期间维持该隧道电介质的性质，并可避免硼扩散通过该隧道电介质。
用于多晶发射极太阳能电池简化触点

[发明专利]一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器-CN201910972811.0在审
发明人：吴关平 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器顶电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器的底电极制备以及磁性隧道结的刻蚀；依次沉积第一电介质层、第二电介质层，并将表面平坦化；依次沉积第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案；通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔，通过所述通孔引出磁存储器的顶电极。
一种磁存储器电极及其制造工艺

[发明专利]包括含不同存储器单元的块的电子装置以及相关方法及系统-CN202210404961.3在审
发明人：刘艺芬;卢景煌;罗双强 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：所述存储器柱包括横向邻近于所述堆叠的电荷阻挡材料、横向邻近于所述电荷阻挡材料的存储氮化物材料、横向邻近于所述存储氮化物材料的隧道电介质材料、横向邻近于所述隧道电介质材料的沟道材料及所述沟道材料的相对侧之间的填充材料所述第一块中的所述存储氮化物材料及所述隧道电介质材料中的一或多者在厚度上或在材料成分上与所述第二块中的所述存储氮化物材料及所述隧道电介质材料中的一或多者不同。
包括不同存储器单元电子装置以及相关方法系统

[发明专利]一种制备磁性隧道结的方法-CN201611035734.9有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备磁性隧道结的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上，依次形成底电极、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；图形化定义磁性隧道结图案，并转移图案到磁性隧道结的顶部；沉积一层氧离子俘获层在硬掩模的周围，并覆盖磁性隧道结记忆层；氧离子注入到没有被硬掩模覆盖的磁性隧道结记忆层，并对其进行热退火；沉积一层电介质在在硬掩模的周围，并覆盖被氧化的记忆层；以沉积在硬掩模周围的电介质为掩模，对被氧化的记忆层、势垒层、参考层和底电极进行离子束刻蚀；采用电介质填充未被刻蚀硬掩模周围的空隙，并采用化学机械抛光磨平直到未被氧化的硬掩模顶部。
一种制备磁性隧道方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110360297.9有效
发明人：曾贤成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，旨在消除读写数据时相邻的磁隧道结之间的磁场感应“互扰”(串音)现象。该半导体器件包括磁隧道结单元和围绕磁隧道结单元侧壁的磁场屏蔽材料层。制造半导体器件的方法包括形成磁隧道结单元，沉积隔离电介质层以覆盖磁隧道结单元的顶部和侧壁，在隔离电介质层上沉积磁场屏蔽材料层。磁场屏蔽材料层消除或减弱相邻的磁隧道结之间的磁场感应以及消除磁场感应“互扰”现象。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]嵌入的基于SONOS的存储单元-CN201410064510.5有效
发明人：克里希纳斯瓦米·库马尔;伊葛·葛兹尼索夫;范卡特拉曼·普拉哈卡 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：通常，该方法包括：在衬底上形成电介质叠层，电介质叠层包含衬底上的隧道电介质，和在隧道电介质上的电荷捕获层；图案化电介质叠层，以在衬底的第一区域中形成存储器件的NVM晶体管的栅极叠层，同时并发地从衬底的第二区域去除电介质叠层
衬底电介质叠层存储单元嵌入的电荷捕获层隧道电介质第二区域并发非易失性存储图案化电介质栅极氧化物存储器件第一区域氧化处理栅极叠层工艺流程热生长晶体管氧化物叠层覆盖沟道去除植入阻挡生长

[发明专利]嵌入的基于SONOS的存储单元-CN201910654614.4有效
发明人：克里希纳斯瓦米·库马尔;伊葛·葛兹尼索夫;范卡特拉曼·普拉哈卡 -专利权人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：通常，该方法包括：在衬底上形成电介质叠层，电介质叠层包含衬底上的隧道电介质，和在隧道电介质上的电荷捕获层；图案化电介质叠层，以在衬底的第一区域中形成存储器件的NVM晶体管的栅极叠层，同时并发地从衬底的第二区域去除电介质叠层
嵌入基于 sonos 存储单元

[发明专利]具有磁性隧道结的半导体器件-CN201911043521.4有效
发明人：彭泰彦;张宗宪;陈玉树;丁致远;谢志宏;林仲德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开涉及具有磁性隧道结的半导体器件。本公开提供了具有磁性隧道结的半导体器件。一种半导体器件包括：衬底；存储器阵列，位于衬底上方，存储器阵列包括第一磁性隧道结(MTJ)，其中第一MTJ位于衬底上方的第一电介质层中；以及电阻器电路，位于衬底上方，电阻器电路包括第二MTJ，其中第二MTJ位于第一电介质层中。
具有磁性隧道半导体器件

[发明专利]具有凹陷浮动栅的闪速存储器器件及其制造方法-CN200610080799.5无效
发明人：金宰弘 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-05-16 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：所述闪速存储器器件包括：有源区，所述有源区具有多个表面区和形成得低于表面区的多个凹陷区；隧道氧化物层，所述隧道氧化物层形成于凹陷区之上；多个凹陷浮动栅，所述多个凹陷浮动栅形成于隧道氧化物层之上以埋置于凹陷区中；形成于凹陷浮动栅之上的多个电介质层；以及电介质层之上的多个控制栅。
具有凹陷浮动存储器器件及其制造方法

[发明专利]具有自旋霍尔MTJ器件的交叉点阵列MRAM-CN201380073013.5有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-03-14 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G11C11/18 文献下载
摘要：描述了实施基于自旋霍尔磁性隧道结(MTJ)的器件的交叉点阵列磁阻随机存取存储器(MRAM)以及这样的阵列的操作方法。例如，用于非易失性存储器的位单元包括设置在衬底上方的磁性隧道结(MTJ)叠置体，磁性隧道结叠置体具有设置在电介质层上方的自由磁性层，电介质层被设置在固定磁性层上方。
具有自旋霍尔 mtj 器件交叉点阵列 mram

[发明专利]垂直磁性元件的杂散场的自补偿-CN201580041985.5有效
发明人： W-C·陈;X·朱;X·李;Y·陆;C·朴;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：垂直磁性隧道结(pMTJ)器件(500)包括：垂直基准层(314)、该垂直基准层的表面上的隧道势垒层(310)、以及该隧道势垒层的表面上的垂直自由层(308)。该pMTJ器件还包括在隧道势垒层上且围绕垂直自由层的电介质钝化层(312)。该pMTJ器件进一步包括电介质钝化层上的高磁导率材料(406)，该高磁导率材料被配置成由垂直基准层磁化以及向垂直自由层提供补偿来自该垂直基准层的杂散场的杂散场。
垂直磁性元件散场补偿