专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]平面双栅晶体管存储单元-CN200880100874.7无效
  • T·B·道;沃恩-于·西恩;布鲁斯·E·怀特 - 飞思卡尔半导体公司
  • 2008-06-25 - 2010-06-30 - H01L27/108
  • 一种适合于用作存储单元的半导体器件(300),包括具有顶面和底面的半导体主体(302)、覆盖所述半导体主体顶面(302)的顶栅电介质(145)、覆盖顶栅电介质(145)的导电顶栅电极(161)、在半导体主体(302)底面下面的底栅电介质(106)、在底栅电介质(106)下面的导电底栅电极(108)、以及电荷俘获层(104)。电荷俘获层(104)包括在半导体主体的顶面或底面附近包括多个浅电荷陷阱(104)。电荷俘获层(104)可以是氧化铝、氮化硅、或硅纳米簇。电荷俘获层(104)可以位于底栅电介质(106)与半导体主体(302)的底面之间。
  • 平面晶体管存储单元

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