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[发明专利]一种磁性随机存储器底电极接触及其制备方法-CN201611191863.7有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：包括以下步骤：步骤一：将带金属连线的基底表面抛光，并在基底上依次形成刻蚀阻止层和电介质层；步骤二：在电介质层上图形化定义底电极接触图案，刻蚀形成底电极接触孔；步骤三：用底电极接触材料填充底电极接触孔并磨平，直到部分电介质层被消耗掉，至此形成底电极接触。由于磁性隧道结及其底电极在表面抛光的底电极接触上进行制作，这样就有效的避免了由于在铜通孔直接制作磁性隧道结，所带来的铜污染和铜扩散，非常有利于磁性随机存储器回路电学性能的优化提高和器件的小型化。
一种磁性随机存储器电极接触及其制备方法

[发明专利]一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法-CN201810054931.8有效
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法，磁性随机存储器记忆单元包括种子层、垂直磁参考层、隧道势垒层、磁记忆层、氧化物覆盖层、金属顶覆盖层、易氧化金属层、刻蚀阻挡层、硬掩模层。制造步骤如下：(1)沉积上述各膜层；(2)图形化磁性隧道结，刻蚀硬掩模层并停止在刻蚀阻挡层上；(3)将刻蚀后暴露出来的硬掩模层、金属顶覆盖层和易氧化金属层的周边全部氧化形成电绝缘体，将磁性隧道结的周围覆盖保护起来；(4)刻蚀磁记忆层、隧道势垒层和垂直磁参考层，直到种子层；(5)形成电介质保护层保护刻蚀后的磁性隧道结单元，并填充电介质填充层，用化学机械抛光方式将表面磨平；(6)最后在磨平的磁性隧道结单元上形成顶电极通孔层
一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法

[实用新型]电荷流元件、电荷留置电路和集成电路芯片-CN201320428471.3有效
发明人： F·玛里内特;P·福尔纳拉 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种电荷流元件包括在绝缘支撑物上的第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，该电介质层具有能够通过隧道效应让电荷流动的至少一个部分，其中电极中的至少一个电极由未掺杂多晶硅制成。
电荷元件留置电路集成电路芯片

[发明专利]贯穿包括结构和制造方法的高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质层的屏蔽电触点和掺杂-CN201180021006.1有效
发明人： D·克拉夫茨;O·舒尔茨-韦特曼 -专利权人：泰特拉桑有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池结构和形成方法，其结合钝化电介质层利用表面纹理来提供形成贯穿所述钝化电介质层且在导电层与下方的衬底之间的电触点的实用和可控制的技术，实现了高效率太阳能电池所需的具有低复合损耗的良好表面钝化和电触点有意地修改所述钝化电介质层以允许与所述衬底的直接接触或隧道势垒接触。公开了另外的P-N结和掺杂梯度以进一步限制损耗并提高效率。
贯穿包括结构制造方法高效率晶体太阳能电池中的钝化电介质屏蔽触点掺杂

[发明专利]叠层陶瓷电容器及其制造方法-CN200510127206.1有效
发明人：岩崎健一;福田大辅;西垣政浩;松原圣;神垣耕世 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2005-11-25 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层陶瓷电容器及其制造方法，该叠层陶瓷电容器具备交替叠层电介质层和内部电极层而成的电容器主体、和形成在该电容器主体的两端部上的外部电极，所述电介质层由从Ca成分浓度、Sr成分浓度及Zr成分浓度中选择的至少一项不同的至少该叠层陶瓷电容器，即使作为电介质层采用由用Ca、Sr或Zr置换Ba的一部分的钛酸钡晶粒构成的电介质陶瓷，也能够抑制晶粒的生长，例如即使在采用隧道式的大型烧成炉等的批量生产中，也能够提高相对介电常数或温度特性以及高温负荷试验特性
陶瓷电容器及其制造方法

[发明专利]离子束处理电介质表面的方法及实施该方法的装置-CN200710107941.5有效
发明人：弗拉基米尔·希里罗夫;米卡莱·莱乌胡克;谢尔盖·马雷舍夫;弗拉济米尔·萨文卡;艾拉特·希萨莫夫;亚历山大·霍赫洛夫 -专利权人：弗拉基米尔·希里罗夫;米卡莱·莱乌胡克;谢尔盖·马雷舍夫;弗拉济米尔·萨文卡;艾拉特·希萨莫夫;亚历山大·霍赫洛夫
申请日： 2007-05-18 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明所提出的方法利用了等离子阴极放电及隧道式磁场生成电子流，而且隧道式磁场的一部分磁通量同时穿过阴极的表面和待处理的电介质表面，且阴极由石墨和/或硼制造。在此工作气体的组分包括10－100％的氧气。实施本发明所提出的上述方法的装置将阴极由石墨和/或硼制造的阴极放电装置用作电子源，且磁系统安装在阴极表面之下用于在阴极表面上产生隧道式磁通量。此外，相对于电介质表面和离子源的输出孔安放阴极放电装置，以这种方式在待处理的表面上离子流作用的区域和磁通量与该表面交汇的区域形成相互重叠的区域。
离子束处理电介质表面方法实施装置

[发明专利]一种防止磁性随机存储器记忆层和参考层短路的制造方法-CN201610986180.4在审
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种防止磁性随机存储器记忆层和参考层短路的制造方法，包括：第一步骤：在表面抛光的CMOS基底上，依次形成底电极、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；第二步骤：图形化定义磁性隧道结图案，并转移图案到磁性隧道结的顶部；第三步骤：反应离子刻蚀记忆层，并保留部分记忆层以防止记忆层被刻穿；第四步骤：氧化记忆层和硬掩模侧壁以获得被氧化的副产物沉积层和被氧化的部分记忆层，并进行退火修复；第五步骤：沉积一层电介质在硬掩模的周围，并覆盖被氧化的部分记忆层；第六步骤：以沉积在硬掩模周围的电介质为掩模，对被氧化的部分记忆层、势垒层、参考层和底电极进行离子束刻蚀；第七步骤：电介质填充未被刻蚀硬掩模周围的空隙，并采用化学机械抛光磨平直到未被氧化的硬掩模顶部
一种防止磁性随机存储器记忆参考短路制造方法

[发明专利]一种磁性随机存储器顶电极及其形成方法-CN201610497227.0有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性随机存储器顶电极的形成方法，包括如下步骤：步骤S1：提供表面抛光的包括底电极、第一电介质层、磁性隧道结单元、钽电极和第二电介质层的衬底；步骤S2：在所述衬底上依次形成顶电极连接孔刻蚀阻挡层和第三电介质层；步骤S3：刻蚀形成顶电极连接孔；步骤S4：在顶电极连接孔内壁和第三电介质表面形成扩散阻止层；步骤S5：采用钨、铝或者钌填充顶电极连接孔，并在顶电极连接孔和第三电介质之上形成顶电极导电层；步骤S6：图形化定义顶电极图案；步骤S7：对顶电极导电层进行刻蚀，直到相邻记忆单元之间的顶电极导电层被全部刻蚀掉并部分刻蚀第三电介质层；步骤S8：采用灰化工艺除去残留的有机物。
一种磁性随机存储器电极及其形成方法

[发明专利]用于在垂直STTM叠置体中改善稳定性的非晶籽晶层-CN201480081448.9有效
发明人： M·L·多齐;K·奥乌兹;B·S·多伊尔;C·C·郭;R·S·周;S·苏里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。
用于垂直 sttm 叠置体中改善稳定性籽晶

[发明专利]制造闪存器件的方法-CN200610172431.1无效
发明人：慎镕煜 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造闪存器件的方法，包括：制备具有有源区和无源区的衬底；在无源区上形成沟槽；在沟槽上形成器件隔离膜；在有源区上形成阱；在形成有阱的衬底表面上依次形成隧道氧化物膜、第一多晶硅层、层间电介质膜、第二多晶硅层以及氧化物膜；通过图案化第一多晶硅层、层间电介质膜、第二多晶硅层以及氧化物膜，在有源区上形成浮栅、电介质膜、控制栅以及保护膜。该方法还包括：在衬底的表面上形成光致抗蚀剂图案，以暴露出保护膜和无源区；及利用光致抗蚀剂图案，去除无源区上暴露的隧道氧化物膜和器件隔离膜。保护膜保护浮栅和控制栅在蚀刻步骤中不受损伤。
制造闪存器件方法

[发明专利]使用两个掩模的磁性隧道结元件的制造方法-CN200980112999.6有效
发明人：升·H·康;李霞;顾时群;马修·M·诺瓦克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种用于使用两个掩模形成用于磁性随机存取存储器(MRAM)的磁性隧道结(MTJ)的方法包括在含有暴露的第一互连金属化物(37)的层间电介质层(36)上沉积第一电极(30)、固定磁化层(32)、隧穿阻挡层在所述第一互连金属化物上通过第一掩模界定MTJ结构，所述MTJ结构包括所述隧道阻挡层、自由层及第二电极。第一钝化层(40)包封所述MTJ结构，使所述第二电极暴露。第二电介质钝化层(8)覆盖所述经蚀刻的多个层、所述第一层间电介质层及所述第一互连金属化物。
使用两个磁性隧道元件制造方法

[发明专利]一种无场翻转SOT-MRAM的制造方法-CN202310833178.3在审
发明人：孙慧岩;秦颖超;商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：提供一衬底，在衬底中制作多个导通孔；在衬底的上表面刻蚀导通孔，使导通孔侧壁倾斜；在衬底上沉积SOT层，并进行化学机械抛光；在SOT层上依次沉积自由层、氧化层和固定层，并刻蚀，自由层、氧化层和固定层形成磁隧道结；在多个磁隧道结之间以及多个磁隧道结之上沉积层间电介质层；在层间电介质层中沉积金属电极，得到SOT‑MRAM存储器。通过SOT块角度的设计实现无场翻转，易于制造，确保衬底层面的可加工性；避免了刻蚀过程中对于膜堆全刻蚀带来的损伤，同时MTJ的刻蚀窗口增加；降低了SOT的表面粗糙度，提高了磁隧道结效应。
一种翻转 sot mram 制造方法

[发明专利]具有灯丝导电路径的垂直磁性存储器-CN201580080347.4有效
发明人： B.S.多伊勒;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;D.L.肯克;E.V.卡尔波夫;C.C.郭;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周;N.穆克尔杰;P.马吉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，其包括：衬底上的第一和第二电极；第一和第二电极之间的垂直磁性隧道结（pMTJ），其包括固定层和自由层之间的电介质层；以及直接接触第一金属层和第二金属层的附加电介质层；其中（a）第一金属层包括活性金属
具有灯丝导电路径垂直磁性存储器

[发明专利]在3D NAND存储器结构和相关设备中的隧道氧化层形成的方法-CN201580010754.8有效
发明人： D.范;S.科卡;G.哈勒;J.霍普金斯;S.苏尔蒂;A.罕德卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：在一些实施例中，这样的结构可以包括布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料，布置在浮置栅极材料和控制栅极材料之间的多晶体间电介质（IPD）层，使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离，以及与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质材料。
nand 存储器结构相关设备中的隧道氧化形成方法

[发明专利]一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法-CN201810055457.0有效
发明人：肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法，磁性随机存储器记忆单元包括底电极通孔层、空间层、种子层、垂直磁参考层、隧道势垒层、磁记忆层、氧化物覆盖层、金属顶覆盖层、刻蚀阻挡层、硬掩模层。制造方法为：(1)沉积上述膜层；(2)图形化记忆单元，刻蚀硬掩模层并停止在刻蚀阻挡层上；(3)刻蚀余下膜层；(4)电介质保护层覆盖刻蚀后的磁性隧道结单元，填充电介质填充层并将表面磨平；(5)最后在磨平的磁性隧道结单元上形成顶电极通孔层
一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法