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[发明专利]陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备-CN201910170975.1有效
发明人：朴贤哲;郭灿;文庚奭;梁大珍;郑太远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：公开了陶瓷电介质及其制造方法和陶瓷电子组件及电子设备，所述陶瓷电介质包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的块状电介质、陶瓷纳米片、以及所述块状电介质和陶瓷纳米片的复合电介质，所述陶瓷电子组件包括所述陶瓷电介质
陶瓷电介质及其制造方法电子组件电子设备

[发明专利]电介质波导电缆-CN201880023428.4在审
发明人：弗洛里安·韦斯顿基什内尔;雷蒙·克拉芬贝格尔;雷纳·比普斯;冈纳·阿姆布莱希特 -专利权人：罗森伯格高频技术有限及两合公司
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明涉及电介质波导电缆(10)，特别适用于汽车领域。所述电介质波导电缆(10)具有第一电介质(12)和第二电介质(14)，其中，在所述第一电介质(12)和所述第二电介质(14)之间形成有隔离层(16，18)。
电介质电介质波导电缆汽车领域隔离层

[发明专利]一种非周期光子晶体与石墨烯的复合结构-CN202110519841.3在审
发明人：倪浩 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括一个石墨烯层和两个对称分布在石墨烯层两侧的复合组件，复合组件包括多个第一电介质层和第二电介质层，复合组件由外至内的排布规律为：第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层。
一种周期光子晶体石墨复合结构

[发明专利]强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器-CN200410084106.0有效
发明人：木岛健 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-10-15 - 公布日： 2005-04-20 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优良结晶品质的强电介质膜的制造方法，及根据此制造方法获得的强电介质膜。本发明的强电介质膜的制造方法包括：形成强电介质初始核层(54)的步骤，其利用第一强电介质原料的溶液，通过水热电极沉积法沉积在电极；使第二强电介质原料的粒子带电的步骤；形成强电介质材料膜(50)的步骤，其通过移动电极沉积法使带电的第二强电介质原料的粒子沉积在所述强电介质初始核层(54)上；对所述强电介质材料膜(50)进行热处理的步骤。
电介质制造方法电容器存储器

[实用新型]一种非周期光子晶体与石墨烯的复合结构-CN202121016007.4有效
发明人：倪浩 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：包括一个石墨烯层和两个对称分布在石墨烯层两侧的复合组件，复合组件包括多个第一电介质层和第二电介质层，复合组件由外至内的排布规律为：第一电介质层、第二电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层。
一种周期光子晶体石墨复合结构

[发明专利]电介质波导电缆-CN201780046147.6在审
发明人：迈克尔·沃利特策;贡纳·阿姆布雷希特;赖纳·比普斯;雷蒙德·克拉芬伯格 -专利权人：罗森伯格高频技术有限及两合公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明涉及电介质波导电缆，特别是用于汽车领域，用于传输千兆赫的范围内的电磁波，包括第一电介质并包括第二电介质，第二电介质中含有空气；其中将第一电介质设计用于传输电磁波，并且第一电介质具有第一介电常数；其中第二电介质至少部分地包裹第一电介质，将第二电介质设计用于在空间上限制电磁波，并且第二电介质具有低于第一介电常数的第二介电常数。
电介质介电常数电介质波导电磁波电缆传输电磁波传输汽车领域上限制

[实用新型]可钢化双银镀膜玻璃-CN202123024541.2有效
发明人：刘源;刘自乾;潘杰 -专利权人：湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可钢化双银镀膜玻璃，包括基板和镀膜层，镀膜层包括依次形成于基板一侧的第一复合层、第二复合层和电介质层；第一复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、第一银基功能层、第一阻挡保护层和第一电介质结合层，第一电介质组合层与基板连接；第二复合层包括依次层叠设置的第三电介质层、第四电介质层、第二银基功能层、第二阻挡保护层和第二电介质结合层，第三电介质层与第一电介质结合层连接；电介质层与第二电介质结合层连接；第一电介质层的厚度为25nm至35nm，第三电介质层的厚度为50nm至65nm。
可钢化双银镀膜玻璃

[发明专利]制造闪存设备的方法-CN200610115637.0无效
发明人：金南经;崔殷硕;吴尚炫 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-07-04 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：根据一实施方式，制造闪存设备的方法包括步骤：在具有隔离结构的半导体基底上沉积隧道氧化层，在该隧道氧化层上沉积用于浮动栅极的导电层，在用于浮动栅极的该导电层之间形成氧化层，在用于浮动栅极的该导电层中形成凹槽图形，以及分别沉积电介质层和用于控制栅极的导电层。
制造闪存设备方法

[发明专利]薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备-CN202011140791.X在审
发明人：梁时元;崔栽荣;贺晓彬;李亭亭;杨涛;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
薄层电容结构制造方法电子设备

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN201710325964.7有效
发明人：陈春晖;熊涛;罗啸;刘钊;许毅胜;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上制备多条栅极线和多个选择管；在栅极线和选择管上远离衬底的一侧制备夹层电介质层，在单元阵列区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第一类夹层电介质层图形，在周边逻辑区域，夹层电介质层远离衬底的一侧形成多个第二类夹层电介质层图形，对多个第一类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第三类夹层电介质层图形，对多个第二类夹层电介质层图形进行图案化制程，形成多个第四类夹层电介质层图形，对夹层电介质层进行平坦化制程。综上，位于栅极线上的夹层电介质层的高度与位于选择管上的夹层电介质层的高度相同或者相近，夹层电介质层较平坦。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种双腔多滤波峰带通滤波器-CN201310098461.2无效
发明人：陈麟;朱亦鸣;徐嘉明;高春梅 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：一种双腔多滤波峰带通滤波器，包括：两个电介质组；一个位移台，包括水平位移台和竖直位移台；以及一个样品架。一层电介质层L和一层电介质层H排列组成一个LH电介质对a，电解质组包含复数个LH电介质对a以及一层缺陷层D，LH电介质对a依次排列，缺陷层D与最外面的电介质层H相邻排列，缺陷层D的折射率与电介质层L的折射率一致，缺陷层D的厚度为一层电介质层L的2倍，电介质层L和电介质层H的折射率不同，两个电介质组中的两个缺陷层D对向设置，中间间隔一定的空气层间隙G，两个电介质组固定在水平位移台上，水平位移台用于调节空气层间隙
一种双腔多滤波带通滤波器

[发明专利]微电子器件和制造微电子器件的方法-CN200610149505.X无效
发明人： R·斯托默;M·斯特拉塞 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2006-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该晶体管包括衬底中的沟道区、沟道区中的凹槽、第一电介质层和第二电介质层。第一电介质层包括第一电介质材料并沉积在凹槽的底部。第二电介质层包括第二电介质材料并沉积在凹槽的侧壁上。第一电介质材料的介电常数高于第二电介质材料的介电常数。栅电极位于凹槽中并通过第一和第二电介质层与沟道区电绝缘。
微电子器件制造方法

[发明专利]诱导透射滤光器-CN202110203454.9在审
发明人： G.J.奥肯富斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一组层可以包括一组电介质材料中的第一电介质材料和一组电介质材料中的第二电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第二组层。第二组层可以包括一组电介质材料中的第三电介质材料和一组电介质材料中的第四电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第三组层。第三组层可以包括一组电介质材料中的第五电介质材料、一组电介质材料中的第六电介质材料和金属材料的交替层。第三组层可以设置在第一组层和第二组层之间。
诱导透射滤光

[发明专利]制造软件控制的天线的方法-CN201780020915.0有效
发明人： D·D·哈兹扎 -专利权人：韦弗有限责任公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01Q3/26 文献下载
摘要：通过以下步骤来制造天线：使第一电介质条带穿过金属化台，并且在第一电介质条带的顶表面上形成多个辐射贴片并在第一电介质条带的底表面上形成多条延迟线；使第二电介质条带穿过金属化台，并且在第二电介质条带的顶表面上形成公共接地并在第二电介质条带的底表面上形成多条馈电线；使第一电介质条带和第二电介质条带穿过对准材料沉积台，并且沉积对准层；沉积间隔件；在第二电介质条带的顶表面上方或第一电介质条带的底表面上方沉积液晶材料；将第一电介质条带和第二电介质条带粘附在一起以形成多层条带
制造软件控制天线方法

[发明专利]电介质共振器、电介质滤波器以及无线通信设备-CN200410092708.0有效
发明人：吉川博道;中山明 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01P7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质共振器、电介质滤波器，以及使用该电介质滤波器的无线通信设备。在电介质基板(1)的两面上配置上部电极(4a)、下部电极(4b)，且在其内部的内部金属导电层(2)上形成共振开口部(3)，从而制作电介质共振器。排列多级该电介质共振器，由通孔导体列(5)构成的叠层型波导管(6)进行信号的输入输出，从而制作电介质滤波器。该电介质滤波器可以大大提高共振频率、简化制造工序，且实现低成本的设计精度，简化制造工序。由此，本发明能够提供一种能大大提高共振频率的设计精度的电介质共振器、电介质滤波器，以及电介质滤波器以及使用该电介质滤波器的无线通信设备。
电介质共振器滤波器以及无线通信设备

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