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[发明专利]电介质滤波器、发送接收双工器和通信机-CN99104861.X无效
发明人：園田富哉;平塚敏朗;金川潔 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1999-04-06 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明揭示一种电介质滤波器、发送接收双工器和通信机。用整体形成支承以非电极形成部(4a、4b、4c)为电介质谐振器部的电介质板(3)的下面的支承部和包围电介质板(3)外侧的侧壁部的外框(15)，将外框(15)连接在形成微带线的基板(6)上，将电介质板(3)安装在外框(15)的支承部上，将盖板(8)覆盖在外框(15)的开口部上，构成电介质滤波器。这种结构能抑制支承电介质板的外框的翘曲，抑制施加在电介质板上的应力，防止电介质板对于外框产生剥离和裂纹。
电介质滤波器发送接收双工器通信

[实用新型]超声波主轴的导电连接头-CN201921697746.7有效
发明人：颜炳姜;蔡丹;邝金田 -专利权人：汇专机床有限公司;汇专科技集团股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超声波主轴的导电连接头，包括导电套、第一导电介质及第二导电介质，由于第一导电介质设置于导电套的后端且与导电套电连接，第二导电介质一端插设于导电套的后端，且与第一导电介质间隔绝缘设置，因此第一导电介质与第二导电介质均无需嵌入在导电套的周壁内部第一导电介质用于与电导头的第一导电体电连接，第二导电介质用于点到头的第二导电体电连接。
超声波主轴导电接头

[发明专利]电介质天线-CN201180007122.8有效
发明人：河西雅纪 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质天线，其具备具有耐热性、射出成型时的脱模性良好且不易产生拉丝的、含有有机高分子材料的电介质块。电介质天线（1）所具备的电介质块（2）由含有液晶聚合物和聚四氟乙烯的有机高分子材料构成。其中，相对于电介质块（2）的体积，聚四氟乙烯的添加量为2～15体积%。另外，电介质块（2）可以进一步含有电介质无机填料，此时，相对于电介质块（2）的体积，电介质无机填料的添加量为45体积%以下。
电介质天线

[发明专利]具有对称固定层的垂直磁性存储器-CN201580080402.X有效
发明人： C.C.郭;J.S.布罗克曼;J.G.阿尔扎特维纳斯科;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;B.S.多伊勒;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，包括：衬底；衬底上的垂直磁性隧道结（pMTJ），包括第一固定层、第二固定层、和第一与第二固定层之间的自由层；第一固定层与自由层之间的第一电介质层；以及第二固定层与自由层之间的第二层。
具有对称固定垂直磁性存储器

[发明专利]使用可光成像电介质、堆积膜和电解电镀的零错位双通孔结构-CN201780095308.0在审
发明人： A.阿列克索夫;V.斯特隆;B.劳林斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：器件封装包括导电焊盘上的电介质，以及导电焊盘的顶表面上的第一籽晶上的第一通孔。器件封装进一步包括电介质上的导电迹线，以及电介质上的第二籽晶层上的第二通孔。电介质可以包括可光成像电介质或堆积膜。器件封装还可以包括在电介质上的导电迹线之前在电介质上的籽晶，以及在电介质、导电迹线以及第一和第二通孔上的第二电介质，其中第二电介质暴露第二通孔的顶表面。
使用成像电介质堆积电解电镀错位双通孔结构

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202110478868.2在审
发明人：周沛瑜;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在半导体鳍上形成虚设栅极堆叠，在虚设栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件，形成第一层间电介质，其中，栅极间隔件和虚设栅极堆叠位于第一层间电介质中，去除虚设栅极堆叠以在栅极间隔件之间形成沟槽，在沟槽中形成替换栅极堆叠，以及沉积电介质帽盖层。电介质帽盖层的底表面接触替换栅极堆叠的第一顶表面和第一层间电介质的第二顶表面。在电介质帽盖层之上沉积第二层间电介质。形成延伸到第二层间电介质、电介质帽盖层和第一层间电介质中的源极/漏极接触插塞。
制造半导体器件方法

[发明专利]直流偏置电压对电介质累积效应影响的评估方法及系统-CN202211013925.0在审
发明人：张晨萌;汪康康;李富祥;谢施君;周慧莹;周彦佩;夏亚龙;罗东辉 -专利权人：国网四川省电力公司电力科学研究院
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了直流偏置电压对电介质累积效应影响的评估方法及系统，搭建电介质直流叠加冲击试验电路模型；获取绝缘电介质对应电气设备运行所受到的最大直流偏置电压与最小直流偏置电压；将最小直流偏置电压作用于绝缘电介质上，并通过模型对所述绝缘电介质进行叠加冲击电压试验，获得在该直流偏置电压下的电介质累积效应U‑N特性曲线；以ΔUdc为步长增加直流偏置电压，获得在不同偏置电压下电介质累积效应的U‑N特性曲线；将在不同偏置电压下的电介质累积效应获得的U‑N特性曲线进行拟合分析，获得偏置电压对电介质累积效应的评估标准；本发明的有益效果为增加了在直流电压下，对绝缘电介质累积效应评估结果的准确性。
直流偏置电压电介质累积效应影响评估方法系统

[发明专利]柔性纳米复合电介质混合液及柔性纳米复合电介质和应用-CN202211546528.X在审
发明人：胡海龙;张帆;侯红帅;岳建岭;罗世彬;张斗 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01G4/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性纳米复合电介质混合液及柔性纳米复合电介质和应用，本发明的柔性纳米复合电介质混合液包括以总量计的7～30wt％铁电材料、0.5～1.2wt％碳量子点、4～10wt％聚合物基体和55％～88wt％有机溶剂，在室温下，将所述柔性纳米复合电介质混合液旋涂于柔性衬底上，干燥得到本发明的柔性纳米复合电介质。本发明的柔性纳米复合电介质的制备方法基于阈值理论，在制备柔性纳米复合电介质所采用的柔性纳米复合电介质混合液中新加入了少量导电的碳量子点，极大地提高了柔性纳米复合电介质的相对介电常数，并通过磁力机械搅拌工艺与旋涂工艺相结合的制备工艺实现了大规模的复合电介质薄膜的制备
柔性纳米复合电介质混合液应用

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610516625.2有效
发明人：张城龙;郑二虎;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括源区、有源区上的至少一个栅极结构，栅极结构包括栅极电介质层、栅极部分、硬掩模；形成第一电介质层以覆盖栅极结构及其相邻的有源区表面，硬掩模与其上的第一电介质层部分构成掩模部件；在第一电介质层上形成第二电介质层；进行凹陷处理，以使得余下的第二电介质层的上表面与余下的掩模部件的上表面的顶部齐平，并且余下的掩模部件的上表面具有中部下陷的第一凹陷；形成第三电介质层；和相对于第一电介质层和余下的掩模部件选择性地对第三电介质层和第二电介质层进行刻蚀
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造声波装置的方法和声波装置-CN201710499132.7有效
发明人：中村健太郎;松仓史弥;高桥直树;松田隆志;宫下勉 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。
制造声波装置方法

[发明专利]半导体工艺的方法及半导体结构-CN201910599513.1有效
发明人：陈世强;李俊鸿;陈嘉仁;林泓纬;毛隆凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一般地，本公开提供了与调整电介质材料的刻蚀速率有关的示例。在实施例中，在衬底中的第一和第二沟槽中共形地沉积第一电介质材料。第一沟槽中的第一电介质材料的合并横向生长前沿在第一沟槽中形成接缝。处理电介质材料。处理使得物质分别在第一和第二沟槽中的电介质材料的第一和第二上表面上、在接缝中，并扩散到第一和第二沟槽中的相应电介质材料中。在处理之后，刻蚀相应的电介质材料。在刻蚀期间，第二沟槽中的电介质材料的刻蚀速率与第一沟槽中的电介质材料的刻蚀速率的比率通过电介质材料中的物质的存在而被改变。
半导体工艺方法结构

[发明专利]用于显示器应用的层堆叠-CN201880072510.6有效
发明人：芮祥新;崔寿永;栗田真一;翟羽佳;赵来 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般地涉及包含高介电常数电介质层的层堆叠，所述层堆叠形成于第一电介质层与金属电极上方。高介电常数电介质层具有20或更高的介电常数值且可形成为电子装置中的电容器、栅极绝缘层或任意合适的绝缘层的一部分，电子装置例如显示器装置。层堆叠包含设置于第一电介质层与金属层上的第二电介质层，和设置于第二电介质层上的高介电常数电介质层。第二电介质层提供均质表面，高介电常数电介质层形成于均质表面上。均质表面使高介电常数电介质材料得以均匀地沉积于其上，这样产生均匀的厚度分布。
用于显示器应用堆叠

[发明专利]叠层陶瓷电容器及其制造方法-CN200410006694.6无效
发明人：杉本幸史郎;外山修;石岭浩二;古本裕一;前田学 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2004-02-25 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种陶瓷叠层电容器，使外部防护电介质层(3)中的主结晶相(11)的平均粒径(D2)大于电介质陶瓷层(7)中的主结晶相(11)的平均粒径(D1)，并且，外部防护电介质层(3)中的2次相量(M2)比电介质陶瓷层(7)中的2次相量(M1)大，或相对于外部防护电介质层(3)中的主结晶相(11)的2次相(16)的体积分率，小于相对于电介质陶瓷层(7)的主结晶相(11)的2次相(16)的体积分率。由此，在薄层、高叠层化的叠层陶瓷电容器中，既使进行所用电介质粉末的微粒化，也能够抑制烧结收缩差造成的外部防护电介质层和有效电介质部之间或有效电介质部之间的脱层。
陶瓷电容器及其制造方法

[发明专利]电介质阻挡放电灯点亮装置-CN200780030849.1无效
发明人：小南智;桥本谷磨志 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H05B41/24 文献下载
摘要：电介质阻挡放电灯点亮装置，具备在一端配置内部电极(2)的多个电介质阻挡放电灯(1)、外部电极(3)、向内部电极(2)和外部电极(3)之间外加电压使电介质阻挡放电灯(1)发光的点亮电路(4a、4b)。多个电介质阻挡放电灯(1)，被平行地配置。进而，多个电介质阻挡放电灯(1)被使它们的内部电极的位置在邻接的电介质阻挡放电灯之间成为不同的一侧，每隔一个电介质阻挡放电灯则成为相同的一侧地配置。点亮电路(4a、4b)，在外加给邻接的电介质阻挡放电灯的高频电压之间设置相位差，给各电介质阻挡放电灯外加高频电压后，使电介质阻挡放电灯发光。
电介质阻挡电灯点亮装置

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202180054257.3在审
发明人：上岛孝纪;北岛宏通 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：高频模块(1A)具备模块基板(91)、配置在模块基板(91)的内部的第1电路部件以及第2电路部件、和被设定为接地电位的金属屏蔽板(80)，模块基板(91)具有包含第1电介质材料的电介质部(71)、和包含相对介电常数与第1电介质材料不同的第2电介质材料且形成在电介质部(71)的内部的电介质部(70)，金属屏蔽板(80)配置于第1电路部件与第2电路部件之间的电介质部(70)。
高频模块以及通信装置