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[发明专利]低杂散场磁性存储器-CN201580080326.2有效
发明人： B.S.多伊勒;K.奥古茨;K.P.奥布里恩;D.L.肯克;C.C.郭;M.L.多茨;S.苏里;R.S.周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：实施例包括一种装置，该装置包括：衬底；在衬底上的磁性隧道结（MTJ），该磁性隧道结包括固定层、自由层以及固定层和自由层之间的电介质层；以及第一合成反铁磁（SAF）层、第二SAF层以及在第一SAF层和第二
散场磁性存储器

[发明专利]一种基于虚拟仪器的脉搏信号采集系统的传感器芯片-CN201010269858.X无效
发明人：刘发荣;潘观根 -专利权人：杭州天诚药业有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： A61B5/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于虚拟仪器的脉搏信号采集系统的传感器芯片，包括MOSFET器件栅，MOSFET器件栅内设有电介质，MOSFET器件栅下设有氮化硅薄膜，氮化硅薄膜下设有沟道，沟道两侧一边为漏极，另一边为源极，电介质中设有传感器电容，所述漏极和源极分别为P型掺杂和N型掺杂，沟道与源极内侧之间设有隧道结。本发明有益的效果是：应用量子隧穿效应，使传感器漏极输出电流增力100倍，并克服了容件的短沟道效应，避免了使用高K介质材料。
一种基于虚拟仪器脉搏信号采集系统传感器芯片

[发明专利]包括场效应晶体管（FET）的半导体结构及其方法-CN201310134217.7有效
发明人： H·杰加纳森;P·C·杰米森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：分层的栅极电介质叠层包括包含第一高介电常数（高k）电介质材料的第一高k栅极电介质、包含具有与第一高k电介质材料不同的带隙的电介质材料的带隙干扰电介质以及包含第二高k电介质材料的第二高k栅极电介质。带隙干扰电介质包括电介质材料的至少一个连续原子层。因此分层的栅极电介质叠层包括第一高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第一原子界面，以及通过带隙干扰电介质的电介质材料的至少一个连续原子层与第一原子界面分隔的第二高k栅极电介质和带隙干扰电介质之间的第二原子界面带隙干扰电介质的插入导致更低的栅极泄露，而不会导致阈值电压特性和有效氧化物厚度的任何显著变化。
包括场效应晶体管 fet 半导体结构及其方法

[发明专利]一种磁性隧道结双层侧墙及其形成方法-CN201610444408.7有效
发明人：张云森 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结双层侧墙及其形成方法，第一层侧墙是氮化硅，第二层侧墙是氧化铝或者氮化铝，形成方法包括如下步骤：S1.提供包括底电极、MTJ结构单元和钽顶电极的衬底；S2.在衬底上依次沉积氮化硅膜层和氧化硅膜层；S3.沉积一层有机物膜层；S4.对有机物膜层、氧化硅膜层和氮化硅膜层进行两步刻蚀，以留下侧壁的氮化硅膜层；S5.沉积一层氧化铝或者氮化铝，形成双层侧墙膜层；S6.填充电介质在剩余的间隙里；S7.磨平电介质直至钽顶电极；S8.在磨平的电介质之上再沉积两层电介质，刻蚀形成顶电极连接孔；S9.在钽顶电极内形成扩散终止层，铜或者钨填充顶电极连接孔，磨平填充物以形成顶电极连接通道。
一种磁性隧道双层及其形成方法

[实用新型]一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置-CN201821571984.9有效
发明人：赵鹏 -专利权人：杨凌美畅新材料股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及金刚石线锯生产线电介质回收用装置技术领域，且公开了一种金刚石线锯生产线电介质回收用装置，包括电介质储液箱和电介质过渡槽，所述电介质储液箱通过导电介质回流管与电介质过渡槽连通，所述电介质储液箱的左侧连通有连通管本实用新型解决了现有的金刚石线生产加工中易出现电介质液回收不彻底和内部遗留残渣造成浪费的问题，本实用新型通过设置有电介质储液箱和电介质过渡槽，并且设置有导电介质回流管和导电介质循环磁力泵能够将回流的电介质进行循环使用，能够增加电介质的使用效率，导电介质流量调节阀能够调节流量，当母线传送较快时，能够调节介质流量调节阀增大流通的流量，满足加工的需要。
电介质导电介质储液箱本实用新型金刚石线锯过渡槽回收回流管连通装置技术领域流量调节阀循环磁力泵电介质液介质流量金刚石线生产加工使用效率连通管母线传送遗留流通加工

[发明专利]异质电介质键合方案-CN202210116113.2在审
发明人：余振华;邱文智;杨固峰;钟明慈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
电介质方案

[发明专利]电介质电极组合件及其制造方法-CN201780027057.2有效
发明人：迈克尔·W·默里 -专利权人：奥罗玛技术有限责任公司D/B/A大通激光公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01S3/038 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质电极组合件及其制造方法(600)，其包含：电介质管(226)，其具有圆柱形横截面及相对电介质常数ε2，所述电介质管(226)填充有具有相对电介质常数ε1的气体；结构电介质(225)，且具有相对电介质常数ε3且围绕所述电介质管(226)；金属电极(224)，其位于所述结构电介质(225)的对置侧上，所述金属电极(224)具有扁平横截面几何形状；且所述结构电介质(225)由选定材料制成，使得所述结构电介质(225)、所述电介质管(226)及所述气体的所述相对电介质常数相关，且当电力经施加到所述金属电极(224)时在所述电介质管(226)内生成均匀电场。
电介质电极组合及其制造方法

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN200510052152.7有效
发明人：伊福俊博;松田坚义;青木活水;武田宪一;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
电介质元件压电喷墨记录装置

[发明专利]弯曲可靠性得到改善的柔性电路板以及其制造方法-CN201980076652.4在审
发明人：金相弼;金炳悦;金益洙;郑熙锡 -专利权人：吉佳蓝科技股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及弯曲可靠性得到改善的柔性电路板的制造方法，包括：第一电介质，沿着水平方向长长地形成；第二电介质，位于所述第一电介质的上方；第三电介质，与所述第二电介质在水平方向隔开而位于所述第一电介质的上方；第一覆盖层，位于所述第一电介质的上方，并且覆盖所述第二电介质和所述第三电介质之间的所述第一电介质上方；第一焊接片，位于所述第一电介质和所述第二电介质之间，并覆盖所述第一覆盖层的一端的上方；以及第二焊接片，位于所述第一电介质和所述第三电介质之间，并覆盖所述第一覆盖层的另一端的上方，所述第一覆盖层的一端延伸而介于所述第一电介质和所述第二电介质之间，所述第一覆盖层的另一端延伸而介于所述第一电介质和所述第三电介质之间
弯曲可靠性得到改善柔性电路板及其制造方法

[发明专利]膜电容器-CN201510701262.5在审
发明人：长谷康平;济藤孝博 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：在金属化膜的每一者中，在电介质膜的表面上形成金属电极。电介质膜包括高电介质层和低电介质层，高电介质层具有相对高的高电介质填料含量，低电介质层具有相对低的高电介质填料含量或者不包含高电介质填料。低电介质层被设置在以下位置的至少一者上：即，位于高电介质层与金属电极之间的位置，以及位于高电介质层的与金属电极相反的一侧的位置。
电容器

[发明专利]一种图厄-摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构-CN202110518851.5在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种图厄‑摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构，属于全光通信系统技术领域。包括两个对称分布的复合组件，复合组件包括一个石墨烯层、若干第一电介质层和若干第二电介质层，复合组件中的石墨烯层、第一电介质层和第二电介质层三者的排布规律为：由外侧向内依次为第一电介质层、第二电介质层、石墨烯层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层和第二电介质层。
一种摩尔序列多层电介质石墨复合结构

[发明专利]具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法-CN200510092232.5无效
发明人：郑镛国;元皙俊;权大振;宋珉宇;金元洪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。
具有混合电介质半导体集成电路器件及其制造方法

[发明专利]电介质单元的制造方法-CN97102882.6无效
发明人：岸下浩幸;上田幸憲 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1997-02-25 - 公布日： 2002-01-02 - 主分类号： H01G5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种由大型电介质基片同时制造多个电介质单元的方法，该电介质单元品质优良，大批量生产性能也优良。该方法包括准备板状电介质基片的工序、研磨电介质基片至少一个主面的工序、在电介质基片另一主面上形成多个电极的工序、分割电介质基片为具有电极的电介质单元从而得到电介质单元的工序。$#!
电介质单元制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料
半导体器件

[实用新型]一种图厄-摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构-CN202121019974.6有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种图厄‑摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构，属于全光通信系统技术领域。包括两个对称分布的复合组件，复合组件包括一个石墨烯层、若干第一电介质层和若干第二电介质层，复合组件中的石墨烯层、第一电介质层和第二电介质层三者的排布规律为：由外侧向内依次为第一电介质层、第二电介质层、石墨烯层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层和第二电介质层。
一种摩尔序列多层电介质石墨复合结构