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[发明专利]一种超构表面光学透镜和成像装置-CN202011240953.7在审
发明人：胡跃强;张建;段辉高;李苓;宋强;马国斌;徐晓波 -专利权人：湖南大学;深圳珑璟光电科技有限公司;湖南大学深圳研究院
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种超构表面光学透镜，包括介质衬底和设置于介质衬底的电介质纳米结构，其中，电介质纳米结构包括至少两个呈圆形排列的电介质纳米结构阵列，电介质纳米结构阵列包括至少一个电介质纳米柱，同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱的结构一致、同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱的长轴尺寸和短轴一致、同一所述电介质纳米结构阵列中的电介质纳米柱在介质衬底表面的面内角度一致。
一种表面光学透镜成像装置

[发明专利]陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法-CN201110084040.5有效
发明人：樱井俊雄;小更恒;岚友宏;中野贵弘;宫内泰治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：一种陶瓷电子部件，其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd2O3和TiO2的层，所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层，和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层
陶瓷电子部件制造方法

[发明专利]多层电介质聚合物材料、电容器、材料用途及其形成方法-CN201380081333.5有效
发明人：漆乐俊;李南;孟德伦;萨里·莱霍宁;弗朗索瓦·德林塞 -专利权人： ABB电网瑞士股份公司
申请日： 2013-12-03 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层电介质聚合物材料、包括该多层电介质聚合物材料的电容器、该多层电介质聚合物材料的用途和用于形成该多层电介质聚合物材料的方法。该多层电介质聚合物材料(100)可以包括多个电介质层(101、102、103)，其中所述多个电介质层可以包括相同基础材料。可以将该基础材料与成核剂混合以用于所述多个电介质层中的至少一层。该电介质聚合物材料可以具有增加的介电强度并可提供优良的热性能。
多层电介质聚合物材料电容器用途及其形成方法

[发明专利]电子部件-CN200610084042.3有效
发明人：梅田裕二;上田智子;藤川佳则;佐藤阳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：多层陶瓷电容器1，其具有以钛酸钡或钛酸钡钙为主成分的电介质层2。在电介质层是钛酸钡的情况下，在形成电介质层2的多个电介质粒子20中，相邻的电介质粒子20间存在的晶粒界面22的厚度为1nm或以下的粒子比例为全部的30％－95％。在电介质层2是钛酸钡钙的情况下，在形成电介质层2的多个电介质粒子20中，相邻的电介质粒子20间存在的晶粒界面22的厚度为1nm或以下的粒子比例为全部的20％－70％。
电子部件

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和记录装置以及制造方法-CN200510052153.1有效
发明人：松田坚义;伊福俊博;福井哲朗;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供一种依次设置了基板、下部电极层、电介质层和上部电极层的电介质元件，其特征在于：所述电介质层具有主成分为氧化物且位于上述下部电极层一侧的第一电介质层和主成分为氧化物且位于上述上部电极层一侧的第二电介质层，所述第二电介质层比所述第一电介质层厚，在所述第一电介质层的25℃的相对介电常数为ε1、所述第二电介质层的25℃的相对介电常数为ε2时，满足下述的式(1)ε1/ε2≥0.9 ……(1)。
电介质元件压电喷墨记录装置以及制造方法

[发明专利]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202110516813.6在审
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅

[发明专利]一种基于石墨烯的混杂等离子波导-CN201911309163.7在审
发明人：贺雪晴;周夏飞;宁提纲;裴丽;郑晶晶;李晶 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于石墨烯的混杂波导结构，包括：上半波导结构和下半波导结构；所述下半波导结构包括位于下层的低折射率电介质110和平铺在所述下层低折射率电介质的石墨烯120；所述上半波导结构包括位于石墨烯之上的低折射率电介质110和位于所述低折射率电介质110之上的高折射率电介质130；所述低折射率电介质110的宽度和高折射率电介质130的宽度均小于30μm；所述低折射率电介质110和高折射率电介质130的交界面处设置有向下凹陷的凹槽，凹槽内为高折射率电介质130；所述低折射率电介质110为高密度聚乙烯(HDPE)，所述高折射率材料130为砷化镓(GaAs)。
一种基于石墨混杂等离子波导

[发明专利]电介质波导线路-CN202180014253.2在审
发明人：吉本洋之;德平胜贞;山中拓 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：提供一种能够降低电磁波的穿透的电介质波导线路。本公开涉及一种电介质波导线路，其具备中心电介质A1、设于中心电介质A1的周围的电介质层A2、以及设于电介质层A2的周围的电介质层A3，其中，中心电介质A1包含聚四氟乙烯，将中心电介质A1、电介质层A2和电介质层
电介质波导线路

[发明专利]一种仿生微结构柔性压力传感器及其制备方法、应用设备-CN202310209550.3在审
发明人：陆龙生;赵异荷;谢颖熙;王文涛;李泽泓 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生微结构柔性压力传感器及其制备方法、应用设备，其中，仿生微结构柔性压力传感器，包括电极层，电极层包括上下平行分布的上电极层和下电极层；电介质层，电介质层设置于上电极层和下电极层之间，电介质层包括上下分布的上电介质层和下电介质层，上电介质层和下电介质层两者的相对面均具有棘状仿生微结构阵列，棘状仿生微结构阵列包括阵列排布的多个棘状凸起，棘状凸起的顶面为曲面，上电介质层的棘状凸起与下电介质层的棘状凸起互锁，形成双层互锁棘状仿生微结构；以及薄膜层，薄膜层设置在上电介质层和下电介质层之间。
一种仿生微结构柔性压力传感器及其制备方法应用设备

[发明专利]具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法-CN202310292622.5在审
发明人：庄曜滕;林揆伦;赖德洋;李达元;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了具有掺杂栅极电介质层的半导体器件及其形成方法。在实施例中，提供了包括第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层的半导体器件，其中第一掺杂栅极电介质层和第二掺杂栅极电介质层包括掺杂有偶极掺杂剂的高k材料。第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度大于第二掺杂栅极电介质层的偶极掺杂剂的第二浓度，第一掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值比第二掺杂栅极电介质层中的偶极掺杂剂的浓度峰值深。第一栅极电极在第一掺杂栅极电介质层之上，与第一栅极电极相同宽度的第二栅极电极在第二掺杂栅极电介质层之上。
具有掺杂栅极电介质半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于防止无用放电的电极结构的大气压等离子体发生装置-CN200610121350.9有效
发明人：表宰确;张凤哲;金允焕;金在元;李相老 -专利权人： SE等离子体公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01T23/00 文献下载
摘要：提供一种用于防止无用放电的电极结构的大气压等离子体发生装置，更详细地说，是提供一种在电极与电介质之间隔着间隔、并在第1电极与电介质之间填充液体电介质，从而防止无用放电的发生的大气压等离子体电极结构。该大气压等离子体发生装置包括：第1电极，从电源供给单元被施加放电电压；电介质，与所述第1电极隔着规定间隔，并包围所述第1电极；液体电介质，被填充在所述第1电极与所述电介质之间的空间中；第2电极，被设置成与所述电介质隔着规定间隔另外，还包括：第2电介质，与所述第2电极隔着规定间隔，并包围第2电介质；第2液体电介质，被填充在所述第2电极与所述第2电介质之间的空间中。
用于防止无用放电电极结构大气压等离子体发生装置

[发明专利]电容器结构及包括其的半导体器件-CN201810908334.7有效
发明人：金宰佑;金喆基;金澈完;朴有庆;崔吉铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该电容器结构包括：包括电极垫和地垫的衬底；在衬底上的多个电介质层，多个电介质层在衬底上处于不同的水平；在多个电介质层中的至少两个电介质层中的多个导电图案层，多个电介质层中的所述至少两个电介质层是第一电介质层；将多个导电图案层彼此连接的多个通路插塞；以及在多个电介质层中的至少一个第二电介质层中的至少一个接触层，至少一个第二电介质层不同于至少两个第一电介质层，并且所述至少一个接触层将多个导电图案层电连接到电极垫和地垫
电容器结构包括半导体器件

[实用新型]半导体衬底结构、半导体封装-CN201520250903.5有效
发明人：陈天赐;陈光雄;王圣民;李育颖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：所述半导体衬底结构包含导电结构和电介质结构。所述导电结构具有第一导电表面和与所述第一导电表面相对的第二导电表面。所述电介质结构遮盖所述导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与所述第一电介质表面相对的第二电介质表面。所述第一导电表面并非从所述第一电介质表面突出，且所述第二导电表面从所述第二电介质表面凹进。所述电介质结构包含光敏树脂或由其形成，且所述电介质结构界定在所述第二电介质表面中的电介质开口以暴露所述第二导电表面的一部分。
半导体衬底结构封装

[实用新型]电容器和系统-CN201821582633.8有效
发明人： D·G·帕蒂;G·瓦尔沃;D·圣菲利波 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：在一个实施例中，电容器包括衬底、衬底上的第一电极、第二电极和第一电介质层。第一电极的一部分暴露在接触区域中。第一电介质层包括第一电介质区域和第二电介质区域，第一电介质区域在第一电极和第二电极之间，第二电介质区域在第一电介质区域和接触区域之间。第二电介质区域与第一电介质区域相邻，并且第二电介质区域的表面限定第一电极和接触区域之间的表面路径。第二电介质区域具有多个沟槽，多个沟槽增加上述表面路径的空间延伸。
电介质区域电容器第一电极接触区域表面路径第二电极电介质层衬底表面限定空间延伸内容提供暴露

[实用新型]一种基于石墨烯阵列的分布反馈啁啾光栅-CN202121019975.0有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：包括一个缺陷层两个对称分布在缺陷层两侧的啁啾光栅，所述啁啾光栅包括一个第一电介质层和若干个第二电介质层，各第二电介质层位于第一电介质层与缺陷层之间；由第一电介质层至缺陷层，各第二电介质层的厚度逐渐增大，且相邻第二电介质层的厚度差为一等量常数；相邻第二电介质层之间、第一电介质层和与之临近的第二电介质层之间、缺陷层和与之临近的第二电介质层之间均具有一石墨烯层。
一种基于石墨阵列分布反馈啁啾光栅