专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储-CN202111173669.7在审
  • 叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-01-10 - G11C16/04
  • 本公开提供一种存储装置,存储装置包含3D数据存储及3D参考存储。参考存储用于产生用于感测数据存储中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储中的存储单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储中的被选定存储单元中的数据。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN202111173526.6在审
  • 叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-10-08 - 2023-01-10 - G11C16/34
  • 本公开提供一种存储装置,存储装置包含3D数据存储及3D参考存储。参考存储用于产生用于感测数据存储中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储中的存储单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储中的被选定存储单元中的数据。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN200610121356.6无效
  • 宫本英明;松下重治 - 三洋电机株式会社
  • 2006-08-22 - 2007-02-28 - G11C11/22
  • 本发明提供一种存储。该存储备有:非易失性的存储单元和对存储单元进行重新写入用的更新部。而且,更新部在电源下降时对存储单元进行读出及重新写入。由此,可以得到能够抑制由积累的干扰而导致的存储单元的数据消失的存储
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN200580019279.7有效
  • 宫本英明;境直史;山田光一;松下重治 - 三洋电机株式会社
  • 2005-06-16 - 2007-05-23 - G11C11/22
  • 提供一种能抑制非选择存储单元的数据消失的干扰现象。该存储具备存储单元阵列(1),其包括:位线;配置为与位线交叉的字线;连接在位线与字线之间的存储单元(12)。而且,在该存储中,通过对所选择的存储单元(12)进行的包括读出动作、重新写入动作及写入动作的至少一个的存取动作,向存储单元(12)施加第一电压脉冲和第二电压脉冲,其中第一电压脉冲提供使存储数据反转的第一方向的电场,第二电压脉冲提供不使存储数据反转的与所述第一方向反向的电场,并且对存储单元(12)进行用于使残留极化量恢复的恢复动作。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN200610154091.X有效
  • 宫本英明;松下重治 - 三洋电机株式会社
  • 2006-09-22 - 2007-04-04 - G11C11/22
  • 本发明提供一种存储,包括:第一次数检测部,其检测出对多个存储单元块的每一个的访问次数;比较电路,其将由第一次数检测部检测出的对多个存储单元块的每一个的访问次数进行比较;和更新部,其按照如下方式进行控制,即:基于从比较电路输出的比较数据来选择多个存储单元块中的规定的存储单元块,并且,对所选择的存储单元块中包含的存储单元优先进行重新写入。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN201910556335.4有效
  • 熊保玉;董子刚 - 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
  • 2019-06-25 - 2022-05-06 - G06F17/15
  • 本申请提供了一种存储,包括:存储单元,包括由多个存储元件形成的存储阵列;卷积单元,与存储单元电连接,卷积单元具有卷积输入端,卷积单元用于对存储单元的存储数据和卷积输入端的输入数据进行卷积。该存储中,存储单元包括由多个存储元件形成的存储阵列,卷积单元对存储单元的存储数据和卷积输入端的输入数据进行卷积。该存储的卷积在存储内实现,节省了从内存中读取数据的时间,提高了卷积速度,从而解决了现有技术中的具有卷积功能的存储的卷积速度较慢的问题。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN200610107803.2有效
  • 山田光一 - 三洋电机株式会社
  • 2006-07-21 - 2007-01-24 - H01L27/10
  • 本发明提供一种可缩小存储单元尺寸的存储。该存储具备:包含二极管(11)的多个存储单元(12)、多根位线(9)、n型杂质区域(21),该区域与位线(9)交叉地配置,并作为包含于存储单元(12)中的二极管(11)的阴极及字线(10)而起作用
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN202210871271.9在审
  • 张国飙;宋志棠 - 南方科技大学
  • 2022-07-22 - 2023-03-21 - H10N79/00
  • 本发明提出一种存储,包括多个一次编程存储元,每个一次编程存储元含有存储膜(30)。在一实施例中,存储膜(30)含有一层OTS(Ovonic阈值开关)膜(30A)和一层反熔丝膜(30B)。在另一实施例中,存储膜(30)含有一层OTS膜(30A),OTS膜(30A)的首次翻转电压Vform大于后续翻转电压Vth存储是三维一次编程存储,包括三维横向一次编程存储和三维纵向一次编程存储
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN202310194644.8有效
  • 王佳 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-03-03 - 2023-07-18 - G11C29/22
  • 本申请提供一种存储,包括:数据输入输出选择,数据输入输出选择的第一输入端接收目标数据输入输出引脚接收的串行数据,用于在测试模式下将目标数据输入输出引脚接收的串行数据中的每位数据分别传输至存储中的每个数据输入输出引脚对应的传输路径,其中,目标数据输入输出引脚为存储中的多个数据输入输出引脚中的任意一个。本申请的方案,在存储的测试过程中,减少存储的数据输入输出引脚的使用数量,增加同时测试的存储的数量,提高测试效率。
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN200710088480.1有效
  • 宫本英明 - 三洋电机株式会社
  • 2007-03-27 - 2007-10-03 - G11C11/22
  • 本发明提供一种存储,该存储具备在位线及字线的交叉位置上配置的存储单元。因而,读出存储单元的数据时所进行的读出动作、第一再写入动作及第二再写入动作,通过将针对位线及字线的施加电压转变为对应于各动作的施加电压来使其开始,在读出存储单元的数据之际所进行的各动作在转移时,将针对位线及字线的施加电压从转移前的动作所对应的施加电压直接转变为转移后的动作所对应的施加电压从而可获得能够高速动作(运作)的存储
  • 存储器
  • [发明专利]存储-CN202010276750.7在审
  • 张君宇;刘璟;谢元禄;霍长兴;张坤;呼红阳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
  • 2020-04-09 - 2020-07-14 - G11C16/10
  • 本发明公开了一种存储,具体地,其包括:不同性能的存储单元,各个存储单元设置有一固定阈值VTH,该VTH用至少三位二进制数表示;读取模块,读取存储单元的电流值,得到存储单元当前的阈值状态;第一判断模块,根据阈值状态判断存储单元是否需要操作;第二判断模块,在第一判断模块的判断结果为“是”时启用,用来判断阈值状态与VTH的距离;执行模块,根据第一判断模块和第二判断模块的判断结果控制存储单元进行相应的操作。本发明提供的该存储,在存储数据改写过程中,对不同性能的存储单元采用差异化的编程条件,使得性能不一致的存储单元,对外表现的不一致差异减轻,从而可有效提升存储的编程效率及可靠性。
  • 存储器

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