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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]盆底电极-CN202230191858.6有效
发明人：胡加华 -专利权人：上海格润科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：盆底电极。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于阴道、盆底肌检测和电疗的医疗器械。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
电极

[发明专利]CBRAM底电极结构-CN202211126687.4在审
发明人： J·R·詹姆士;K-C·蔡 -专利权人：对话半导体美国公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明涉及CBRAM底电极结构。一种形成电阻性存储器装置中的底电极的方法可以包括以下步骤：在基板ILD上淀积底绝缘体；通过在底绝缘体和基板ILD中图案化并蚀刻出洞，在基板中形成通孔；向洞填充通孔金属，以形成平坦的通孔表面；淀积底电极薄膜和顶绝缘体；限定底电极；蚀刻顶绝缘体、底电极薄膜以及底绝缘体；淀积单元板层，该单元板层具有切换层、阳极层以及盖层；通过淀积并图案化单元板硬掩模层然后蚀刻单元板层，对单元板层进行图案化；封装单元板层；以及形成与单元板层的电接触
cbram 电极结构

[实用新型]共用网板-CN202023115901.5有效
发明人：李锦雄;朱永安;祁浩勇;陈汉杰 -专利权人：研创科技（惠州）有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种共用网板，包括：第一底玻璃、至少一个第一底电极、第二底玻璃、至少一个第二底电极、至少一个侧引线和至少一个上引线；各第一底电极设置在第一底玻璃上，各第二底电极设置在第二底玻璃上；第一底玻璃设置在第二底玻璃上；上引线与第一底电极连接，且上引线与第二底电极连接；侧引线与第一底电极连接，且侧引线与第二底电极连接，上引线能够同时配合第二底电极及第一底电极的位置，侧引线分别与第一底电极及第二底电极连接，使得共用网板能够适配同一尺寸但
共用

[发明专利]谐振器、滤波器、电子设备及谐振器的制造方法-CN202110714676.7在审
发明人：李葱葱;郝龙 -专利权人：诺思(天津)微系统有限责任公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明的谐振器，包括衬底、夹层电极、声学镜、底电极结构、压电层以及顶电极，底电极结构和夹层电极共同围在声学镜外侧，夹层电极和底电极结构相互连接并导通，底电极结构包括种子层、第一底电极层和第二底电极层，第一底电极层形成于种子层上，第二底电极层形成于第一底电极层上，并覆盖第一底电极层；声学镜、底电极结构、压电层和顶电极的重叠部分共同形成谐振器的有效区域。
谐振器滤波器电子设备制造方法

[发明专利]磁存储器件及其制造方法-CN201810586433.8有效
发明人：宋胤宗;李吉镐;郑大恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。
磁存储器及其制造方法

[发明专利]一种磁性随机存储器磁性存储单元-CN201910518030.4在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁性随机存储器磁性存储单元，包括表面抛光带CMOS通孔的衬底、底电极、磁性隧道结和顶电极，衬底的顶部分布有底电极，底电极的顶部分布有磁性隧道结，磁性隧道结的顶部分布有顶电极；磁性隧道结的内部包括多层结构且依次向上叠加的缓冲层、晶态种子层、合成反铁磁层、合成反铁磁层‑参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层；底电极的内部包括有第一底电极、第二底电极和第二底电极氧化层，第一底电极的顶部分布有第二底电极，第二底电极的顶部分布有第二底电极氧化层，第一底电极和第二底电极的内部均可选择性地分布有底电极非晶隔断层。
一种磁性随机存储器存储单元

[实用新型]一种芯片封装载板和芯片封装结构-CN202221691068.5有效
发明人：卫璟霖;韦业祥;徐光泽;何忠亮 -专利权人：深圳市鼎华芯泰科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：芯片封装载板包括框架电路和承载板，框架电路包括基板和复数个按矩阵布置的单元电路，单元电路包括复数个电极，电极包括顶电极、导电柱、底电极和底电极焊盘，顶电极与底电极通过导电柱电连接，所述的电极包括错位电极，错位电极的顶电极与底电极横向错位；错位电极包括走线，走线布置在基板的下部，走线的一端与底电极连接，走线的另一端与导电柱的底部连接，导电柱的顶端与顶电极连接；底电极焊盘附在底电极的底面上，底电极焊盘的横截面大于底电极的横截面；底电极焊盘的顶面低于走线的底面。本实用新型在底电极焊盘足够大的条件下可以缩小芯片封装单元的尺寸，实现封装结构的小型化。
一种芯片装载封装结构

[发明专利]体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201911027017.5在审
发明人：庞慰;杨清瑞;张孟伦;徐洋 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-10-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜腔体，设置在基底中；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中，所述底电极包括第一底电极和第二底电极，所述第一底电极设置在声学镜腔体上方，至少部分的所述第二底电极设置在声学镜腔体中以与所述第一底电极形成间隙且同时所述第二底电极与所述第一底电极保持电接触
声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]一种用于直流电弧炉底电极复合底吹多元介质系统及方法-CN202110983845.7有效
发明人：杨宁川;吴学涛;石秋强 -专利权人：中冶赛迪工程技术股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C21C5/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于直流电弧炉底电极复合底吹多元介质系统及方法，属于炼钢技术领域，包括位于炉底的多个底电极，部分底电极为具有中空结构的底吹电极，部分底吹电极为I类底电极、II类底电极、III类底电极中的一种或多种；I类底电极：用于向熔池内喷吹碳质材料，以向熔池渗碳，加速废钢熔化；II类底电极：用于向熔池内喷吹造渣粉剂，以在金属液中形成熔态渣粒，增加脱磷反应过程气‑渣‑金三相反应界面积；III类底电极：用于向熔池内喷吹气体，以加速熔池内传质；还包括与底吹电极相连的控制单元，以实现在冶炼过程中结合底吹电极供电强度，在线调整喷吹参数。
一种用于直流电弧炉电极复合多元介质系统方法

[发明专利]MTJ底电极及其制造方法-CN201910884168.6有效
发明人：李辉辉 -专利权人：中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种MTJ底电极及其制造方法。所述MTJ底电极包括：堆叠设置的底电极衬底层和底电极缓冲层，所述底电极衬底层下表面和底部导电金属直接接触，所述底电极缓冲层的上表面和磁性隧道结接触，其中，所述底电极缓冲层的材料的原子量小于所述底电极衬底层的材料的原子量本发明能够提高刻蚀选择比，减小后段MTJ刻蚀过程中的金属沉积污染，且溅射到MTJ表面的底电极材料更易清洗。
mtj 电极及其制造方法

[发明专利]底电极为空隙电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备-CN201911424758.7有效
发明人：庞慰;徐洋;郝龙;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：所述底电极包括下底电极与上底电极，下底电极远离压电层且呈下凹形状，上底电极朝向压电层凸出而呈上凸形状，下底电极与上底电极之间形成空隙层，所述空隙层形成所述谐振器的声学镜；下底电极与上底电极在底电极的引脚端与非引脚端均彼此电连接。
极为空隙电极声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]SQUID电流传感器以及制备方法-CN202011631500.7有效
发明人：高鹤;李劲劲;王仕建;刘聪展;李正伟 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：SQUID电流传感器包括第一底电极结构、第二底电极结构、第三底电极结构、第四底电极结构、输入线圈、反馈线圈。第一底电极结构包括第一线圈与第二线圈，且连接。第二底电极结构与第一底电极结构并联连接。第二底电极结构包括第三线圈与第四线圈，且连接。第三底电极结构与第二底电极结构并联连接。第三底电极结构包括第五线圈与第六线圈。第五线圈与第六线圈连接。第四底电极结构与第三底电极结构并联连接。第四底电极结构包括第七线圈与第八线圈。第七线圈与第八线圈连接。输入线圈靠近第一线圈、第三线圈、第五线圈、第七线圈设置。反馈线圈靠近第二线圈、第四线圈、第六线圈、第八线圈设置。
squid 电流传感器以及制备方法

[发明专利]一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺-CN201510370358.8有效
发明人：陈晓东;汪涛;胡尚智;张加友;张永正;孟明兴 -专利权人：山东淄博汉能薄膜太阳能有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：在底电极（200）上刻划透光沟槽（5），透光沟槽（5）两侧的底电极（200）为第一底电极（201）和第二底电极（202）；在底电极（200）上镀吸光层（300）；在吸光层（300）上刻划串联沟槽（6）；在吸光层（300）上镀上电极（500），透光沟槽（5）和串联沟槽（6）使上电极（500）与第一底电极（201）连通，同时使上电极（500）与第二底电极（202）断开；在第一底电极（201）上侧的上电极（在电池薄膜的中部形成透光区域，而且透光区域内的上电极串联底电极，在透光的同时还能将电池薄膜连接成一个整体。
一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺

[实用新型]一种压敏电阻器电极结构-CN202122205752.X有效
发明人：李伟力;李国正;褚平顺 -专利权人：昆山万丰电子有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压敏电阻器电极结构，包括瓷体和电极；电极包括底电极和面电极，底电极位于瓷体表面，底电极面积小于瓷体面积，底电极用于形成过流层；底电极上设置有焊接窗口，用于改善电极的可焊性；面电极部分或全部覆盖在底电极表面上，或者面电极部分或全部覆盖在底电极表面上和焊接窗口表面上，用于形成焊接层。本实用新型的底电极上设置至少一个留白区作为焊接窗口，印刷贱金属材料，高温烧渗后再溅射可焊接的面电极，面电极覆盖留白区，因留白区平坦，浸润角大，可显著改善可焊性，并且减少了电极材料的使用量；且焊接导线附近留白区焊锡后覆有焊锡，避免焊点附近电极层过薄导致局部过流差的问题。
一种压敏电阻电极结构

[发明专利]基于忆阻器的逻辑门器件、控制方法及逻辑门电路-CN202310303112.3在审
发明人：田禾;沈阳;刘晏铭 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于忆阻器的逻辑门器件、操作方法及逻辑门电路，逻辑门器件包括第一顶电极、第一阻变层、第一底电极、第二顶电极、第二阻变层和第二底电极；第一阻变层形成于第一顶电极上；第一底电极和第二底电极形成于第一阻变层上，且第一底电极和第二底电极间隔设置；第二阻变层形成于第一底电极、第二底电极以及间隔上；第二顶电极形成于第二阻变层上；第一顶电极作为逻辑门器件的第一输入端；第二顶电极作为逻辑门器件的第二输入端；第一底电极和第二底电极均作为逻辑门器件的输出端
基于忆阻器逻辑器件控制方法门电路

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